30 V SGT N-Channel MOSFET总剂量效应研究

中国半导体行业协会封装分会会刊

中国电子学会电子制造与封装技术分会会刊

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30 V SGT N-Channel MOSFET总剂量效应研究

徐海铭, 汪敏

Total Ionizing Dose Effect Study of 30 V SGT N-Channel MOSFET

XU Haiming, WANG Min

电子与封装 . 2023, (11): 110402 - . DOI: 10.16257/j.cnki.1681-1070.2023.0162