摘要： SiC（碳化硅）材料作为第三代半导体材料，具有高结温、高临界击穿电压、高热导率等特点，因此，SiC材料有利于实现功率模块的小型化并提高功率模块的高温性能。基于此，同时为了实现模块的自主可控化，将Si模块中的Si二极管用自主SiC二极管进行替代，制作SiC混合功率模块。主要介绍混合功率模块封装工艺的关键工序：回流、铝线键合、点胶、灌胶。
中图分类号:
徐文辉，陈云，王立. SiC混合功率模块封装工艺[J]. 电子与封装, 2016, 16(3):
1 -3.
XU Wenhui, CHEN Yun, WANG Li. Packaging Process of SiC Hybrid Power Module[J]. Electronics & Packaging, 2016, 16(3):
1 -3.
