基于GaN HEMT的S波段大功率内匹配功放管设计

doi:10.16257/j.cnki.1681-1070.2019.0712

电子与封装 ›› 2019, Vol. 19 ›› Issue (7): 045 -48. doi: 10.16257/j.cnki.1681-1070.2019.0712

• 微电子制造与可靠性 • 上一篇

基于GaN HEMT的S波段大功率内匹配功放管设计

陈晓青，戈硕，时晓航

南京电子器件研究所，南京 210016

收稿日期:2019-04-16 出版日期:2019-07-18 发布日期:2019-07-18
作者简介:陈晓青（1980—），男，江苏泰州人，硕士学历，高级工程师，主要从事功放链路及TR组件研究。

Design of S-Band High Power Internally Matched Power Amplifier Based on the GaN HEMT

CHEN Xiaoqing,GE Shuo,SHI Xiaohang

Nanjing Electronic Device Institute,Nanjing 210016,China

Received:2019-04-16 Online:2019-07-18 Published:2019-07-18

摘要/Abstract

摘要： 采用GaN HEMT功率芯片研制了一款应用在S波段的宽频段、大功率、高效率的功率放大器。通过load-pull技术牵引得出GaN管芯在此频段的输入阻抗和输出阻抗。在设计过程中，采用多节阻抗匹配变换器实现了宽带的功率分配和合成。此款内匹配功率管最终实现了如下性能指标：工作脉宽100μs，在400 MHz的工作带宽下脉冲输出功率大于800 W，漏极效率大于60%。

关键词: 大功率, 内匹配, 功率放大器, S波段

Abstract: A S-band power amplifier with high power,high efficiency,broadband based on the GaN HEMT is designed.Theinput and output impedancesof the deviceare attained with load pull and modeling technique.In the design process,the broadband power divider and combiner circuit isrealized by using binomial impedance transformer.The amplifier finally achieves the goal：the output power is greater than 800 W at 400 MHz bandwidthand thepower added efficiency ishigher than60%in100μspulse-width.

Key words: high power, internally matched, power amplifier, Sband

中图分类号:

TN722.7

陈晓青，戈硕，时晓航. 基于GaN HEMT的S波段大功率内匹配功放管设计[J]. 电子与封装, 2019, 19(7): 045 -48.

CHEN Xiaoqing,GE Shuo,SHI Xiaohang. Design of S-Band High Power Internally Matched Power Amplifier Based on the GaN HEMT[J]. Electronics & Packaging, 2019, 19(7): 045 -48.

[1]	崔朝探, 陈政, 杜鹏搏, 焦雪龙, 曲韩宾. X波段小型封装GaN功率放大器设计 [J]. 电子与封装, 2022, 22(6): 60202-.
[2]	孟庆贤;席洪柱;方航;王亮;王林;叶鑫;詹锐. L波段1200W固态功率放大器的设计^*[J]. 电子与封装, 2022, 22(2): 20302-.
[3]	汤茗凯;唐世军;顾黎明;周书同. C波段连续波200 W GaN内匹配功率管的设计与实现[J]. 电子与封装, 2021, 21(5): 50302-.
[4]	王建浩;刘雪;王琪;戈硕;唐厚鹭. VHF 600 W GaN功率模块研制[J]. 电子与封装, 2021, 21(5): 50303-.
[5]	柳超，周晨，郁健. 基于功分的大功率微波限幅放大模块设计[J]. 电子与封装, 2020, 20(8): 80302-.
[6]	雒寒冰，张红英，杨晶晶，麻仕豪，莫志明. 一种S波段薄片型TR组件的设计[J]. 电子与封装, 2019, 19(8): 29-30.
[7]	陈晓青，章勇佳，时晓航. 大脉宽高效率S 波段功率放大器的研制[J]. 电子与封装, 2019, 19(6): 47-50.
[8]	支强，於天浩，张晓飞. 基于DITC开关磁阻风力发电系统MPPT 2-SMC控制[J]. 电子与封装, 2019, 19(5): 36-40.
[9]	李贺. 不同层面缺陷地对功率放大器的影响[J]. 电子与封装, 2019, 19(10): 44-48.
[10]	徐永刚，李　飞，钟世昌. S波段宽带大功率内匹配器件设计[J]. 电子与封装, 2018, 18(7): 42-44.
[11]	徐永刚，顾黎明，汤茗凯，唐世军，陈晓青，刘　柱，陈　韬. C波段400W GaN内匹配功率管研制[J]. 电子与封装, 2018, 18(6): 42-44.
[12]	王璐，胡永军，马建军，汤寅. 一种高可靠大功率单刀三掷开关模块设计[J]. 电子与封装, 2018, 18(11): 22-24.
[13]	陆雨茜，陈华康，高　博，龚　敏. K波段高功率放大器MMIC设计[J]. 电子与封装, 2018, 18(10): 26-28.
[14]	夏永平，李贺，魏斌. C波段GaN高功率放大器设计[J]. 电子与封装, 2018, 18(1): 34-38.
[15]	王乐乐，钟世昌，谢凌霄，鞠久贵. S波段GaN内匹配功放管[J]. 电子与封装, 2017, 17(5): 33-36.

中国半导体行业协会封装分会会刊

中国电子学会电子制造与封装技术分会会刊

基于GaN HEMT的S波段大功率内匹配功放管设计

Design of S-Band High Power Internally Matched Power Amplifier Based on the GaN HEMT

RichHTML

PDF

可视化

摘要/Abstract

引用本文

使用本文

参考文献

相关文章 15

编辑推荐

Metrics

本文评价