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一年内发表的文章 |  两年内 |  三年内 |  全部 Please wait a minute... 全选： 导出引用 EndNote Ris BibTeX Select 三维异构集成的发展与挑战 马力,项敏,吴婷 DOI: 10.16257/j.cnki.1681-1070.2024.0143 摘要 （860）      PDF （1982KB）（688）    可视化    三维异构集成技术带动着半导体技术的变革，用封装技术上的创新来突破制程工艺逼近极限带来的限制，是未来半导体行业内的关键技术。三维异构集成技术中的关键技术包括实现信号传输和互连的硅通孔/玻璃通孔技术、再布线层技术以及微凸点技术，不同关键技术相互融合、共同助力三维异构集成技术的发展。芯片间高效且可靠的通信互联推动着三维异构集成技术的发展，现阶段并行互联接口应用更为广泛。异构集成互联接口本质上并无优劣之分，应以是否满足应用需求作为判断的唯一标准。详述了三维异构集成技术在光电集成芯片及封装天线方面的最新进展。总结了目前三维异构集成发展所面临的协同设计挑战，从芯片封装设计和协同建模仿真等方面进行了概述。建议未来将机器学习、数字孪生等技术与三维异构集成封装相结合，注重系统级优化以及协同设计的发展，实现更加高效的平台预测。 参考文献 | 相关文章 | 多维度评价 2024年第24卷第6期 pp. 060112 Select 高算力Chiplet的热管理技术研究进展* 冯剑雨,陈钏,曹立强,王启东,付融 DOI: 10.16257/j.cnki.1681-1070.2024.0140 摘要 （648）      PDF （4221KB）（612）    可视化    随着集成电路尺寸微缩逼近物理极限以及受限于光罩面积，芯粒（Chiplet）技术将成为集成电路发展的关键路径之一，支撑人工智能和高性能计算不断发展。大尺寸、高算力Chiplet面临着热功耗高、热分布不均、热输运困难等挑战，Chiplet热管理已成为后摩尔时代集成电路发展的重大挑战之一。综述了可用于Chiplet热管理的关键技术发展趋势和现状，包含微通道冷却、相变冷却、射流冷却、浸没式冷却、热界面材料（TIM）、热分布不均的解决办法、多物理场耦合的研究等，为推进大尺寸、高算力Chiplet热管理的实际应用提供参考。 参考文献 | 相关文章 | 多维度评价 2024年第24卷第10期 pp. 100205 Select 晶上系统:设计、集成及应用 刘冠东;王伟豪;万智泉;段元星;张坤;李洁;戚定定;王传智;李顺斌;邓庆文;张汝云 DOI: 10.16257/j.cnki.1681-1070.2024.0091 摘要 （633）      PDF （3863KB）（401）    可视化    晶上系统（SoW）是近年来兴起的一种晶圆级超大规模集成技术。SoW是在整个晶圆上集成多个同构同质或异构异质的芯粒，并且芯粒相互连接组成具有协同工作能力的晶圆级系统，是后摩尔时代进一步提升系统性能的有效技术方案。总结了SoW技术近年来的主要研究进展，对系统架构、网络拓扑、仿真建模、供电和散热等关键技术进行了介绍，并对SoW技术的发展和应用前景进行了展望。 参考文献 | 相关文章 | 多维度评价 2024年第24卷第8期 pp. 080201 Select FinFET/GAAFET/CFET纳电子学的研究进展 赵正平 DOI: 10.16257/j.cnki.1681-1070.2024.0094 摘要 （568）      PDF （3676KB）（444）    可视化    集成电路延续摩尔定律的发展正在从鳍栅场效应晶体管（FinFET）纳电子学时代向原子水平上的埃米时代转变。综述了该转变阶段的三大创新发展热点，FinFET、环栅场效应晶体管（GAAFET）和互补场效应晶体管（CFET）纳电子学的发展历程和最新进展。在FinFET纳电子领域综述并分析了当今Si基CMOS集成电路的发展现状，包含覆盖了22 nm、14 nm、10 nm、7 nm和5 nm 5个发展代次的创新特点和3 nm技术节点的创新和应用。在GAAFET纳电子学领域综述并分析了各类GAAFET的结构创新，2 nm技术节点的关键技术突破，3 nm技术节点的多桥沟道场效应晶体管技术平台创新与应用，以及GAAFET有关工艺、器件结构、电路和材料等方面的创新。在CFET纳电子学领域综述并分析了CFET技术在器件模型、堆叠工艺、单胞电路设计和三维集成等方面的创新，展现出CFET超越2 nm技术节点的发展新态势。 参考文献 | 相关文章 | 多维度评价 2024年第24卷第8期 pp. 080401 Select 基于TSV的三维集成系统电热耦合仿真设计 王九如,朱智源 DOI: 10.16257/j.cnki.1681-1070.2024.0138 摘要 （535）      PDF （2107KB）（488）    可视化    三维集成系统利用垂直堆叠技术，实现高性能与低功耗，其中硅通孔（TSV）技术是三维互连成功实施的关键。TSV技术缩短互连距离，提升信号传输效率和电磁兼容性，但同时引发电热耦合问题，威胁三维集成电路性能的进一步提升。综述了基于TSV的三维集成电路中电热耦合现象的仿真设计进展，详细介绍了电气和热仿真设计方法，并探究了电热耦合问题的潜在影响及缓解策略。为理解和应对三维集成系统中的电热耦合挑战提供了系统的分析，并对未来研究方向提供了指导。 参考文献 | 相关文章 | 多维度评价 2024年第24卷第6期 pp. 060113 Select 集成电路异构集成封装技术进展 陈祎;岳琨;吕复强;姚大平 DOI: 10.16257/j.cnki.1681-1070.2024.0125 摘要 （525）      PDF （3136KB）（588）    可视化    随着集成电路临界尺寸不断微缩，摩尔定律的持续性受到了越来越大的挑战，这使得不同类型芯片的异构集成技术成为后摩尔时代至关重要的技术趋势。先进封装技术正在经历一场转型，其关注点逐渐从单一器件转向整体系统性能和成本。传统的芯片封装正朝着三维堆叠、多功能集成和混合异构集成的方向发展，以实现集成产品的高度集成、低功耗、微型化和高可靠性等优势。概述了芯片异构集成封装技术的发展轨迹和研究现状，并探讨了面临的技术挑战以及未来的发展趋势。 参考文献 | 相关文章 | 多维度评价 2024年第24卷第9期 pp. 090207 Select 倒装芯片的底部填充工艺研究 李圣贤,丁增千 DOI: 10.16257/j.cnki.1681-1070.2024.0085 摘要 （462）      PDF （1443KB）（286）    可视化    倒装芯片技术被广泛应用于先进封装技术领域，可以有效解决芯片与基板之间因应力不匹配产生的可靠性问题。底部填充工艺通过在芯片和基板的间隙填充有机胶，使得应力可以被重新分配，进而起到保护焊点的作用，提升封装可靠性。随着芯片不断向轻薄化方向发展，芯片尺寸的缩减和结构的精细化导致对填充材料的性能及封装可靠性的要求不断提高，底部填充工艺面临着更大的挑战。材料设计、工艺优化等措施是应对潜在挑战的有效方式。 参考文献 | 相关文章 | 多维度评价 2024年第24卷第7期 pp. 070208 Select 倒装芯片焊点缺陷无损检测技术 李可;朱逸;顾杰斐;赵新维;宿磊;MichaelPecht DOI: 10.16257/j.cnki.1681-1070.2024.0110 摘要 （431）      PDF （2101KB）（380）    可视化    倒装芯片技术因其高封装密度和高可靠性等优势，已成为微电子封装的主要发展方向。然而，随着倒装芯片焊点尺寸和间距迅速减小，焊点往往容易出现裂纹、空洞、缺球等微缺陷，严重影响芯片性能并导致芯片失效。因此，对倒装芯片进行缺陷检测以提高电子封装的可靠性至关重要。无损检测技术作为工业领域一种重要的缺陷检测手段，已被成功应用于检测焊点缺陷，常用方法包括光学检测、热红外检测、X射线检测、超声检测、振动检测等。分别阐述了以上无损检测方法的原理及其在焊点缺陷检测领域应用的主要成果，并总结了无损检测方法的优缺点。 参考文献 | 相关文章 | 多维度评价 2024年第24卷第9期 pp. 090204 Select 无助焊剂甲酸回流技术在铜柱凸点回流焊中的应用 刘冰 DOI: 10.16257/j.cnki.1681-1070.2024.0133 摘要 （400）      PDF （1723KB）（316）    可视化    摩尔定律放缓，先进制程逼近物理极限，先进封装朝连接密集化、堆叠多样化和功能系统化方向发展，这一趋势使得铜柱凸点互连可靠性更具挑战性。回流焊是形成铜柱凸点的关键工艺，回流后凸点质量对于互连可靠性至关重要。对传统助焊剂回流用于铜柱凸点回流焊的劣势进行了简要阐述，综述了甲酸回流技术用于铜柱凸点回流焊的可行性，重点从还原效果、焊料润湿性、清洁性方面进行评述。概述了甲酸回流技术的原理和工艺流程，总结了其相较于助焊剂回流技术在产品质量、成本等方面的优势，并介绍了当下处于研究阶段的2种新型无助焊剂回流技术，展望了回流技术的未来发展趋势。 参考文献 | 相关文章 | 多维度评价 2024年第24卷第10期 pp. 100401 Select 第三代半导体封装结构设计及可靠性评估技术研究进展* 郑佳宝, 李照天, 张晨如, 刘俐 DOI: 10.16257/j.cnki.1681-1070.2025.0053 摘要 （363）      PDF （4250KB）（432）    可视化    第三代半导体材料，如SiC和GaN，因其卓越的性能在电力电子领域展现出巨大潜力。为了充分发挥材料的优势，需要通过先进的封装技术来解决电气互连、机械支撑和散热等问题。围绕第三代半导体封装结构的研究进展，从降低寄生电参数、降低热阻、提高集成度3个发展方向分类总结近年来新型封装结构特点及优化效果。基于新型封装结构，总结了其面临的可靠性问题以及现行的可靠性测试标准和方法，探讨了存在的问题和不足，对第三代半导体封装技术的未来发展进行了展望。 参考文献 | 相关文章 | 多维度评价 2025年第25卷第3期 pp. 030104 Select 芯片焊盘加固提升Au-Al键合可靠性研究 王亚飞, 杨鲁东, 吴雷, 李宏 DOI: 10.16257/j.cnki.1681-1070.2024.0158 摘要 （361）      PDF （1888KB）（251）    可视化    在芯片铝焊盘的表面制备了Cu/Ni/Au凸块对芯片进行焊盘加固，通过焊盘结构的优化解决常规芯片铝焊盘在金丝键合时存在的工艺窗口小和金铝键合长期可靠性的问题。