封装、组装与测试 栏目所有文章列表

(按年度、期号倒序)     一年内发表的文章 |  两年内 |  三年内 |  全部 Please wait a minute... 全选： 导出引用 EndNote Ris BibTeX Select 多功能传感器集成综述 吕佩珏, 黄哲, 王晓明, 杨知雨, 林晨希, 王铭强, 杨洋, 胡然, 苟秋, 李嘉怡, 金玉丰 DOI: 10.16257/j.cnki.1681-1070.2023.0098 摘要 （402）      PDF （3016KB）（411）    可视化    随着5G、智能汽车、物联网（IoT）、智慧医疗等市场的快速增长，其对传感器需求广泛，要求传感器具备微型化、集成化、智能化、低功耗等特点。概述了国内外学者在环境、汽车和生物参数检测等领域应用多功能传感器集成的成果，阐释了多功能传感器集成的工艺兼容性及封装的关键技术，分析了多功能传感器集成在模型仿真、产品测试和热管理方面面临的严峻挑战。对多功能传感器集成方案进行了总结，并提出了未来发展趋势。 参考文献 | 相关文章 | 多维度评价 2023年第23卷第8期 pp. 080201 Select 先进封装中凸点技术的研究进展 沈丹丹 DOI: 10.16257/j.cnki.1681-1070.2023.0097 摘要 （342）      PDF （2077KB）（472）    可视化    随着异构集成模块功能和特征尺寸的不断增加，三维集成技术应运而生。凸点之间的互连是实现芯片三维叠层的关键，制备出高可靠性的微凸点对微电子封装技术的进一步发展具有重要意义。整理归纳了先进封装中的凸点技术，包括凸点制备方法与材料、微观组织与力学性能、电性能与可靠性、仿真在凸点中的应用，为后续凸点研究提供参考。最后对凸点技术进行了展望，凸点工艺将继续向着微型化、小节距、无铅化和高可靠性方向发展。 参考文献 | 相关文章 | 多维度评价 2023年第23卷第6期 pp. 060208 Select 塑封集成电路中铜丝键合的腐蚀及其评价 林娜;黄侨;黄彩清 DOI: 10.16257/j.cnki.1681-1070.2023.0043 摘要 （324）      PDF （1408KB）（308）    可视化    腐蚀是影响塑封集成电路铜丝键合可靠性的重要因素，与湿度、温度、Cl离子摩尔分数以及电位密切相关。针对NiPdAgAu预镀框架与纯铜丝第二键合点的腐蚀失效现象，研究其评价方法，并通过实际工况分析采用不同浓度的NaCl溶液进行预处理以及电位对腐蚀结果的影响。将样品置于质量分数分别为0.5%、2.0%与5.0%的NaCl溶液中，对其进行高温、高湿预处理24 h，再进行96 h的高加速应力试验。结果表明，采用质量分数为5.0%的NaCl溶液进行预处理对加速腐蚀更有效，且腐蚀的键合点多数位于低电位引脚，少数位于高电位引脚。 参考文献 | 相关文章 | 多维度评价 2023年第23卷第5期 pp. 050201 Select 金锡合金熔封中的焊料内溢控制 肖汉武;陈婷;颜炎洪;何晟 DOI: 10.16257/j.cnki.1681-1070.2023.0044 摘要 （309）      PDF （1909KB）（319）    可视化    金锡合金熔封是气密封装的主要封帽技术之一，焊料内溢是金锡合金熔封过程中的普遍现象。焊料内溢会缩小键合引线与盖板的间距，严重的甚至会引起短路，偶尔也会导致粒子碰撞噪声检测（PIND）试验不合格。讨论了焊料内溢产生的原因，并从密封设计、封帽夹具、盖板镀层等方面提出了内溢控制措施。 