摘要： 高压IGBT/FRD管（1200 V以上）用外延片外延厚度通常在100 μm以上，远超常规外延材料，使用傅里叶红外光谱法（FTIR）测量时，往往光谱center burst出现变异，对测量结果计算造成误差。实验分析不同因素对光谱的影响，同时确认重掺衬底条件下光谱正向峰型稳定规律，重新定义取值峰，采用正向峰值计算方法避免产生测试误差，提高测试稳定性。
中图分类号:
潘文宾，黄宇程，王银海，杨帆. 高压大功率FRD用硅外延片厚度测量方法[J]. 电子与封装, 2019, 19(12):
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PAN Wenbin, HUANG Yucheng, WANG Yinhai, YANG Fan. Thickness Measurement of Silicon Epitaxial Wafer for High Voltage and High Power FRD[J]. Electronics & Packaging, 2019, 19(12):
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