芯片进行焊盘加固后强度大幅度提升，有效避免了键合时击穿焊盘下介质层导致的短路问题。Ni层的存在有效避免了高温贮存时金属间化合物的生长导致的柯肯达尔空洞问题。通过试验证实了焊盘加固能大幅提高引线键合的工艺窗口，在300 ℃、24 h高温贮存试验中焊盘加固后的界面组织保持高度稳定。 参考文献 | 相关文章 | 多维度评价 2024年第24卷第11期 pp. 110203 Select 硅转接板制造与集成技术综述 徐成,樊嘉祺,张宏伟,王华,陈天放,刘丰满 DOI: 10.16257/j.cnki.1681-1070.2024.0119 摘要 （359）      PDF （3189KB）（322）    可视化    集成电路制程发展放缓，具有高密度、高集成度以及高速互连优势的先进封装技术成为提升芯片性能的关键。硅转接板可实现三维方向的最短互连以及芯片间的高速互连，是高算力和人工智能应用的主流封装技术。从硅转接板设计、制造以及2.5D/3D集成等方面，系统阐述了硅转接板技术的发展现状和技术难点，并对相关关键工艺技术进行详细介绍。 参考文献 | 相关文章 | 多维度评价 2024年第24卷第6期 pp. 060106 Select 芯粒集成工艺技术发展与挑战* 陈浪,杜建宇,汪琪,张盼,张驰,王玮 DOI: 10.16257/j.cnki.1681-1070.2024.0131 摘要 （350）      PDF （3695KB）（448）    可视化    万物感知、万物互连和万物智能推动集成电路进入新一轮的高速发展期并促进对高性能芯片需求的指数级增长。后摩尔时代，芯片性能的进一步提升面临大面积芯片良率降低、功耗控制难、片内互连密度大以及制造成本高等难题。因此业界开始将原来多功能、高集成度的复杂SoC芯片分割做成单独的芯粒（Chiplet），再通过先进封装工艺集成为集成芯片或微系统产品。对芯粒集成技术特征及模式、发展历史、优缺点进行了梳理与阐述，同时归纳总结了芯粒集成的关键技术挑战，并对未来发展进行了展望。 参考文献 | 相关文章 | 多维度评价 2024年第24卷第10期 pp. 100203 Select 基于RISC-V和可重构智能加速核的异构SoC系统设计* 权良华, 王艺霖, 黎思越, 李世平, 陈铠, 邓松峰, 何国强, 冯书谊, 傅玉祥, 李丽 DOI: 10.16257/j.cnki.1681-1070.2024.0121 摘要 （342）      PDF （1941KB）（223）    可视化    提出了可重构智能加速核架构，并设计了可重构激活函数乘累加单元（ACT-MAC），旨在提高低功耗约束下的运算资源利用率。加速核基于ACT-MAC设计了可重构计算阵列，支持卷积、池化、长短期记忆网络（LSTM）及激活函数等算法的硬件加速。加速核采用乒乓流水线设计，优化了存储分配，显著提升了数据处理效率。该加速核通过协处理器指令拓展（NICE）接口与开源RISC-V处理器集成，形成了完整的片上系统（SoC）。该设计在Nexys Video可编程逻辑门阵列（FPGA）中实现了芯片原型，并在其上部署了LeNet、VGG16和LSTM网络，展示了该SoC芯片原型在图像分类和语义识别等领域的应用潜力。与最近的工作相比，该设计在提升了数字信号处理（DSP）效率并维持了高能效比的同时，支持多种人工智能算法的硬件加速，展现了在嵌入式应用场景中的广阔应用前景。 参考文献 | 相关文章 | 多维度评价 2024年第24卷第9期 pp. 090301 Select 无凸点混合键合三维集成技术研究进展* 戚晓芸,马岩,杜玉,王晨曦 DOI: 10.16257/j.cnki.1681-1070.2024.0079 摘要 （331）      PDF （3109KB）（552）    可视化    数字经济时代，高密度、低延迟、多功能的芯片是推动人工智能、大模型训练、物联网等高算力需求与应用落地的基石。引线键合以及钎料凸点的倒装焊存在大寄生电容、高功耗、大尺寸等问题，使传统封装难以满足窄节距、低功耗、小尺寸的应用场景。无凸点混合键合技术能够实现极窄节距的互连，在有效避免倒装焊凸点之间桥连短路的同时降低了寄生电容，减小了封装尺寸和功耗，满足了高性能计算对高带宽、多功能的要求。对无凸点混合键合技术所采用的材料、键合工艺与方法以及在三维集成中的应用展开了介绍，并对其发展趋势进行了展望。 参考文献 | 相关文章 | 多维度评价 2024年第24卷第6期 pp. 060114 Select 集成电路互连微纳米尺度硅通孔技术进展* 黎科,张鑫硕,夏启飞,钟毅,于大全 DOI: 10.16257/j.cnki.1681-1070.2024.0144 摘要 （311）      PDF （2893KB）（579）    可视化    集成电路互连微纳米尺度硅通孔（TSV）技术已成为推动芯片在“后摩尔时代”持续向高算力发展的关键。通过引入微纳米尺度高深宽比TSV结构，2.5D/3D集成技术得以实现更高密度、更高性能的三维互连。同时，采用纳米TSV技术实现集成电路背面供电，可有效解决当前信号网络与供电网络之间布线资源冲突的瓶颈问题，提高供电效率和整体性能。随着材料工艺和设备技术的不断创新，微纳米尺度TSV技术在一些领域取得了显著进展，为未来高性能、低功耗集成电路的发展提供了重要支持。综述了目前业界主流的微纳米尺度TSV技术，并对其结构特点和关键技术进行了分析和总结，同时探讨了TSV技术的发展趋势及挑战。 参考文献 | 相关文章 | 多维度评价 2024年第24卷第6期 pp. 060111 Select 金丝球键合第二焊点的加固工艺与可靠性研究 骞涤 DOI: 10.16257/j.cnki.1681-1070.2024.0130 摘要 （303）      PDF （1523KB）（273）    可视化    在厚膜电路中，金丝球键合的第二焊点键合区通常由厚膜金层、铝过渡片、镀镍引线组成。键合区材料的粗糙度、缺陷尺寸及硬度等方面存在差异，对键合设备的输出精度、劈刀形貌和键合参数提出了更高要求。第二焊点采用楔形鱼尾焊工艺，容易存在脱焊、拉力强度不足的问题。因此，采用键合球在焊线上（BBOS）、补短线等工艺加固第二焊点。通过静力学分析、随机振动分析等有限元仿真方法，结合可靠性实验对不同工艺条件下的第二焊点进行分析对比，结果表明，BBOS工艺是最优选择。 参考文献 | 相关文章 | 多维度评价 2024年第24卷第10期 pp. 100202 Select 硅通孔3D互连热-力可靠性的研究与展望* 吴鲁超,陆宇青,王珺 DOI: 10.16257/j.cnki.1681-1070.2024.0104 摘要 （300）      PDF （3852KB）（496）    可视化    硅通孔（TSV）技术是3D集成封装中用于实现高密度、高性能互连的关键技术，TSV的热-力可靠性对3D集成封装的性能和寿命有直接影响。从TSV的制造工艺、结构布局、材料可靠性以及评估方法等多个方面对TSV 3D互连的热-力可靠性进行研究，对其研究方法和研究现状进行总结和阐述。此外，针对TSV尺寸减小至纳米级的发展趋势，探讨了纳米级TSV在应用于先进芯片背部供电及更高密度的芯片集成时所面临的可靠性挑战。 参考文献 | 相关文章 | 多维度评价 2024年第24卷第6期 pp. 060103 Select 面向大算力应用的芯粒集成技术 王成迁,汤文学,戴飞虎,丁荣峥,于大全 DOI: 10.16257/j.cnki.1681-1070.2024.0107 摘要 （298）      PDF （1238KB）（374）    可视化    随着先进制程接近物理极限，摩尔定律已无法满足人工智能大算力需求。芯粒技术被公认为延续摩尔定律，提升芯片算力的最有效途径。针对芯粒技术研究热点，从集成芯片的应用与发展、典型芯粒封装技术、芯粒技术的挑战和机遇方面进行了系统性的梳理。详细列举了当前芯粒技术的应用成果，对比分析了2.5D、3D堆栈以及3D FO封装技术特点。 参考文献 | 相关文章 | 多维度评价 2024年第24卷第6期 pp. 060105 Select 基于FOPLP工艺多I/O芯片封装的可靠性研究及优化* 江京,刘建辉,陶都,宋关强,李俞虹,钟仕杰 DOI: 10.16257/j.cnki.1681-1070.2025.0022 摘要 （298）      PDF （1834KB）（418）    可视化    随着封装工艺的进步，扇出型板级封装（FOPLP）工艺因其具有高集成度、低成本、更好的性能和更广泛的应用领域等优势而备受关注。针对基于FOPLP工艺封装的多I/O芯片产品可靠性开展了系统研究。探索和分析了产品在偏压高加速温湿度应力测试（BHAST）中的漏电问题，根据失效分析结果，将重点聚焦于爬胶高度和产品应力。同时，通过试验设计（DOE）验证了改善产品的银胶量和固定加工参数。针对多I/O芯片应力问题，采用仿真模拟优化应力分布，产品成功通过BHAST可靠性测试，满足130 ℃、85 %RH条件下连续工作264 h的BHAST可靠性要求，对提升多I/O类产品整体性能和市场竞争力具有重要意义。 参考文献 | 相关文章 | 多维度评价 2025年第25卷第2期 pp. 020202 Select 功率器件封装用纳米铜焊膏及其烧结技术研究进展* 王秀琦,李一凡,罗子康,陆大世,计红军 DOI: 10.16257/j.cnki.1681-1070.2025.0046 摘要 （297）      PDF （3705KB）（341）    可视化    以第三代半导体为核心的功率电子器件向高功率密度、高结温方向的发展对封装互连材料、工艺及服役条件下的可靠性都提出了严苛的挑战。纳米铜(Cu)焊膏具有低成本、抗电迁移、优异的导电导热性能和“低温烧结、高温服役”特性，是1种极具工业化潜力的功率器件封装候选材料，受到广大研究者的密切关注。然而，相比于纳米银(Ag)焊膏，纳米铜焊膏的稳定性(易氧化)和低温烧结性能仍有较大的差距。根据试验结果，从烧结机理、烧结工艺、性能表现以及纳米铜烧结接头的服役可靠性等方面，系统阐述了纳米铜焊膏烧结技术的最新进展。此外，针对目前纳米铜烧结技术的不足，对后续的发展方向和研究前景进行了展望。 参考文献 | 相关文章 | 多维度评价 2025年第25卷第3期 pp. 030101 Select 基于Chiplet的三维集成计算与存储架构* 单光宝;凡翔;郑彦文;曹会华 DOI: 10.16257/j.cnki.1681-1070.2024.0112 摘要 （292）      PDF （2730KB）（315）    可视化    5G通信、人工智能、物联网技术的蓬勃发展对计算与存储系统架构提出了更高需求。传统二维计算与存储架构无法满足当下计算密集型应用对延时、带宽和能效的需求。