基于0.18μm工艺的I/O端口ESD防护设计

中国半导体行业协会封装分会会刊

中国电子学会电子制造与封装技术分会会刊

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基于0.18μm工艺的I/O端口ESD防护设计

程　淩，白丽君，李　娟

Design of IO Port ESD Protection Based on 0.18 μm Process

CHENG Ling, BAI Lijun, LI Juan

电子与封装 . 2019, (3): 18 -20 . DOI: 10.16257/j.cnki.1681-1070.2019.0028