参考文献 | 相关文章 | 多维度评价 2023年第23卷第5期 pp. 050203 Select 焊接空洞对功率器件可靠性的影响与调控* 袁海龙;袁毅凯;詹洪桂;成年斌;汤勇 DOI: 10.16257/j.cnki.1681-1070.2023.0077 摘要 （300）      PDF （2565KB）（362）    可视化    焊接空洞会导致功率器件在使用过程中结温上升，应力增大，从而降低整个器件的可靠性与寿命。不同大小、不同位置的空洞所产生的影响有所不同。通过Ansys仿真计算了不同大小的空洞处于不同位置时结温与应力的值，建立了结温/应力与空洞大小、位置的三维关系图，对评估现有工艺在空洞调控方面的好坏以及如何降低空洞对结温、应力的影响具有指导意义。结果表明，空洞的孔径越大，且位置处于焊料层中心或边缘位置时，对器件的影响约大。 参考文献 | 相关文章 | 多维度评价 2023年第23卷第6期 pp. 060203 Select 人工智能芯片先进封装技术 田文超;谢昊伦;陈源明;赵静榕;张国光 DOI: 10.16257/j.cnki.1681-1070.2024.0011 摘要 （289）      PDF （3240KB）（495）    可视化    随着人工智能（AI）和集成电路的飞速发展，人工智能芯片逐渐成为全球科技竞争的焦点。在后摩尔时代，AI芯片的算力提升和功耗降低越来越依靠具有硅通孔、微凸点、异构集成、Chiplet等技术特点的先进封装技术。从AI芯片的分类与特点出发，对国内外典型先进封装技术进行分类与总结，在此基础上，对先进封装结构可靠性以及封装散热等方面面临的挑战进行总结并提出相应解决措施。面向AI应用，对先进封装技术的未来发展进行展望。 参考文献 | 相关文章 | 多维度评价 2024年第24卷第1期 pp. 010204 Select 先进封装RDL-first工艺研究进展 张政楷,戴飞虎,王成迁 DOI: 10.16257/j.cnki.1681-1070.2023.0134 摘要 （271）      PDF （2325KB）（310）    可视化    随着摩尔定律逐步达到极限，大量行业巨头暂停了7 nm以下工艺的研发，转而将目光投向先进封装领域。其中再布线先行（RDL-first）工艺作为先进封装技术的重要组成部分，因其具备高良率、高密度布线的优势吸引了大量研究者的目光。总结了RDL-first工艺的技术路线及优势，详细介绍其工艺进展，模拟其在程序中的应用，并对RDL-first工艺的发展方向进行展望，为RDL-first技术的进一步优化提供参考。 参考文献 | 相关文章 | 多维度评价 2023年第23卷第10期 pp. 100205 Select 封装用玻璃基板的热应力翘曲研究 闫伟伟;朱泽力;李景明 DOI: 10.16257/j.cnki.1681-1070.2024.0001 摘要 （250）      PDF （900KB）（309）    可视化    通过理论分析、仿真模拟、实验验证相结合的方法对封装用玻璃基板的热应力翘曲进行研究。结果表明，相较于传统的有机化合物基板，玻璃基板降低热应力翘曲的效果十分显著。以双材料板模型为研究对象，通过对不同模型进行分析对比，总结了不同因素对热应力翘曲的影响。增加玻璃基板的厚度对降低翘曲的效果最为显著。提高玻璃基板的热膨胀系数（CTE），使其接近堆积膜的CTE，有助于降低翘曲。对堆积膜进行较多的分区可以显著改善翘曲。同时，重力也是不可忽略的影响因素，产品的放置方式决定了翘曲方向并影响翘曲值。 