基于Chiplet的三维集成架构可以有效解决传统二维计算与存储系统性能优化面临的诸多瓶颈。回顾了基于Chiplet的计算与存储架构，介绍了单片多核、异构多核及基于Chiplet的三维集成架构，概述了基于Chiplet的主流存储架构与新兴的存算一体架构，并对计算架构与存储架构分别进行了比较与讨论。给出了基于Chiplet的三维集成计算与存储架构设计面临的挑战和未来发展方向。 参考文献 | 相关文章 | 多维度评价 2024年第24卷第9期 pp. 090201 Select 基于机器学习的芯片老化状态估计算法研究 宋国栋, 邵家康, 陈诚 DOI: 10.16257/j.cnki.1681-1070.2024.0176 摘要 （288）      PDF （1782KB）（287）    可视化    随着芯片的集成度越来越高，其晶体管数量也越来越多，老化速度加快。由于工业应用、装备系统等领域对芯片可靠性的要求较高，因此研究估计芯片老化的方法至关重要。总结现有的芯片老化估计和预警的技术方法，将机器学习算法应用于芯片老化状态估计，实验结果表明，极端梯度提升树算法的效果较好。对现有的极端梯度提升树算法进行贝叶斯优化，寻找模型的最优参数，使用优化后的算法估计的状态值与真实值的均方误差比优化前降低了0.13~0.25，优化后的模型预测结果较为精准。 参考文献 | 相关文章 | 多维度评价 2024年第24卷第11期 pp. 110101 Select 功率器件封装纳米浆料材料与低温烧结工艺及机理研究进展* 王一平,于铭涵,王润泽,佟子睿,冯佳运,田艳红 DOI: 10.16257/j.cnki.1681-1070.2025.0058 摘要 （286）      PDF （4537KB）（394）    可视化    随着电力电子器件材料的发展，第三代宽禁带半导体（如SiC和GaN）因其优越的性能而成为功率器件的理想材料。然而，面对大功率和高温应用的挑战，传统的锡基封装材料已经难以满足需求，为此，研究者们开始关注可以低温烧结、高温服役的纳米烧结浆料。这些微米、纳米级的铜、银等浆料可以在远低于金属熔点的温度下烧结成具备高熔点、高导热、高性能的焊点结构。从烧结材料、烧结工艺、烧结机理3个方面讨论了近年来用于功率器件封装的烧结浆料的研究进展，具体包括纳米银、纳米铜、铜银复合和其他纳米级烧结材料，以及它们适配的热压烧结、无压烧结、薄膜烧结等工艺，为烧结浆料的进一步发展提供参考。 参考文献 | 相关文章 | 多维度评价 2025年第25卷第3期 pp. 030106 Select 2.5D TSV转接板无损检测方法的研究 张旋,李海娟,吴道伟,张雷 DOI: 10.16257/j.cnki.1681-1070.2024.0105 摘要 （278）      PDF （1780KB）（340）    可视化    利用以硅通孔（TSV）为核心技术的硅转接板封装3D集成电路，可以有效缩短器件的互连长度。TSV转接板在微电子领域被广泛应用，但对其工艺制备过程中的检测技术研究相对较少。TSV转接板的检测对评估其良率与应用可靠性至关重要。因此，总结了7种非破坏性检测技术，探讨了无损检测技术的基本原理和优缺点，形成了1种系统的2.5D TSV转接板无损检测的评价方法。该方法不仅为2.5D微模组产品的研制与开发提供了支撑，还满足了3D封装的典型应用需求。 参考文献 | 相关文章 | 多维度评价 2024年第24卷第6期 pp. 060102 Select 面向Chiplet集成的三维互连硅桥技术* 赵瑾,于大全,秦飞 DOI: 10.16257/j.cnki.1681-1070.2024.0102 摘要 （277）      PDF （2740KB）（517）    可视化    摩尔定律的发展速度放缓和集成电路产品应用的多元化趋势，共同推动了先进封装技术的快速发展。先进互连技术是先进封装的核心，在高速、高频传输、功耗、超细节距互连以及系统集成能力等方面均展现出显著优势。硅桥技术作为Chiplet以及异构集成封装的重要解决方案，可以以较低的成本实现多芯片间的局部高密度互连，在处理器、存储器、射频器件中被广泛应用。介绍了业界主流的硅桥技术，并对硅桥技术的结构特点和关键技术进行了分析和总结。深入讨论了硅桥技术的发展趋势及挑战，为相关领域的进一步发展提供参考。 参考文献 | 相关文章 | 多维度评价 2024年第24卷第6期 pp. 060101 Select GaN P沟道功率器件及集成电路研究进展* 朱霞, 王霄, 王文倩, 李杨, 李秋璇, 闫大为, 刘璋成, 陈治伟, 敖金平 DOI: 10.16257/j.cnki.1681-1070.2024.0152 摘要 （273）      PDF （2554KB）（264）    可视化    GaN功率器件具有导通电阻小、开关速度快、击穿电压高等特点，已广泛应用于高频、高功率的电力电子转换器中。为充分发挥GaN器件的性能优势，将功率电子器件和控制器、驱动等外围电路进行全GaN单片集成是最小化寄生参数的有效手段，也是GaN功率集成电路的重要发展方向。着眼于利用二维空穴气（2DHG）的GaN基P型器件的发展进程，论述了P型器件面临的技术难题，进一步分析了其对于GaN互补逻辑电路集成发展的重要性，讨论了相关的GaN集成工艺平台，对器件结构及制备工艺的创新、GaN集成技术面临的相关挑战进行了分析与展望。 参考文献 | 相关文章 | 多维度评价 2024年第24卷第11期 pp. 110401 Select 功率模块封装用环氧树脂改性技术应用进展* 曹凤雷,贾强,王乙舒,刘若晨,郭褔 DOI: 10.16257/j.cnki.1681-1070.2025.0056 摘要 （271）      PDF （3898KB）（445）    可视化    环氧树脂因其优异的电气绝缘性、机械强度和耐高温性能，是功率模块封装材料的首选。然而，功率模块的集成度提升和服役环境的严苛化对环氧树脂的性能要求不断提高。对环氧树脂的分类、改性及其在功率模块封装中的应用进行总结，并指出了环氧树脂面临的挑战和未来发展方向。改性后的环氧树脂可以提升功率模块封装的热管理能力、绝缘性能、耐腐蚀性和抗翘曲能力等。未来的研究方向包括耐高温封装材料的开发、环保和多功能环氧树脂的探索，以及新材料和新工艺的结合。 参考文献 | 相关文章 | 多维度评价 2025年第25卷第3期 pp. 030105 Select “第三代半导体功率电子封装技术”专题前言 田艳红 摘要 （267）      PDF （382KB）（219）    可视化    相关文章 | 多维度评价 2025年第25卷第3期 pp. 030100 Select 镀银板表面粗糙度对纳米银焊膏快速烧结互连质量的影响 李志豪,汪松英,洪少健,孙啸寒,曾世堂,杜昆 DOI: 10.16257/j.cnki.1681-1070.2024.0076 摘要 （266）      PDF （1853KB）（222）    可视化    通过施加15 MPa的压力，在265 ℃空气气氛下使用预制完成的镀银板表面印刷纳米银焊膏组装的三明治结构制备烧结银连接层。研究了3种铜镀银板表面粗糙度对烧结银连接界面结合强度的影响。研究结果表明，烧结时间为8 min、镀银板算术平均表面粗糙度为1.630 μm、最大粗糙度深度为12.030 μm时，可以有效促使烧结银连接层与基板表面形成高强度的冶金连接和机械联锁，最终获得了61.09 MPa的高剪切强度，表明烧结银层与烧结界面的结合强度得到了较大提升。研究结果可为选择合适的基板粗糙度提供实验依据，从而获得高强度、高可靠性的低温快速烧结银互连接头。 参考文献 | 相关文章 | 多维度评价 2024年第24卷第7期 pp. 070201 Select 内嵌Flash存储器可靠性评估方法的分析及应用 周焕富,刘伟,周成 DOI: 10.16257/j.cnki.1681-1070.2024.0083 摘要 （266）      PDF （1348KB）（92）    可视化    介绍了存储器分类及Flash存储器的基本结构，分析了非易失性存储器（NVM）可靠性试验标准的特点。从试验项目、试验条件、样品数量和数据图形等方面比较了JEDEC和AEC发布的NVM可靠性试验的标准和方法。以2款存储容量分别为64 kB和128 kB的MCU芯片为试验对象，依据JEDEC和AEC发布的试验标准和方法，设计了针对MCU芯片内嵌Flash存储器可靠性的评估试验，为Flash存储器的设计和验证工作提供参考。 参考文献 | 相关文章 | 多维度评价 2024年第24卷第7期 pp. 070207 Select 提升先进封装可靠性的布线优化方法 刘乐, 王凤娟, 尹湘坤 DOI: 10.16257/j.cnki.1681-1070.2024.0180 摘要 （253）      PDF （509KB）（317）    可视化    相关文章 | 多维度评价 2024年第24卷第12期 pp. 120601 Select 硅通孔三维互连与集成技术 马书英, 付东之, 刘轶, 仲晓羽, 赵艳娇, 陈富军, 段光雄, 边智芸 DOI: 10.16257/j.cnki.1681-1070.2024.0136 摘要 （243）      PDF （3906KB）（391）    可视化    随着电子技术的高速发展，更高密度、更小型化、更高集成化以及更高性能的封装需求给半导体制造业提出了新的挑战。在物理极限下，芯片的功能密度已达到二维封装技术的极限，不能再通过减小线宽来满足高性能、低功耗和高信号传输速度的要求；同时，开发先进节点技术的时间和成本很难控制，该技术的成熟需要相当长的时间。摩尔定律已经变得不可持续。为了延续和超越摩尔定律，芯片立体堆叠式的三维硅通孔(TSV)技术现如今成为人们关注的焦点。综述了TSV结构及其制造工艺，并对业内典型的TSV应用技术进行了分析和总结。 参考文献 | 相关文章 | 多维度评价 2024年第24卷第6期 pp. 060109 Select 大腔体陶瓷封装中平行缝焊的密封可靠性设计 丁荣峥,田爽,肖汉武 DOI: 10.16257/j.cnki.1681-1070.2024.0126 摘要 （239）      PDF （2117KB）（317）    可视化    随着平行缝焊腔体尺寸的增大，尤其在中温共烧陶瓷封装和薄型高温共烧陶瓷封装中，常常存在平行缝焊的密封成品率相对较低和气密性可靠性相对较差的问题。通过分析氧化铝陶瓷封装的密封失效原因，提出优化平行缝焊可伐焊框和盖板的结构设计来提升密封可靠性。以采用FC-CPGA570封装形式的某型DSP电路为例进行仿真和验证，通过降低钎焊残余热应力、增加缓冲结构、采用盖板轻量化设计，实现了很好的密封成品率及好的密封可靠性，为同类产品乃至低温共烧陶瓷封装的气密性设计、可靠性提升提供参考。 