伴随我国载人航天工程的快速发展，主流Si基微电子芯片因遭受太阳系更强带电粒子的辐照效应而面临着较大的挑战。以GaN为代表的宽禁带半导体因具有高禁带带宽，满足恶劣环境等优势，已成为服务于空间科学技术研究与工程应用的新一代半导体技术，目前包括NASA Europa Clipper，维珍银河VSS Unit Spaceship2，SpaceX transporter-2等都有应用。
针对GaN集成电路芯片与辐照失效效应的特殊性，复旦大学微电子学院张卫、黄伟教授课题组联合中国电子科技集团公司第五十八研究所，首次提出GaN器件+GaN典型电路辐照效应的协同设计整套技术方案，并开展单片GaN LDO电路设计及单粒子研究工作，进而给出GaN集成电路与Si CMOS集成电路在单粒子设计的差异性及其根源，这为国内外研究人员开展单片抗辐照GaN集成电路设计与应用提供了重要的参考思路。（点击查看《GaN器件辐照效应与LDO电路的单粒子敏感点协同设计研究》全文）
图1 GaN半导体星载应用
图2 GaN器件/电路单粒子效应协同设计示意图
图3 GaN反相器链路中单粒子辐照脉冲加载
团 队 简 介
高频功率课题组是国家重大专项副总师张卫教授担任首席科学家、以模拟半导体器件与特色工艺为主要研究方向的课题组。目前课题组人数近20人，面向国际科技前沿，聚焦国家重大需求，联合国内外微电子龙头企业，重点开展模拟信号链芯片与工艺、模拟功率芯片与工艺、模拟异质集成的基础研究与应用基础研究及其成果转化等工作，正在承担多项国家重点工程任务。成果先后发表于Applied Physics Letters、IEEE EDL等专业期刊，并多次获得省部级奖励。