参考文献 | 相关文章 | 多维度评价 2024年第24卷第1期 pp. 010201 Select 多次回流焊后金属间化合物及焊点强度分析 常青松, 徐达, 袁彪, 魏少伟 DOI: 10.16257/j.cnki.1681-1070.2023.0114 摘要 （246）      PDF （943KB）（291）    可视化    以BGA基板焊接为研究对象，分析了无铅焊料（SAC305）与NiPdAu镀层经过多次回流焊后金属间化合物（IMC）厚度与焊点强度的变化趋势。试验结果表明，通过优化SAC305锡球与Ni层焊盘的回流焊接温度曲线，IMC层的厚度可控制在2 μm左右。同时，镀层中Pd的存在降低了(Cu,Ni, Pd)6Sn5生长的活化能，抑制了不良IMC的形成。经过多次回流焊后，SAC305锡球与NiPdAu镀层的微观界面和剪切强度仍然保持着较好的水平，经过回流焊3次后的焊点仍具有较高的可靠性。 参考文献 | 相关文章 | 多维度评价 2023年第23卷第8期 pp. 080207 Select DBC铜线键合工艺参数研究 王小钰;张茹;李海新 DOI: 10.16257/j.cnki.1681-1070.2023.0079 摘要 （238）      PDF （2173KB）（235）    可视化    铜线作为最有发展潜力的新一代键合材料，与铝线相比，具有优异的导电及导热能力。因绝缘栅双极型晶体管（IGBT）需承载大电流，采用铜线可在键合线数量不变的基础上提高电流传输能力和散热能力。采用铜线超声楔形键合对陶瓷覆铜基板第一键合点和第二键合点的键合工艺参数进行研究，以剪切力作为衡量键合质量的方法，采用单因素分析法研究各参数对键合点强度的影响，采用正交试验确定最佳工艺参数，为铜线键合工艺的参数设定提供参考及指导方法。 参考文献 | 相关文章 | 多维度评价 2023年第23卷第6期 pp. 060205 Select 基于深度学习的电子元件焊点缺陷检测方法* 刘玉龙;吕权权;吴浩;单建华 DOI: 10.16257/j.cnki.1681-1070.2023.0081 摘要 （226）      PDF （1369KB）（221）    可视化    提出一种用于训练掩模区域卷积神经网络（Mask R-CNN）的半自动生成焊点图像掩模的方法。由于传统的通过人工标注获取掩模的方法费时费力，提出了一种简便快捷的基于GrabCut获取图像掩模的方法。该方法由两个阶段组成，第一阶段为基于GrabCut的焊点图像分割，输出像素级分割结果，从而获得所输入图像掩模。第二阶段实现基于Mask R-CNN的焊点表面缺陷检测方法，可以实现对缺陷的定位、分类和分割。实验结果证实了该方法的有效性，在保证Mask R-CNN方法检测精度的前提下，能快速简单地获取训练Mask R-CNN所需的焊点掩模。 参考文献 | 相关文章 | 多维度评价 2023年第23卷第6期 pp. 060206 Select 倒装焊结构的大规模集成电路焊点失效机理研究 王欢,林瑞仕,朱旭锋,胡圣,李凌 DOI: 10.16257/j.cnki.1681-1070.2023.0129 摘要 （219）      PDF （1385KB）（264）    可视化    在倒装焊结构的球栅阵列（BGA）封装大规模集成电路（LSIC）的服役过程中，由于BGA焊球、基板材料和PCB材料的热膨胀系数不同，焊点失效成为倒装焊结构LSIC的主要失效模式。焊点失效与焊料性质、焊接时间和温度、制造中的缺陷等密切相关。结合焊点失效的常见形貌及实例，研究倒装焊结构的LSIC的焊点失效模式及失效机理。针对可能引发失效的因素，提出从工艺到应用的一系列预防措施，对提升该类型电路的可靠性具有指导意义。 