参考文献 | 相关文章 | 多维度评价 2024年第24卷第10期 pp. 100201 Select GaN HEMT器件表面钝化研究进展* 陈兴, 党睿, 李永军, 陈大正 DOI: 10.16257/j.cnki.1681-1070.2024.0168 摘要 （239）      PDF （1867KB）（308）    可视化    作为第三代半导体材料之一，GaN凭借其优异的材料特性，如较高的击穿场强、较高的电子迁移率以及较好的热导率等，在制备高频、高功率及高击穿电压的AlGaN/GaN HEMT器件方面得到广泛应用。然而，目前电流崩塌、栅泄漏电流、频率色散等一系列可靠性问题制约着AlGaN/GaN HEMT器件的大规模应用。表面钝化被认为是改善这些问题最有效的方法之一。对电流崩塌、界面态等的测试表征方法等进行了总结，综述了目前GaN表面钝化的研究进展。 参考文献 | 相关文章 | 多维度评价 2024年第24卷第12期 pp. 120401 Select 基于硅通孔互连的芯粒集成技术研究进展 张爱兵, 李洋, 姚昕, 李轶楠, 梁梦楠 DOI: 10.16257/j.cnki.1681-1070.2024.0124 摘要 （231）      PDF （4178KB）（395）    可视化    通过先进封装技术实现具有不同功能、工艺节点的异构芯粒的多功能、高密度、小型化集成是延续摩尔定律的有效方案之一。在各类的先进封装解决方案中，通过硅通孔（TSV）技术实现2.5D/3D封装集成，可以获得诸多性能优势，如极小的产品尺寸、极短的互连路径、极佳的产品性能等。对TSV技术的应用分类进行介绍，总结并分析了目前业内典型的基于TSV互连的先进集成技术，介绍其工艺流程和工艺难点，对该类先进封装技术的发展趋势进行展望。 参考文献 | 相关文章 | 多维度评价 2024年第24卷第6期 pp. 060110 Select SiP的模块化发展趋势 William Koh DOI: 10.16257/j.cnki.1681-1070.2024.0075 摘要 （231）      PDF （2206KB）（227）    可视化    系统级封装（SiP）技术已广泛应用于移动设备、可穿戴设备、健康和医疗设备、人工智能（AI）、物联网（IoT）和汽车电子。SiP采用异构集成的方式，将各种芯片和元件集成到一个封装中，以实现特定功能，并具有节省电路板空间、简化布局设计和降低制造成本等优势。随着电子组件的小型化发展方向不断持续，一些SiP已经发展成为模块或系统级模块（SiM），可以直接连接并安装到器件中。回顾了SiP从多芯片模块（MCM）、多芯片封装（MCP）到高级芯粒封装和共封装光学器件（CPO）的演变。未来几年，更多的SiP将变成SiM，直接连接器件或系统。 参考文献 | 相关文章 | 多维度评价 2024年第24卷第7期 pp. 070204 Select 基于Xilinx Virtex-7系列FPGA器件配置存储空间PUF可行性探索 郭俊杰;王婧;谢达 DOI: 10.16257/j.cnki.1681-1070.2024.0123 摘要 （226）      PDF （2350KB）（79）    可视化    在静态随机存取存储器（SRAM）型现场可编程门阵列（FPGA）电路中，当电源启动并进行初始化时，SRAM单元通常会经历一个全面复位的过程。复位过程会导致SRAM单元内部的电荷分布形成一种特有的模式。提出了一种新的方法，利用配置内存中尚未使用的部分来识别电路，对8个Xilinx Virtex-7 FPGA进行总计200 000次的测量，评估了这种方法在同一电路中的一致性和在不同电路之间的差异性，以及随温度变化时和随时间老化后的稳定性。研究结果显示，SRAM物理不可克隆函数（PUF）能够有效地区分不同的FPGA电路。 参考文献 | 相关文章 | 多维度评价 2024年第24卷第9期 pp. 090303 Select 面向高密度数字SiP应用的封装工艺研究 柴昭尔, 卢会湘, 徐亚新, 李攀峰, 王杰, 田玉, 王康, 韩威, 尹学全 DOI: 10.16257/j.cnki.1681-1070.2025.0010 摘要 （223）      PDF （1156KB）（180）    可视化    面向高密度数字系统级封装（SiP）应用，采用多芯片一体化封装技术，在系统内部集成了数字信号处理器（DSP）以及外围的DDR3、SPI Flash、Nor Flash、Nand Flash、低压差稳压器（LDO）等多颗芯片，并基于高密度陶瓷封装基板及表面多层薄膜工艺实现了各芯片之间的高速互连。此外，利用无硅通孔转接板工艺完成了DDR芯片从引线键合到倒装的封装形式的重构，在保证传输距离的同时也保证了芯片封装尺寸的最小化。在35 mm×40 mm的封装尺寸内实现了一个具备数字信号处理功能的最小系统。所涉及到的技术为通用基础技术，可广泛应用于其他高密度封装产品中。 参考文献 | 相关文章 | 多维度评价 2025年第25卷第1期 pp. 010204 Select 厚膜印刷陶瓷基板的版内电阻一致性改进 焦峰;邹欣;陈明祥 DOI: 10.16257/j.cnki.1681-1070.2024.0114 摘要 （221）      PDF （1672KB）（141）    可视化    使用丝网印刷工艺生产厚膜印刷陶瓷基板时，经常会出现版内不同区域印刷电阻不一致的问题。通过对丝网印刷过程中的网版张力、回弹力以及刮刀下压力的综合分析，得出印刷在承印物上的浆料量与网版张力、回弹力及下压力的合力成正相关的关系，进而分析得到刮刀印刷方向对于线型电阻的印刷有较大影响。经实验验证，相较于传统的刮刀平行于线型电阻长度方向印刷，当刮刀垂直于线型电阻长度方向进行印刷时，版内电阻漂移率从11.24%缩窄至4.46%，产品印刷电阻一致性得到较大程度的改善，可满足产品公差上下限要求，避免了昂贵的激光修阻工艺，节约了成本。通过实验证明对于复杂图形，线条取向与刮刀印刷方向的相互关系对浆料分布的均匀性有明显影响，复杂图形也验证了该结论的普适性。 参考文献 | 相关文章 | 多维度评价 2024年第24卷第9期 pp. 090402 Select 三维集成电路先进封装中聚合物基材料的研究进展* 范泽域, 王方成, 刘强, 黄明起, 叶振文, 张国平, 孙蓉 DOI: 10.16257/j.cnki.1681-1070.2024.0149 摘要 （221）      PDF （3158KB）（335）    可视化    人工智能、大数据、物联网和可穿戴设备的迅猛发展，极大地催生了对高端芯片的需求。随着摩尔定律发展趋缓，尺寸微缩技术使芯片遭遇了物理节点失效、经济学定律失效，以及性能、功耗、面积指标不足等诸多问题。作为延续和拓展摩尔定律的重要赛道，三维先进封装技术已成为推动高端芯片向多功能化以及产品多元化集聚发展的重要动力。先进封装技术的迅猛发展对聚合物基关键封装材料的耐腐蚀性、电气、化学和机械性能都提出了更高的要求。针对三维集成电路的先进封装工艺需求，论述了不同聚合物基关键材料的研究进展及应用现状，明晰了不同聚合物基材料所面临的挑战和机遇，提出了相应的解决方案，并展望了未来的研究方向。 参考文献 | 相关文章 | 多维度评价 2024年第24卷第6期 pp. 060107 Select 集成硅基转接板的PDN供电分析 何慧敏, 廖成意, 刘丰满, 戴风伟, 曹睿 DOI: 10.16257/j.cnki.1681-1070.2024.0145 摘要 （220）      PDF （2862KB）（273）    可视化    集成硅转接板的2.5D/3D封装是实现Chiplet技术的重要封装方案。总结了传统电源分配网络（PDN）的供电机理，分析了先进封装下PDN存在的直流压降过大、路径电阻大等电源完整性问题，介绍了针对硅基转接板上PDN的等效电路建模方法，重点概述了2.5D/3D封装下PDN的建模与优化。通过将整块的大尺寸硅桥拆分为多个小硅桥、硅桥集成硅通孔（TSV）、增加TSV数量等方式减少电源噪声。最后，对比采用不同集成方案的DC-DC电源管理模块的PDN性能，结果表明，片上集成方案在交流阻抗、电源噪声以及直流压降等指标上都优于传统的基板集成方案，是3D Chiplet中具有潜力的供电方案。 参考文献 | 相关文章 | 多维度评价 2024年第24卷第6期 pp. 060108 Select 一种应用于高精度ADC的可编程增益放大器的设计 王思远,梁思思,李琨,叶明远 DOI: 10.16257/j.cnki.1681-1070.2024.0141 摘要 （213）      PDF （1299KB）（123）    可视化    设计了一种应用于高精度ADC的可编程增益放大器（PGA）。整体环路采用可调节的反馈电阻来调节增益，同时适配可调节的反馈电容来稳定环路工作带宽。内部核心运放采用折叠共源共栅级加轨对轨共源级的两级全差分结构，其输入管采用PMOS管来降低噪声，同时使用输入尾电流监控和增益提高技术来提高环路的精度。仿真结果表明，该PGA对3种不同输入幅度的信号处理后，3 dB带宽稳定在13 kHz附近，信噪比均在100 dB以上，符合高精度ADC对前端信号处理的需求。 参考文献 | 相关文章 | 多维度评价 2024年第24卷第10期 pp. 100305 Select Cu/SAC305/Cu焊点界面Ag和Sn扩散差异性研究* 黄哲;郑耀庭;姚尧 DOI: 10.16257/j.cnki.1681-1070.2024.0117 摘要 （207）      PDF （2300KB）（248）    可视化    电子元器件不断向小型化发展，电流密度也随之增大，因此焊点中的电迁移问题日益严重。电迁移现象的本质是元素扩散，为解决该问题并提升焊点的可靠性，必须深入研究焊点中的元素扩散过程。焊点通电时伴随着焦耳热，因此需综合考虑电效应和热效应。为解耦电迁移过程中的电流效应和热效应，分别进行了电流密度为1.04×104A/cm2、温度为120 ℃的通电测试以及120 ℃下的热扩散测试。实验结果显示，两种条件下Cu基体内Ag和Sn扩散行为存在差异，并且观察到了Cu6Sn5金属间化合物（IMC）。从化学亲和力的角度计算发现，Cu-Sn的化学亲和力约为Cu-Ag的4倍，这表明Cu-Sn间更容易发生化学反应，从而阻碍Sn在Cu基体中的扩散。最后，通过分子动力学模拟得出，DAg/DSn比值为2.788~7.386。 