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闫海东1,蒙业惠2,刘昀粲2,刘朝辉3
YAN Haidong1, MENG Yehui2, LIU Yuncan2, LIU Chaohui3
摘要: SiC器件的比导通电阻仅有Si基器件的1/5,同时在高频、高温、高功率密度的车规级封装领域展现出更大优势,但SiC器件的高通流密度对其散热设计提出了更高要求。高导热率、低工艺温度、高服役温度的银烧结有助于优化功率模块的热管理,但鉴于烧结银过高的成本与电迁移问题,本文提出了一种针对SiC器件的全铜烧结互连方法,高质量铜互连层剪切强度超过130 MPa。与传统功率模块相比,全铜烧结功率模块的结壳热阻降低了6.12 K/kW(12.47%),动、静态测试结果表明模块具有良好的电学性能。