参考文献 | 相关文章 | 多维度评价 2023年第23卷第10期 pp. 100202 Select 柔性有机发光二极管的薄膜封装研究进展* 周钰卜;高桦宇;郑华;邹建华;林生晃;李显博;刘佰全 DOI: 10.16257/j.cnki.1681-1070.2023.0086 摘要 （215）      PDF （1546KB）（169）    可视化    柔性有机发光二极管（OLED）因使用柔性衬底而对环境中的水氧更加敏感，这对封装技术提出了更高的要求。目前，柔性OLED封装技术中最具希望的发展方向是可柔性化、水氧隔离能力优异的薄膜封装（TFE）技术。TFE是在OLED表面制备一层或者多层超薄的薄膜材料，以阻隔水氧侵蚀的封装技术，其关键在于制备水氧隔离能力优异的薄膜并避免对OLED器件性能产生影响。介绍了柔性OLED的衬底选择和传统的刚性封装技术，阐明了TFE的优势，并通过无机/有机薄膜的制备及TFE采用的在线封装和离线封装2种方法，对柔性TFE的发展现状进行了总结，并对柔性TFE的发展做出了展望。 参考文献 | 相关文章 | 多维度评价 2023年第23卷第7期 pp. 070203 Select 人工智能芯片及测评体系分析* 赵玥;肖梦燕;罗军;王小强;罗道军 DOI: 10.16257/j.cnki.1681-1070.2023.0055 摘要 （202）      PDF （2041KB）（111）    可视化    芯片是许多尖端数字设备的基础核心部件，随着自动驾驶、人工智能、5G技术和物联网时代的到来，AI芯片的开发与应用逐渐成了各界关注的焦点。AI芯片是指专门设计用于处理人工智能任务的新一代微处理器，具有能效高、耗电少等优势，能够在汽车制造、智能家电、机器人等领域中发挥重要作用。从定义、功能、技术架构和测评体系等多方面对AI芯片进行了介绍，对现有AI芯片测评体系及特点、AI芯片基准测试平台以及AI芯片测评标准进行了详细研究，并概述了AI芯片测评的发展趋势。 参考文献 | 相关文章 | 多维度评价 2023年第23卷第5期 pp. 050205 Select 浅谈超导量子比特封装与互连技术的研究进展 汪冰,刘俊夫,秦智晗,芮金城,汤文明 DOI: 10.16257/j.cnki.1681-1070.2023.0137 摘要 （199）      PDF （2767KB）（212）    可视化    基于超导量子电路的量子计算技术已经在退相干时间、量子态操控和读取、量子比特间可控耦合、中大规模扩展等关键技术上取得大量突破，成为构建通用量子计算机和量子模拟机最有前途的候选技术路线之一。在介绍超导量子比特原理的基础上，结合自主创新成果，对国内外超导量子比特封装与互连技术的发展进行评价，并重点探讨了超导量子比特三维集成封装解决方案以及与外部稀释制冷机测控线路的高密度互连方案，为尽快缩小与国外超导量子计算机的差距提供超导量子比特封装与互连技术支撑。 参考文献 | 相关文章 | 多维度评价 2023年第23卷第10期 pp. 100207 Select 引线键合中焊盘裂纹的产生原因及改善方法 马勉之,杨智群,张德涛 DOI: 10.16257/j.cnki.1681-1070.2023.0160 摘要 （198）      PDF （1422KB）（288）    可视化    引线键合是封装的关键工序之一。通过第一焊点同芯片焊盘键合、第二焊点同基板键合及线弧成形的方法实现电路的导通连接，进而实现产品的功能。在第一焊点同芯片焊盘键合的过程中，焊盘会受到一定的键合应力，过大的应力易造成焊盘裂纹，导致产品失效。因此，第一焊点的键合强度及引线键合参数的设置尤为重要。通过优化焊盘结构、引线键合参数及键合作业模式的方法来降低发生焊盘裂纹的风险，为避免不同材质及结构的焊盘出现焊盘裂纹提供参考。 