摘要: 采用薄外延圆片能有效提升抗辐射芯片的抗单粒子闩锁能力,但实测发现栅极接地MOS(GGMOS)结构在薄外延圆片下静电放电(ESD)性能衰减明显。对其衰减机理进行分析,设计了电源钳位ESD结构,对其进行了完整的ESD性能仿真,分析并优化了芯片ESD保护网络,实测结果表明ESD性能满足4 kV设计需求。
中图分类号:
李晓蓉;吴建东;高国平. 基于薄外延的ESD结构设计[J]. 电子与封装, 2022, 22(8):
080403 .
LI Xiaorong, WU Jiandong, GAO Guoping. ESD Structure Design Based on Thin Epitaxy[J]. Electronics & Packaging, 2022, 22(8):
080403 .