参考文献 | 相关文章 | 多维度评价 2024年第24卷第9期 pp. 090205 Select 国产G200型LTCC生瓷带应用研究 兰耀海;吕洋;王飞;沐方清;张鹏飞 DOI: 10.16257/j.cnki.1681-1070.2024.0108 摘要 （205）      PDF （1007KB）（145）    可视化    为了推动低温共烧陶瓷（LTCC）生瓷带的国产化进程，同时系统深入地研究国产LTCC生瓷带的工艺加工性能和工程化应用，以进口LTCC浆料和自主研发的G200型LTCC生瓷带为研究对象，采用LTCC工艺制作测试基板，设计一系列应用验证实验方案，测试并研究G200型LTCC生瓷带的印刷精度、尺寸稳定性、烧结收缩率以及浆料共烧匹配性等关键性能。通过优化生瓷带的预热工艺、导体印刷等工艺参数，选择合适的基板放大系数及基板层数，使制作的LTCC基板产品达到实际应用要求。 参考文献 | 相关文章 | 多维度评价 2024年第24卷第9期 pp. 090202 Select 不同设备水汽含量检测比对分析 杨迪;李灿 DOI: 10.16257/j.cnki.1681-1070.2024.0111 摘要 （205）      PDF （815KB）（166）    可视化    介绍了2023年国内9家检测机构对空封陶瓷封装内部水汽含量检测的比对情况。水汽含量检测是反馈电子元器件封装工艺的重要手段，依据GJB548C—2021《微电子器件试验方法和程序》中的方法，通过质谱原理得到以10－6为单位的水汽含量值。近些年，国内检测机构所使用的水汽含量检测设备处于新旧型号的更新迭代中，通过此次的比对数据来识别不同设备对封装内部水汽含量接近检测极限值时的检测差异程度，了解设备的性能状态，以提高机构间检测数据的互认度。制定了检测比对的详细方案，比对结果具有指导性。 参考文献 | 相关文章 | 多维度评价 2024年第24卷第9期 pp. 090203 Select TSV电镀过程中Cu生长机理的数值模拟研究进展* 许增光, 李哲, 钟诚, 刘志权 DOI: 10.16257/j.cnki.1681-1070.2024.0109 摘要 （204）      PDF （1751KB）（299）    可视化    近年来，电子信息行业的快速发展推动了封装技术的进步，对小型化、轻薄化、高性能和多功能化的电子设备提出了更高要求。硅通孔（TSV）技术是一种重要的先进封装技术，电沉积铜是其关键步骤之一。综述了TSV电镀过程中Cu生长的机理及数值模拟研究进展。TSV的深孔特性导致Cu生长过程中电流密度分布不均匀，从而产生不同的生长模式。有机添加剂在调节电流密度和防止缺陷填充方面发挥了关键作用。随着计算机技术的发展，数值模拟成为研究TSV电镀铜的重要手段，可降低实验成本，优化工艺参数。对TSV电镀铜的数值模拟发展进行了展望，强调了耦合影响因素的综合模拟是未来研究的重点。 参考文献 | 相关文章 | 多维度评价 2024年第24卷第6期 pp. 060104 Select 金铝键合界面行为分析与寿命模型研究 张浩，周伟洁，李靖 DOI: 10.16257/j.cnki.1681-1070.2025.0002 摘要 （203）      PDF （1600KB）（290）    可视化    随着电子封装技术的飞速发展，金铝键合工艺作为一种重要的金属间连接方式，在电子器件的制造过程中得到了广泛的应用。然而，在高温环境下，金铝键合界面的寿命会出现退化现象，直接影响整个电子系统的稳定性和寿命。设计不同温度下的高温加速寿命试验，对比分析不同时间条件下的金铝键合界面行为，研究金铝键合焊点的机械性能退化规律。同时，利用Arrhenius模型构建了金铝键合焊点的特征寿命与绝对温度的寿命应力模型，并根据寿命应力模型分别预测了焊点在非工作状态与工作状态下的特征寿命。 参考文献 | 相关文章 | 多维度评价 2025年第25卷第1期 pp. 010201 Select 导电胶加速寿命模型评价方法研究 文科;谭骁洪;邢宗锋;罗俊;余航 DOI: 10.16257/j.cnki.1681-1070.2024.0113 摘要 （200）      PDF （813KB）（209）    可视化    简要介绍了导电胶的失效模式和机理，设计加速寿命试验对导电胶工艺可靠性开展研究，选取导电胶工艺中的关键参数进行正交试验，确定温度应力作为导电胶贴装失效的加速应力。采用定时截尾方法进行试验，利用Arrhenius模型对试验结果进行分析，建立导电胶加速寿命可靠性评价模型，最终完成了对导电胶加速寿命可靠性模型的评价，为导电胶工艺在半导体集成电路中的应用和可靠性改进提供依据。 参考文献 | 相关文章 | 多维度评价 2024年第24卷第9期 pp. 090401 Select 硅通孔三维互连与集成技术”专题前言 摘要 （199）      PDF （964KB）（431）    可视化    相关文章 | 多维度评价 2024年第24卷第6期 pp. 060100 Select 基于晶圆级封装PDK的微带发夹型滤波器设计 孙莹;周立彦;王剑峰;许吉;明雪飞;王波 DOI: 10.16257/j.cnki.1681-1070.2024.0089 摘要 （196）      PDF （1320KB）（84）    可视化    基于中国电子科技集团公司第58研究所的晶圆级封装工艺及其工艺设计套件（PDK），完成了多款通带范围在20~68 GHz的5阶微带发夹型滤波器的设计和优化。首先，根据平行耦合滤波器的基础理论，计算发夹型滤波器的特征尺寸；其次，调用PDK中的衬底和元件模型实现滤波器的快速建模和参数优化；最后，采用多层再布线工艺对设计出的发夹型滤波器进行加工。实测结果和仿真结果具有较高的一致性，验证了该款晶圆级封装PDK的应用价值，能够为无源滤波器集成设计提供新的工具选择。 参考文献 | 相关文章 | 多维度评价 2024年第24卷第8期 pp. 080202 Select 基于SVR数据驱动模型的SiC功率器件关键互连结构热疲劳寿命预测研究* 于鹏举, 代岩伟, 秦飞 DOI: 10.16257/j.cnki.1681-1070.2024.0162 摘要 （196）      PDF （3767KB）（254）    可视化    烧结纳米银的互连可靠性对于SiC模块至关重要。随着人工智能与封装可靠性领域的交叉研究不断深入，发展基于数据驱动的互连可靠性评价方法已经成为该领域研究的前沿问题之一。以典型SiC互连结构为研究对象，将热疲劳寿命作为评价指标，通过综合研究芯片尺寸、烧结纳米银层尺寸和力学参数等关键因素，构建了基于支持向量回归（SVR）模型的烧结纳米银热疲劳寿命数据驱动预测模型，并对所提出的数据驱动模型进行综合量化考察和验证。通过研究关键互连参数的相关性矩阵，发现增加烧结银层厚度可以提高互连结构的寿命，而烧结银层弹性模量和SiC芯片厚度对互连可靠性有不利影响，该研究结果可用于指导SiC互连层的优化设计。 参考文献 | 相关文章 | 多维度评价 2024年第24卷第12期 pp. 120201 Select Sn57Bi0.1Sb钎料力学性能分析及Anand模型参数确定 杨浩，王小京，蔡珊珊 DOI: 10.16257/j.cnki.1681-1070.2024.0177 摘要 （195）      PDF （1102KB）（195）    可视化    分析了0.1Sb掺杂Sn57Bi钎料合金在不同温度（25、60、80、100、120 ℃）和应变速率（0.0001、0.001、0.005、0.01、0.05、0.1 s-1）下的单轴拉伸力学行为，实验结果表明，Sn57Bi0.1Sb钎料表现出显著的温度和应变速率相关性。随着温度的升高，抗拉强度降低，而随着应变速率的提高，抗拉强度提高。在高温条件下，材料的初始强化阶段延长，且整体的强度增长速率减缓。在实验数据的基础上，采用非线性数据拟合方法对Anand本构模型进行参数确定，提取了描述材料黏塑性行为的9个重要参数。Anand模型通过内变量有效地捕捉了材料在不同条件下的应力-应变响应，包括温度、应变速率、硬化/软化效应等多重影响因素。模型的准确性通过实验数据得以验证，所得参数可以为后续的有限元模拟与工程应用中的材料设计提供可靠的参考依据。 参考文献 | 相关文章 | 多维度评价 2024年第24卷第11期 pp. 110104 Select 键合参数对电镀金键合性能的影响* 王世春;沈若尧;任长友;张欣桐;武帅;邓川;王彤;郭可升;刘宏;郝志峰 DOI: 10.16257/j.cnki.1681-1070.2024.0120 摘要 （184）      PDF （961KB）（243）    可视化    采用超声波键合对由无氰电镀金和含氰电镀金制备的封装材料进行金丝键合测试，研究了键合工艺参数（超声功率、超声时间、键合压力）对键合性能的影响。结果表明，采用无氰电镀金液的底材材料硬度高，金丝焊球处发生失效的现象较多，而采用含氰电镀金液的底材材料硬度低，金丝焊球处发生失效的现象较少。对于低硬度的电镀金层，其焊球直径和键合高度都较低，有助于键合金丝和电镀金界面实现更好的融合。超声时间是影响键合性能的主要因素，当超声时间增加至300 ms，金丝焊球不再出现失效，有效解决了键合性能不良的问题。 参考文献 | 相关文章 | 多维度评价 2024年第24卷第9期 pp. 090206 Select 基于ATE与结构分析的RRAM芯片测试技术研究 奚留华,徐昊,张凯虹,武乾文,王一伟 DOI: 10.16257/j.cnki.1681-1070.2024.0082 摘要 （183）      PDF （1573KB）（102）    可视化    为了测试阻变存储器（RRAM）芯片，基于RRAM芯片的基本结构、接口定义、功能，分析并总结了其性能、工作模式和芯片时序。通过公式计算与实测技术相结合的方法，测定了RRAM芯片的容量。结果表明，基于结构分析的公式计算可依据RRAM存储单元的间距进而推导出RRAM芯片的容量。利用自动测试系统对RRAM芯片进行功能验证。同时，设计了1款RRAM芯片耐久性测试装置，全面评估了RRAM芯片的擦写性能。 参考文献 | 相关文章 | 多维度评价 2024年第24卷第7期 pp. 070206 Select 反熔丝FPGA器件应用失效分析 完文韬;郭永强;孙杰杰;隽扬 DOI: 10.16257/j.cnki.1681-1070.2024.0115 摘要 （182）      PDF （924KB）（133）    可视化    反熔丝器件具有低功耗、高可靠、抗辐照性能优良等特点，作为航天领域广泛使用的核心芯片，其失效机理尤为重要。针对某型反熔丝器件板级应用失效问题，列出故障树，对疑点逐一排查，配合后仿真波形，最终定位了故障原因，并进行了失效机理分析。故障发生原因与开发软件版本等因素相关，使用者往往不了解软件版本的更新细节，该因素通常不易被设计者重视。