参考文献 | 相关文章 | 多维度评价 2023年第23卷第12期 pp. 120202 Select 共晶焊后热敏电阻的应力分析及优化 李长安,牛玉秀,全本庆,关卫林 DOI: 10.16257/j.cnki.1681-1070.2023.0110 摘要 （188）      PDF （949KB）（159）    可视化    为了研究与解决热敏电阻在共晶焊后阻值变大的问题，采用扫描电子显微镜（SEM）观测失效的热敏电阻，发现其内部有裂纹。采用有限元分析法分析热敏电阻经过共晶焊后产生的应力。结果表明，最大应力的位置与裂纹位置基本一致，最大应力的方向与裂纹方向正交，这说明裂纹是由应力引起的。分析了热敏电阻上最大应力与焊料厚度的关系，结果表明，焊料越厚，则热敏电阻在共晶焊时产生的应力越小。通过验证试验可知，采用适当加厚的焊料对热敏电阻进行共晶焊，共晶焊后热敏电阻的外观良好，没有裂纹发生，且阻值没有增大。因此，可采用加厚焊料的方法防止热敏电阻开裂。 参考文献 | 相关文章 | 多维度评价 2023年第23卷第9期 pp. 090201 Select 垂直互联结构的封装天线技术研究 陈晨;尹春燕;夏晨辉;尹宇航;周超杰;王刚;明雪飞 DOI: 10.16257/j.cnki.1681-1070.2023.0092 摘要 （170）      PDF （3275KB）（159）    可视化    封装天线（AiP）是一种能够实现低成本制备、高性能以及小体积天线的技术，在移动通信等领域有着广泛的应用。在扇出型晶圆级封装（FOWLP）中，采用通孔工艺能够实现电信号的垂直互连结构，助力AiP技术的发展。重点阐述了FOWLP工艺中硅通孔（TSV）、玻璃通孔（TGV）和塑封通孔（TMV）的制备方法，以及通过3种通孔技术实现的垂直互连结构在封装天线领域的应用。采用这3种垂直互连结构制备的封装天线能够实现三维集成，从而更进一步地缩小天线的整体封装体积。介绍了3种通孔的制备工艺，以及采用通孔技术的FOWLP工艺在封装天线领域的应用。明确了每一种垂直互连结构应用于AiP的优缺点，为FOWLP工艺在AiP领域中的技术开发和探索提供参考。 参考文献 | 相关文章 | 多维度评价 2023年第23卷第7期 pp. 070205 Select 大功率LED芯片直接固晶热电制冷器主动散热* 梁仁瓅,牟运,彭洋,胡涛,王新中 DOI: 10.16257/j.cnki.1681-1070.2023.0124 摘要 （168）      PDF （1818KB）（170）    可视化    发光二极管（LED）作为新一代绿色固态照明光源，已广泛应用于照明和显示等领域，但散热问题一直是大功率LED封装的关键技术瓶颈。采用大功率LED芯片直接固晶热电制冷器（TEC）的主动散热方法，可增强大功率LED的热耗散，提升大功率LED的发光性能和长期可靠性。利用高精度陶瓷基板和纳米银膏材料制备出高性能TEC，TEC冷端温度最低可达-22.2℃。将LED芯片直接固晶于TEC冷端的陶瓷基板焊盘上，实现LED芯片与TEC的集成封装，制备出LED-TEC主动散热模块。在芯片电流为1.0 A时，由于热电制冷的珀尔帖效应，LED-TEC模块可将LED芯片的工作温度从232℃降低到123℃（降温幅度为109℃），且可使其输出光功率从1087 mW提升到1479 mW，光功率提升幅度达到36.1%。 参考文献 | 相关文章 | 多维度评价 2023年第23卷第10期 pp. 100201 Select 基于陶瓷基板微系统T/R组件的焊接技术研究 王禾,周健,戴岚,张丽 DOI: 10.16257/j.cnki.1681-1070.2023.0144 摘要 （167）      PDF （1986KB）（137）    可视化    陶瓷基板微系统T/R组件具有体积小、密度高、轻量化等特点，正在逐步取代传统微组装砖式T/R组件。