针对该失效问题提出了解决措施，选取样品重新进行烧写测试。经过实测验证，故障现象消失，改进措施有效。 参考文献 | 相关文章 | 多维度评价 2024年第24卷第9期 pp. 090501 Select 芯粒互连测试向量生成与测试方法研究 解维坤, 李羽晴, 殷誉嘉, 王厚军 DOI: 10.16257/j.cnki.1681-1070.2024.0175 摘要 （182）      PDF （1881KB）（159）    可视化    基于芯粒的2.5D和3D集成系统产品都具有大量的芯粒间互连，不可避免地会出现各种制造缺陷，互连测试对于提高2.5D和3D集成系统产品大规模生产过程中的质量和产量至关重要。在研究传统的I-ATPG和真/补测试算法等互连测试方法的基础上提出了一种新的代码字编码方法，只需要4个代码字即可对所有矩形网络和六角网络进行代码字编码。设计了一种基于IEEE1838标准的芯粒集成系统测试架构，给出了一种典型的双芯粒互连电路并进行了测试和仿真验证，系统性地介绍了芯粒间互连测试技术。 参考文献 | 相关文章 | 多维度评价 2024年第24卷第11期 pp. 110103 Select 大功率器件基板散热技术研究进展* 兰梦伟,姬峰,王成伟,孙浩洋,杜建宇,徐晋宏,王晶,张鹏哲,王明伟 DOI: 10.16257/j.cnki.1681-1070.2025.0091 摘要 （180）      PDF （4984KB）（247）    可视化    电子器件正朝着高性能和小型化方向发展，频率、功率和集成度不断提高，其内部大功率芯片产生的热量急剧增加，不仅影响器件工作效率和稳定性，还直接关系到整个系统的安全性和可靠性。大功率器件产生的热量主要依靠封装基板提供通道耗散，因此研究基板散热技术尤为重要。详细介绍了金属基板、陶瓷基板、复合材料基板等常规基板散热技术和微流道散热技术、相变散热技术、热电散热技术等新型基板散热技术的研究现状。其中，歧管微流道金刚石基板以及多种散热方式协同应用基板具备优异的冷却性能，有望大幅提高电子器件的功率和寿命。通过分析各种基板散热技术，期望为相关领域的研究和应用提供有价值的参考。 参考文献 | 相关文章 | 多维度评价 2025年第25卷第3期 pp. 030111 Select 大尺寸厚层硅外延片表面滑移线缺陷检验研究 葛华,王银海,杨帆,尤晓杰 DOI: 10.16257/j.cnki.1681-1070.2024.0073 摘要 （179）      PDF （2045KB）（147）    可视化    目前制约大尺寸厚层硅外延产品高质量生产的主要因素是表面滑移线，而滑移线的过程控制严重依赖于滑移线的完整、准确检验识别。通过对不同宏观显现的滑移线表征方法的研究，比较了各类检验的误差来源，分析出了影响硅外延滑移线量化计算的主要因素，制定了科学合理的检验策略，提高了批量生产过程中滑移线检验的准确性与稳定性，取得了显著成效。 参考文献 | 相关文章 | 多维度评价 2024年第24卷第7期 pp. 070403 Select GaN芯片封装技术研究进展与趋势* 宋海涛,王霄,龚平,朱霞,李杨,刘璋成,闫大为,陈治伟,尤杰,敖金平 DOI: 10.16257/j.cnki.1681-1070.2025.0104 摘要 （176）      PDF （2760KB）（256）    可视化    作为第三代半导体材料，GaN因其高电子迁移率、高击穿场强等优异特性，正被广泛应用于高频、高功率电子器件。然而，其封装技术面临诸如热管理、电气性能优化以及封装可靠性等挑战，同时还需要满足更紧凑、更集成的需求。重点讨论了目前GaN芯片封装的多种解决方案，包括晶体管外形（TO）封装、四边扁平无引线（QFN）封装等分立器件封装结构，晶圆级封装（WLP）、多芯片模块（MCM）合封器件封装结构以及诸多先进封装技术。分析了封装技术的发展趋势，如集成化、模块化封装，以及面向高频、高功率应用的优化方法。随着技术的不断突破，GaN封装有望在更高效、更可靠的方向上取得进一步进展，以满足不断增长的市场需求。 参考文献 | 相关文章 | 多维度评价 2025年第25卷第3期 pp. 030112 Select 表面贴装大功率器件热匹配问题可靠性仿真* 胡运涛,苏昱太,刘灿宇,刘长清 DOI: 10.16257/j.cnki.1681-1070.2025.0083 摘要 （169）      PDF （1167KB）（167）    可视化    针对表面贴装大功率器件中不同材料间热膨胀系数差异所引起的热力学不匹配问题，在不同升温速率下对关键互连结构的寿命与可靠性进行分析。探讨了材料热膨胀不匹配对器件性能和长期可靠性所带来的潜在影响。利用Anand本构模型详细描述了SAC305焊料的力学特性，重点分析了其应力应变与温度特性。基于Coffin-Manson模型进行了寿命评估，系统分析了焊料的疲劳失效与塑性应变的关系。仿真结果表明，温度变化速率越大，热力不匹配越明显，导致元器件内部产生较大的热应力和热疲劳效应，使得元器件寿命及可靠性降低。 参考文献 | 相关文章 | 多维度评价 2025年第25卷第3期 pp. 030109 Select 处理器体系结构模拟器综述 杨亮;王亚军;张竣昊;李佩峰;张帅帅;韩赛飞 DOI: 10.16257/j.cnki.1681-1070.2024.0097 摘要 （169）      PDF （2005KB）（168）    可视化    随着处理器的微结构和拓扑结构越来越复杂，结构设计空间呈几何倍数增加，导致处理器性能评估难度加大，处理器体系结构模拟器对评估处理器性能、分析性能瓶颈以及进一步的性能优化具有重要意义。针对处理器体系结构以及功能/性能评估的精度、复杂度与准确度的不同需求，分别研究功能模拟器、性能模拟器以及混合模拟器的模型结构以及模拟行为的构建方法。进一步阐述了国内外处理器厂商在设计的不同阶段引入体系结构模拟器的各类应用，结合实际应用对处理器体系结构模拟器的特征进行总结，并介绍了新型应用背景、新型处理器体系结构下体系结构模拟器的发展趋势。 参考文献 | 相关文章 | 多维度评价 2024年第24卷第8期 pp. 080301 Select 嵌入合金框架的扇出型板级封装结构及其翘曲仿真分析* 余胜涛，笪贤豪，何伟伟，彭琳峰，王文哲，杨冠南，崔成强 DOI: 10.16257/j.cnki.1681-1070.2024.0156 摘要 （169）      PDF （2305KB）（211）    可视化    扇出型板级封装（FOPLP）依靠其小线宽/线距、高集成度、小尺寸等优势，从封装角度形成集成电路的优解，实现摩尔定律的延续。针对FOPLP的大尺寸带来的翘曲及可靠性问题，提出在封装载板内嵌入TC4钛合金框架，研究TC4钛合金框架的尺寸参数对翘曲的影响。采用有限元仿真分析方法评估了TC4钛合金框架的长度、宽度及厚度对封装翘曲的影响。随着TC4钛合金框架尺寸参数的增大，封装翘曲均有所降低。此外，利用正交分析实验分析了尺寸参数对翘曲的交互效应，得到了关键参数的最佳窗口。利用阴影云纹法测量产品，得到的翘曲结果与仿真结果展现出较好的一致性。 参考文献 | 相关文章 | 多维度评价 2024年第24卷第11期 pp. 110201 Select STT-MRAM存储器数据保持试验方法研究 杨霄垒，申浩 DOI: 10.16257/j.cnki.1681-1070.2024.0069 摘要 （166）      PDF （1066KB）（89）    可视化    自旋转移力矩磁随机存储器（STT-MRAM）的基本存储单元结构为磁性隧道结（MTJ），该单元的热稳定性会随着温度的升高而变弱。MTJ这一特性导致传统激活能计算模型无法直接应用于STT-MRAM的高温数据保持特性测试，因此研究STT-MRAM的数据保持特性需探究可替代其激活能的参数。为此，搭建了基于Xilinx Kintex-7系列FPGA的测试系统，进行了多个温度数据保持试验，最终拟合出一个代替激活能来衡量STT-MRAM数据保持能力的参数，即热稳定因子。该多温度数据拟合热稳定因子的方法可有效评估STT-MRAM器件数据保持能力。 参考文献 | 相关文章 | 多维度评价 2024年第24卷第7期 pp. 070402 Select 基于STM32H7的ADC静态参数测量系统设计 丁光洲;高宁;徐晴昊;徐忆;李辉 DOI: 10.16257/j.cnki.1681-1070.2024.0086 摘要 （164）      PDF （1000KB）（203）    可视化    国内的数字电源已经成为电源类芯片中不可或缺的产品，其内部反馈控制回路中的模数转换器（ADC）芯片精度直接影响整个电源输出的精度和稳定性。ADC静态参数——积分非线性（INL）与微分非线性（DNL）——是评价ADC精度的重要指标，目前国内针对数字电源中ADC的静态参数测试的设备操作复杂、成本高，缺乏相应的灵活性，因此设计一种低成本、易操作的静态参数测试系统尤为重要。设计了一种基于STM32H7的ADC静态参数测试系统，通过试验验证了测试系统的准确性和可行性。 参考文献 | 相关文章 | 多维度评价 2024年第24卷第8期 pp. 080203 Select 高功率电子封装中大面积烧结技术研究进展* 边乐陶,刘文婷,刘盼 DOI: 10.16257/j.cnki.1681-1070.2025.0082 摘要 （162）      PDF （2408KB）（176）    可视化    在第三代半导体材料（如碳化硅和氮化镓）的推动下，大面积烧结技术因其在高功率电子封装中的独特优势，展现出广阔的应用前景。综述了银和铜作为大面积烧结材料在功率模块封装中的研究进展，系统分析了大面积烧结的定义标准、材料特性、工艺控制方法及其对接头性能的影响。探讨了大面积烧结过程中温度、压力、表面处理工艺等的优化策略，以提升接头的致密性、热导率及机械性能。此外，针对当前大面积烧结技术所面临的挑战提出了未来的优化方向。通过总结国内外相关研究成果，为大面积烧结技术在高功率电子封装领域的进一步发展提供了理论支持与实践参考。 参考文献 | 相关文章 | 多维度评价 2025年第25卷第3期 pp. 030108 Select 磁性存储器陶瓷封装磁屏蔽设计与抗磁场干扰测试 赵桂林,郭永强,叶海波,王超,杨霄垒,孙杰杰 DOI: 10.16257/j.cnki.1681-1070.2024.0173 摘要 （159）      PDF （1355KB）（160）    可视化    磁性随机存取存储器（MRAM）通过磁性隧道结（MTJ）作为存储单元来存储信息，通过外加电流产生磁矩改写MTJ的信息，这种工作原理使得MRAM容易受到外部磁场的干扰，限制了MRAM在强磁场等恶劣环境下的应用。