在微系统封装新技术路线的引领下，T/R组件对于微电子焊接技术的需求发生了较大变化。针对基于陶瓷基板微系统T/R组件的微电子焊接技术展开了论述，重点阐述了新技术路线与传统技术路线对于技术需求的差异，对围框钎焊、焊球/焊柱钎焊、基板与器件钎焊、高密度键合及盖板气密封焊等关键技术进行了介绍，归纳并总结了近年来相关技术领域的研究现状，并给出了现有技术水平条件下满足高可靠、低成本封装需求的最优工艺方法，为微电子焊接技术的发展提供了参考。 参考文献 | 相关文章 | 多维度评价 2023年第23卷第11期 pp. 110202 Select 功率器件塑封过程中引脚压伤问题研究 张怡 DOI: 10.16257/j.cnki.1681-1070.2023.0099 摘要 （163）      PDF （1010KB）（182）    可视化    引线框架的引脚压伤是严重的质量问题，引脚压伤不仅会影响产品的外观质量，严重时会导致产品的电性能异常，甚至导致终端使用时发生短路、尖端放电等问题。结合实际发生的异常案例，列举了塑封过程中导致压伤的风险因素并逐项进行试验分析。采用Minitab软件进行了双比率及相关性试验，确认导致异常的主要因素。由此延伸到其他可能导致压伤的成因，确定了不同影响因素与引脚压伤的关联性。并从模具设计及工艺方法的角度提出改善意见，为改善实际生产中出现的引脚压伤问题提供了参考。 参考文献 | 相关文章 | 多维度评价 2023年第23卷第8期 pp. 080202 Select 无芯封装基板应力分析与结构优化* 李轶楠, 杨昆, 陈祖斌, 姚昕, 梁梦楠, 张爱兵 DOI: 10.16257/j.cnki.1681-1070.2023.0102 摘要 （162）      PDF （1967KB）（263）    可视化    封装基板作为集成电路的载体，可以实现芯片的电连接、支撑保护及散热等。因此，封装基板的可靠性至关重要。在封装基板的加工过程中，热、机械等因素如铜含量分布不均衡、材料的热膨胀系数（CTE）不匹配等均可能导致基板出现翘曲、开裂等现象，进而导致基板出现短路、断路，从而影响元器件的功能。采用有限元分析法，对无芯封装基板在加工过程中所经历的热、机械情况进行模拟，分析了基板设计对基板翘曲、应力分布的影响。通过对基板设计进行优化改进、仿真验证、样品加工验证，无芯基板加工过程中的断裂现象得到显著改善。 参考文献 | 相关文章 | 多维度评价 2023年第23卷第8期 pp. 080203 Select 封装用环氧银胶的配制工艺及性能研究 鄂依阳;田兆波;迟克禹;江仁要;孙琪;吕尤;祝渊 DOI: 10.16257/j.cnki.1681-1070.2023.0096 摘要 （158）      PDF （1641KB）（159）    可视化    随着电子设备向小型化和轻量化发展，电子封装也趋于小尺寸、精密化和结构复杂化。传统钎焊互连越来越难以解决精密的封装结构产生的散热问题。银胶作为一种高性能、低污染和易操作的新型互连材料，逐渐替代钎焊并在高端芯片互连等领域发挥着越来越重要的作用。针对市场银胶热导率和电阻率难以满足需求的难题，采用环氧树脂、片状银粉、改性脂环胺固化剂、偶联剂、稀释剂和催化剂改善了环氧树脂基银胶，系统研究了银粉形貌、比例和制备工艺等对银胶热导率和电阻率等的影响，并获得了高热导率[7.21 W·(m·K)-1]、低体积电阻率 (4.46×10-5Ω·cm)的环氧银胶。通过在不同基板间进行粘接热阻测试，验证了所获得的环氧银胶在基板间具有较低的热阻，其有望应用于高端芯片封装的互连。 