使用COMSOL软件进行仿真，设计并制作了磁屏蔽陶瓷外壳，搭建了基于Xilinx VIRTEX4系列FPGA的MRAM抗磁场干扰能力测试平台，进行了MRAM抗磁干扰能力实验。测试结果表明，采用带磁屏蔽结构的陶瓷外壳进行封装极大地降低了MRAM受外界磁场的干扰程度，所测试芯片的抗磁场干扰能力由35 Oe提高到420 Oe。 参考文献 | 相关文章 | 多维度评价 2024年第24卷第10期 pp. 100208 Select IMC厚度对混装焊点热疲劳寿命的影响研究* 冉光龙，王波，黄伟，龚雨兵，潘开林 DOI: 10.16257/j.cnki.1681-1070.2025.0009 摘要 （156）      PDF （2081KB）（284）    可视化    焊点的疲劳寿命成为衡量其长期可靠性的关键指标。金属间化合物（IMC）厚度对焊点的疲劳寿命有着显著影响。研究IMC厚度对热循环条件下混装焊点疲劳寿命的影响，结果表明，随着IMC厚度的增加，焊点的热疲劳寿命不断降低。此外，焊点中应力和应变的分布受IMC厚度的影响较小，但其数值随着IMC厚度的增加而增加。同时，塑性应变也随着IMC厚度的增加而增加。基于Coffin-Manson模型得到混装焊点的热疲劳寿命与IMC厚度之间存在着对数关系。 参考文献 | 相关文章 | 多维度评价 2025年第25卷第1期 pp. 010203 Select 自动贴片工艺可靠性研究 钟贵朝,蒋苗苗,赵明,韩英,张坤,高胜寒 DOI: 10.16257/j.cnki.1681-1070.2024.0135 摘要 （150）      PDF （675KB）（169）    可视化    微波电路中包含芯片等大量元器件，这些元器件绝大部分是通过自动贴片的方式实现装配的。针对自动贴片工艺中贴片压力对黏接可靠性的影响进行实验研究，分析了贴片压力对黏接元件四周的溢胶长度、元件底部导电胶的铺展效果及黏接强度的影响。结果表明，在实验参数范围内，贴片压力越大，黏接元件四周导电胶的溢胶长度越长，底部导电胶的铺展效果越好，黏接强度越大。在实际生产过程中，通过增大自动贴片工艺中的贴片压力，可以保证导电胶的黏接可靠性，从而提高电路整体性能。 参考文献 | 相关文章 | 多维度评价 2024年第24卷第10期 pp. 100204 Select 微纳铜材料的制备及其在封装互连中的应用* 彭琳峰，杨凯，余胜涛，刘涛，谢伟良，杨世洪，张昱，崔成强 DOI: 10.16257/j.cnki.1681-1070.2025.0008 摘要 （148）      PDF （3006KB）（219）    可视化    半导体器件的快速发展对封装互连材料提出了更高的要求。微纳铜材料具有良好的导电、导热和机械性能。与常用的微纳银相比，微纳铜具有更强的抗电迁移能力和更低的成本，在封装互连领域被广泛应用。微纳铜材料的制备方法可分为化学法、物理法、生物法3类，其中化学液相还原法以低成本、高可控、工艺简单等优势占据重要地位。不同的封装互连工艺步骤需要不同形貌的微纳铜颗粒。微纳铜材料在封装互连中主要应用于芯片固晶、Cu-Cu键合、细节距互连等工艺，探讨了微纳铜材料在以上工艺中的应用，并对微纳铜材料在封装互连中的应用进行展望。 参考文献 | 相关文章 | 多维度评价 2025年第25卷第1期 pp. 010202 Select 面向大功率器件散热的金刚石基板微流道仿真研究* 孙浩洋, 姬峰, 张晓宇, 兰梦伟, 李鑫宇, 冯青华, 兰元飞, 王明伟 DOI: 10.16257/j.cnki.1681-1070.2024.0159 摘要 （147）      PDF （2326KB）（287）    可视化    GaN功率器件具有高频率、高功率以及高抗干扰能力等众多优势。GaN功率器件的小型化和高集成化趋势使得器件的散热问题日益凸显。具有高热导率的金刚石成为一种极具竞争力的散热材料，可满足高功率器件的散热需求。采用一种新型多层嵌入式微流道金刚石基板散热技术实现器件的快速散热，分析了散热微流道宽度、歧管微流道数量以及流体流速几个单一因素对器件散热性能的影响，并通过正交试验法探究了不同因素对器件散热性能的影响。结果表明，在99%的置信度下流体流速对散热性能的影响最为显著，散热微流道宽度的影响较为显著，歧管微流道数量的影响不显著。 参考文献 | 相关文章 | 多维度评价 2024年第24卷第11期 pp. 110204 Select 基于Chroma 3380P测试平台的高效FT测试方案* 周中顺,夏蔡娟,李连碧,李飞飞 DOI: 10.16257/j.cnki.1681-1070.2025.0027 摘要 （146）      PDF （1182KB）（110）    可视化    针对高端自动测试成本过高与芯片设计公司日益增长的测试需求不匹配这一现状，拟采用Chroma 3380 P型测试机和长川C6100TS三温平移式分选机组合，开发一种新型的高性能自动化测试系统。通过分析芯片测试的各项要求，设计了一个综合性的测试方案。搭建了完善的测试平台，充分融合了Chroma 3380P测试平台的专业性能与长川C6100TS分选机的先进功能，同时通过外接高精度测试仪器，不仅实现了对芯片高效且精确的测试，还大大降低了测试成本，在ATE测试中具有通用性，为更多测试人员提供参考。 参考文献 | 相关文章 | 多维度评价 2025年第25卷第2期 pp. 020207 Select PBGA焊点形态对疲劳寿命的影响* 张威;刘坤鹏;张沄渲;于沐瀛;王尚;田艳红 DOI: 10.16257/j.cnki.1681-1070.2024.0095 摘要 （145）      PDF （1845KB）（160）    可视化    通过Surface Evolver软件预测了塑料球栅阵列（PBGA）焊点形态，将焊点形态结果导入Ansys软件中进行-55~125 ℃热循环仿真实验，通过Coffin-Masson模型预测焊点寿命。选取焊点钎料量、焊点高度、下焊盘直径作为影响焊点寿命的主要因素进行了3因素3水平正交实验，通过均值响应分析得到了影响凸点寿命的最敏感因素及最优形态尺寸组合。结果表明对焊点寿命影响最大的因素为下焊盘半径，其次是钎料量，最后是焊点高度，且上下等大的焊盘具有较好的可靠性。 参考文献 | 相关文章 | 多维度评价 2024年第24卷第8期 pp. 080206 Select 铜线键合模式和塑封料对QFN封装可靠性的影响 王宝帅,高瑞婷,张铃,梁栋,欧阳毅 DOI: 10.16257/j.cnki.1681-1070.2025.0025 摘要 （144）      PDF （1484KB）（152）    可视化    键合工艺和塑封料对芯片封装可靠性至关重要。为了研究键合模式和塑封料对芯片封装可靠性的影响，以K&S公司的RAPID焊线机为键合工艺平台，以40 nm CMOS工艺的QFN封装芯片为研究对象，分别使用FSF键合模式和FSFF键合模式进行键合实验。使用不同塑封料塑封键合后样品，并对塑封后样品进行MSL3、TCT、UHAST、BHAST、HTOL、HTST等可靠性实验，利用SEM和EDS对键合后焊球形态和可靠性失效样品进行分析。结果表明，键合模式对BHAST可靠性影响较大，塑封料对BHAST可靠性影响较小，为实际生产中键合工艺的选择提供了理论基础和实践指导。 参考文献 | 相关文章 | 多维度评价 2025年第25卷第2期 pp. 020204 Select 面向快速散热的HTCC基板微流道性能研究* 孙浩洋,姬峰,冯青华,兰元飞,王建扬,王明伟 DOI: 10.16257/j.cnki.1681-1070.2024.0074 摘要 （141）      PDF （1539KB）（193）    可视化    随着微波组件向着大功率、高密度集成方向的快速发展，组件中大功率芯片的散热问题已影响到组件的可靠性，解决大功率微波组件的散热问题需要采用高效的散热技术。作为新兴的快速散热技术之一，微流道具有低热阻、高效率以及可集成等众多优势。建立了基于大功率微波组件的微流道陶瓷基板有限元分析模型并对其进行热仿真，分析了不同微流道构型、占空比、扰流柱半径以及流速对组件散热的影响，并基于仿真结果制备了实物组件，实测温升下降60 ℃，实现了超大功率芯片的快速散热。 参考文献 | 相关文章 | 多维度评价 2024年第24卷第7期 pp. 070203 Select 基于CDCA-YOLOv8的无人机图像小目标识别 吴诗娇，林伟 DOI: 10.16257/j.cnki.1681-1070.2025.0013 摘要 （137）      PDF （1264KB）（87）    可视化    为解决无人机航拍图像中小目标实例多、遮挡严重的问题，提出了一种新的小目标检测算法CDCA-YOLOv8。算法在骨干网络中引入了中心注意力机制，在降低计算复杂度的同时提升特征提取能力；结合可变形卷积网络的优势，改进了卷积模块，并设计了基于可变形卷积技术的C2f模块，增强多尺度特征提取。同时设计了基于自适应结构特征融合的检测头，以提高小目标检测的精度。实验表明，与YOLOv8n相比，CDCA-YOLOv8在VisDrone2019数据集上平均精度均值mAP0.5提高了4.4个百分点，mAP0.5∶0.95提高了3.1个百分点，展示了更优的小目标检测效果。 参考文献 | 相关文章 | 多维度评价 2025年第25卷第1期 pp. 010501 Select  带玻璃绝缘子结构器件气密性与内部水汽含量超标分析 高立, 杨迪, 李旭 DOI: 10.16257/j.cnki.1681-1070.2024.0160 摘要 （135）      PDF （997KB）（152）    可视化    具有空腔结构的器件通过密封试验（俗称检漏）以确定器件封装的气密性。但在实际生产中，即使是密封检测合格的器件在进行内部水汽含量试验时，仍有一定比例的器件被检测出内部存在密封试验的示踪物质。试验结果表明，高温烘烤可以提升检漏的检出率，验证了器件出现密封检测合格、水汽含量不合格的现象是由漏孔的暂时性堵塞造成的。对水汽含量不合格的样品进行染色渗透和剖面制备，发现了外部水汽侵入器件内部的通道，提出了玻璃绝缘子和引线之间没有形成气密过渡层是造成器件漏气的主要原因，为器件的工艺改进提供了方向。 参考文献 | 相关文章 | 多维度评价 2024年第24卷第11期 pp. 110205 Select 高温服役电子元器件的焊接工艺研究* 周阳磊,吕海强,何日吉,周舟 DOI: 10.16257/j.cnki.1681-1070.2024.0078 摘要 （135）      PDF （2066KB）（140）    可视化    在航空航天、钢铁冶金及地质勘探等领域，部分设备需要在高温环境下使用，目前常见装联结构的可耐受温度一般低于200 ℃，甚至低于150 ℃，严重制约了相关高温服役设备的电子化进程。