参考文献 | 相关文章 | 多维度评价 2023年第23卷第7期 pp. 070207 Select 基于特征参数仿真的引线键合强度测量系统分析 牛文娟;饶张飞;刘瀚文 DOI: 10.16257/j.cnki.1681-1070.2023.0067 摘要 （158）      PDF （1014KB）（203）    可视化    引线键合强度测量具有破坏性和不可重复测试的特性，无法采用传统的测量系统分析方法对其进行分析。采用对工艺参数总体分布的特征参数的均值和标准偏差仿真的方法，选择服从相同正态分布的标准砝码作为替代样本。利用方差分析法计算引线键合强度测量系统的重复性和再现性，分析替代样本与操作者的交互作用。基于特征参数仿真的测量系统分析方法可以反映引线键合强度测量系统的精密度，降低了产线统计过程控制的成本。 参考文献 | 相关文章 | 多维度评价 2023年第23卷第6期 pp. 060201 Select 微量沉积氯对焊点腐蚀过程的影响 刘美;王志杰;徐艳博;孙志美;牛继勇 DOI: 10.16257/j.cnki.1681-1070.2023.0078 摘要 （157）      PDF （2215KB）（184）    可视化    不同金属间存在电位差，被硫、氯污染的焊点易产生原电池腐蚀，这将降低焊接产品的可靠性，缩短产品的寿命。因此，焊点的腐蚀问题受到人们的高度重视。以镀钯铜线的球栅阵列（BGA）产品为研究对象，通过能谱仪（EDS）、X射线衍射（XRD）、X射线光电子能谱（XPS）等实验手段，首先分析了多焊点同时被氯腐蚀的影响因素，再将焊点表面划分为上表面、侧表面以及界面3个区域，并对各区域进行腐蚀分析和验证，最后得出氯腐蚀焊点的腐蚀机理。实验结果表明：（1）氯腐蚀难易程度的主要影响因素为IMC的致密度和镀钯层上的铜露出面积，IMC的致密度越小，镀钯层上的铜露出面积越大，氯腐蚀越容易发生；（2）焊点腐蚀路径表现为氯沿铜球表面向铜球与IMC的界面迁移的过程；（3）焊点烘烤时间越短，焊点表层上钯的覆盖率越大，焊点被氯腐蚀的概率越低。 参考文献 | 相关文章 | 多维度评价 2023年第23卷第6期 pp. 060204 Select 高精度数模转换器的线性度测试技术 陈宇轩;季伟伟;解维坤;张凯虹;寿开元 DOI: 10.16257/j.cnki.1681-1070.2023.0042 摘要 （137）      PDF （1208KB）（66）    可视化    高精度数模转换器（DAC）测试一直是混合信号测试的难点。线性度是DAC静态误差的重要指标，包括积分非线性（INL）误差和微分非线性（DNL）误差2个参数。针对如何高效准确地测试高精度DAC的线性度这一问题，研究使用最小二乘法转换曲线拟合算法进行线性度计算。同时基于电流型DAC的内部结构，提出了1种利用特征点测试DAC线性度的优化方法。使用V93000自动测试设备对16位DAC进行验证，优化前的INL测试结果为－1.88LSB，DNL测试结果为1.202LSB，优化后的INL测试结果为－1.24LSB，DNL测试结果为0.594LSB。结果表明，使用特征点结合最小二乘法拟合转换曲线算法能够有效提高线性度的测试结果，同时将测试时间由7s缩减至1s，避免了因长时间测试电阻产生温漂引起的误差，测试效率和测试精度均得到提升。 参考文献 | 相关文章 | 多维度评价 2023年第23卷第5期 pp. 050202 Select LTCC封装散热通孔的仿真与优化设计 刘俊永 DOI: 10.16257/j.cnki.1681-1070.2023.0152 摘要 （128）      PDF （1735KB）（142）    可视化    低温共烧陶瓷（LTCC）封装散热通孔设计是集成电路封装设计的重要内容之一。以某CLCC40型LTCC外壳为例，使用有限元仿真软件对几种不同的散热通孔设计进行3D建模和稳态热仿真。通过对比芯片结到外壳的热阻仿真结果，得到了散热通孔的优化设计方案。仿真结果表明，采用该设计的LTCC外壳的散热效果优于质量分数为92%的氧化铝陶瓷外壳，但略差于氮化铝陶瓷外壳。 参考文献 | 相关文章 | 多维度评价 2023年第23卷第11期 pp. 110205 Select 基于紫外激光清洗的LTCC基板铅锡可焊性研究 胡海霖;刘建军;张孔 DOI: 10.16257/j.cnki.1681-1070.2023.0082 摘要 （126）      PDF （1449KB）（102）    可视化    低温共烧陶瓷（LTCC）电路基板的焊接区与其他器件的钎焊强度及可靠性直接影响着整个组件的功能、性能一致性及可靠性。低温共烧陶瓷电路基板的可焊性差以焊盘表面玻璃相浮出最为常见。研究通过纳秒脉冲式紫外激光在1.32 W的平均功率、88 kHz的频率下清洗金铂钯焊盘，以降低焊盘表面玻璃相含量的方法来提高基板对铅锡焊料的耐焊性，保证产品钎焊的可靠性。 参考文献 | 相关文章 | 多维度评价 2023年第23卷第6期 pp. 060207 Select 集成电路学科建设背景下电子封装技术专业人才培养探索与实践* 王尚;冯佳运;张贺;刘威;田艳红 DOI: 10.16257/j.cnki.1681-1070.2023.0095 摘要 （125）      PDF （1933KB）（112）    可视化    电子封装是为电子电路建立互连和合适工作环境的科学和技术，是构成芯片－器件－组件－产品的桥梁。正如有人所说“一代芯片需要一代封装”，随着集成电路特征尺寸的缩小和运行速度的提高，行业对集成电路封装技术也提出了新的、更高的要求。由于电子封装的多学科交叉、尖端技术的性质，在集成电路一级学科发展的背景下，依靠综合各领域人才分别解决封装问题的模式已经不能适应技术发展的需求。综述了国内外集成电路人才的培养模式，分析了当前电子封装技术专业人才培养体系的建设与发展现状。以哈尔滨工业大学在集成电路人才培养模式上的探索实践为例，提出相关人才培养应更加注重实践环节，并与研究生课程衔接，通过产学研三位一体培养具备综合能力的高端复合型人才。 参考文献 | 相关文章 | 多维度评价 2023年第23卷第7期 pp. 070206 Select 不同I/O端数金凸点倒装焊的预倒装工艺研究 赵竟成,周德洪,钟成,王晓卫,何炜乐 DOI: 10.16257/j.cnki.1681-1070.2023.0146 摘要 （120）      PDF （1948KB）（106）    可视化    金凸点热压超声倒装焊中涉及的主要工艺参数，如压力和超声功率，会随着I/O端数的改变产生较大差异。对具有不同数量I/O端的金凸点倒装焊工艺参数进行研究和优化，有助于透析产生差异的根源，指导实际生产。通过对I/O端数分别为121、225、361的金凸点倒装焊工艺参数进行研究，发现随着I/O端数量的增加，单位凸点上的最大平均剪切力依次减小，达到最大平均剪切力时所需单位凸点上的平均超声功率和平均压力依次减小。工艺窗口依次缩窄的主要原因是热压超声过程中传递的能量不均匀。在倒装焊工艺中，使用预倒装的方法可使各凸点在倒装焊中的能量分布更均匀，使用此方法对具有361个I/O端的芯片进行倒装焊，单位凸点上的平均剪切力达到了0.54 N，比未使用此方法时的平均剪切力（0.5 N）提高了8%。 参考文献 | 相关文章 | 多维度评价 2023年第23卷第11期 pp. 110203 跳至 页 第1页 共3页 共69条记录 首页 上一页 下一页 尾页