为了探索元器件高温焊接的可行性，对高温焊接工艺开展深入分析。研究结果表明，铅基高温焊料（SnAg2.5Pb96.5）的固液相线温度均高于250 ℃，SnAg2.5Pb96.5焊点的拉伸力平均值为139 N，剪切力平均值为237 N。与常用的无铅焊料（SAC305）相比，SnAg2.5Pb96.5的固液相线温度较高，但其焊点的拉伸力及剪切力均有所降低。相较于直接焊接工艺，采用预热焊接工艺得到的焊点润湿性好，陶瓷电容本体无裂纹，因此预热焊接工艺更适用于高温服役元器件。 参考文献 | 相关文章 | 多维度评价 2024年第24卷第7期 pp. 070205 Select 超宽禁带半导体氧化镓器件热问题的解决策略 刘丁赫 DOI: 10.16257/j.cnki.1681-1070.2024.0151 摘要 （133）      PDF （595KB）（188）    可视化    相关文章 | 多维度评价 2024年第24卷第11期 pp. 110601 Select 面向高密度互连的混合键合技术研究进展 白玉斐, 戚晓芸, 牛帆帆, 康秋实, 杨佳, 王晨曦 DOI: 10.16257/j.cnki.1681-1070.2025.0074 Select 三维高速高频封装的信号完整性宽带建模设计方法 葛霈, 朱浩然, 鲁加国 DOI: 10.16257/j.cnki.1681-1070.2025.0066 摘要 （133）      PDF （613KB）（188）    可视化    参考文献 | 相关文章 | 多维度评价 2025年第25卷第3期 pp. 030601 Select 有效减小FOPLP中芯片偏移量的方法 刘吉康 DOI: 10.16257/j.cnki.1681-1070.2024.0170 摘要 （132）      PDF （2012KB）（163）    可视化    塑封制程中的芯片偏移量一直是板级扇出型封装（FOPLP）技术面临的巨大挑战。在介绍现有FOPLP技术工艺的基础上，通过分析塑封制程中产生芯片偏移量的原因，借鉴华天科技的嵌入式硅基扇出（eSiFO）封装技术，提出了3种能有效减小FOPLP中芯片偏移量的方法，即凹槽型塑封结构方法、贯穿型塑封结构方法和光阻围堰型封装结构方法。凹槽型和贯穿型塑封结构方法通过制备带凹槽或贯穿结构的板级塑封样品，将芯片粘贴在凹槽结构或贯穿结构内，再配合真空压膜工艺来达到减小FOPLP中芯片偏移量的目的。光阻围堰型封装结构方法利用光阻在承载板上形成光阻围堰结构，将芯片粘贴在光阻围堰结构内，以达到减小FOPLP中芯片偏移量的目的。 参考文献 | 相关文章 | 多维度评价 2024年第24卷第12期 pp. 120202 Select 一种高导热且绝缘的取向型碳纤维热界面材料 黄敏, 韩飞 DOI: 10.16257/j.cnki.1681-1070.2025.0054 摘要 （132）      PDF （545KB）（138）    可视化    相关文章 | 多维度评价 2025年第25卷第1期 pp. 010601 Select 基于FPGA的基带信号发生器IP核设计与验证 闫华;何志豪 DOI: 10.16257/j.cnki.1681-1070.2024.0118 摘要 （130）      PDF （1764KB）（206）    可视化    雷达系统中信号收发模块需要内部产生基带信号，面对这一需求设计了一种基于直接数字频率合成（DDS）技术，且能自定义起始斜率和起始频率的基带信号发生器IP核。该IP核的输出频率可根据线性调频信号的特征进行设计，根据正弦信号的对称性，结合相位截断法和CORDIC算法设计了DDS模块的正余弦查找表，减少了资源的占用率，降低了功耗，提高了运算速度。仿真结果显示，设计的IP核可以正常输出不同频率的正余弦波形以及线性调频信号波形，并且能够实现自定义调整，具有较高的灵活性。相较于通过多个DDS叠加生成混频波形，该IP核占用资源更少，且具有实用价值。 参考文献 | 相关文章 | 多维度评价 2024年第24卷第8期 pp. 080302 Select 烧结银阵列互连双面散热SiC半桥模块的散热和应力仿真* 逄卓,赵海强,徐涛涛,张浩波,王美玉 DOI: 10.16257/j.cnki.1681-1070.2025.0042 摘要 （130）      PDF （2513KB）（207）    可视化    基于烧结银作为芯片互连层的双面散热SiC半桥模块，改变芯片顶面与基板的烧结银连接层形状为片状、圆柱阵列和长方体阵列，进行了散热和热应力仿真。仿真结果表明，得益于烧结银较高的热导率，改变烧结银层的形状对散热性能影响很小。相比于片状烧结银互连模块，采用圆柱阵列和长方体阵列烧结银互连的模块，其结温最大仅升高0.2 ℃和0.14 ℃。由于阵列模型中的烧结银互连层通过多个微小连接点有效分散和缓解了热应力，圆柱阵列和长方体阵列的烧结残余热应力和工作热应力都显著降低，圆柱阵列模型的烧结残余热应力和工作热应力降低了8.57%和3.16%，长方体阵列模型的烧结残余热应力和工作热应力降低了8.57%和37.71%，并且可通过缩小烧结银面积来降低成本，具有较高的科研和应用价值。 参考文献 | 相关文章 | 多维度评价 2025年第25卷第3期 pp. 030103 Select 基于田口法的高热可靠性DFN封装最优结构参数仿真研究* 庞瑞阳,吴洁,王磊,邢卫兵,蔡志匡 DOI: 10.16257/j.cnki.1681-1070.2024.0171 摘要 （126）      PDF （1823KB）（128）    可视化    随着电子技术的不断发展，芯片越来越向系统级封装方向发展，封装行业迎来了新的挑战和机遇。封装能为芯片提供机械支撑、电气连接与散热，因此其可靠性研究备受关注。双平面无铅（DFN）封装是一种无引线的表面贴装封装技术，不合理的材料组合或结构设计会导致翘曲或应力集中现象，直接影响封装体的共面度及可靠性，引发芯片断裂、焊接分层等问题。针对典型DFN封装结构，采用有限元仿真分析方法，研究特定封装产品在回流焊后以及热循环载荷下关键部位的翘曲和应力。采用田口法对DFN封装设计参数进行评估与优化，获取最优结构参数组合，将其与实际产品仿真结果进行对比，验证了仿真模型的合理性，为高可靠性DFN封装的实际生产提供了理论指导。 参考文献 | 相关文章 | 多维度评价 2024年第24卷第12期 pp. 120203 Select 铝焊盘镀钯铜丝多焊球脱焊失效的电化学评价 徐艳博;王志杰;刘美;孙志美;牛继勇 DOI: 10.16257/j.cnki.1681-1070.2022.0093 摘要 （125）      PDF （1942KB）（137）    可视化    研究铝焊盘的镀钯铜丝（PCC）焊点的多焊球脱焊（MLB）失效过程，对提高产品的可靠性至关重要。利用电化学方法测定了在不同氯离子浓度、pH值和铜暴露面积等条件下电极的腐蚀电流，以表征铝及其金属间化合物（IMC）的腐蚀速率。结果表明，氯离子可以改变阳极极化率，从而影响腐蚀电流；pH值的变化可以改变阴极极化率，从而影响腐蚀电流。钯作为铜丝的保护层，在镀层分布不均或参数选择不当的条件下，与暴露的铜表面形成腐蚀电偶，导致铝及其IMC成为牺牲阳极并被腐蚀。 参考文献 | 相关文章 | 多维度评价 2024年第24卷第8期 pp. 080205 Select 基于改进滑模观测器的永磁同步电机无传感器控制* 许卫;贾洪平 DOI: 10.16257/j.cnki.1681-1070.2024.0090 摘要 （125）      PDF （3066KB）（74）    可视化    针对永磁同步电机无传感器控制的传统滑模观测器（SMO）算法存在系统抖振以及转速位置误差较大的问题，提出了一种改进的SMO算法，引入估算反电动势反馈，利用饱和函数代替开关函数，用变趋近率替换固定滑模增益，根据Lyapunov方法验证了系统的可靠性，再通过锁相环（PLL）获得准确的转子位置和速度信息，最后通过Simulink搭建仿真模型并进行相关试验，仿真和试验结果表明，改进后算法的控制性能更加优越。 参考文献 | 相关文章 | 多维度评价 2024年第24卷第8期 pp. 080502 Select 基于ATE的可编程SiP器件测试 李鹏,白艳放,郑松海,赵娜,刘颖 DOI: 10.16257/j.cnki.1681-1070.2024.0146 摘要 （122）      PDF （1688KB）（141）    可视化    分析了SiP器件内部数字芯片FPGA和模拟芯片ADC/DAC的主要电气参数及性能参数，明确了SiP器件的测试内容和方法。使用Altium Designer软件设计SiP6117M信号处理器专用测试板，结合测试需求、测试流程以及芯片具体参数提出设计目标，完成原理图设计、PCB设计、制板和调试工作。基于UltraFlex测试机台和设计完成的测试板搭建SiP6117M模块的测试平台，运用Verilog语言编写FPGA配置程序及测试程序，并通过JTAG接口对FPGA进行配置。开发UltraFlex测试程序对测试过程进行控制，实现了对SiP器件主要功能和性能参数的测试。 参考文献 | 相关文章 | 多维度评价 2024年第24卷第10期 pp. 100207 Select GaN HEMT热特性的反射热成像研究* 刘智珂，曹炳阳 DOI: 10.16257/j.cnki.1681-1070.2024.0174 摘要 （122）      PDF （1372KB）（116）    可视化    GaN高电子迁移率晶体管（HEMT）已在电力电子的诸多领域得到广泛应用，但需要解决高功率密度带来的热瓶颈问题。反射热成像是一种具有高空间分辨率的全场温度成像技术，适用于捕捉HEMT的运行温度，从而制定合适的热管理策略。利用反射热成像系统对6种GaN HEMT的场板和漏极温度分布进行了测试，实验与仿真结果偏差在6%以内。通过热阻分析比较了不同衬底厚度和外延设计对器件热特性的影响，衬底热阻占总热阻的比例超过40%，将衬底厚度从100 μm减薄至60 μm，热阻降低8.1%，衬底减薄对于热阻的降低影响显著程度高于外延设计变更。上述结果凸显了反射热成像方法用于指导器件热优化的重要性。 参考文献 | 相关文章 | 多维度评价 2024年第24卷第11期 pp. 110102 Select 一种倒装芯片二维封装过程焊点缺陷原位监测方法 周彬,乔健鑫,苏允康,黄文涛,李隆球 DOI: 10.16257/j.cnki.1681-1070.2024.0150 摘要 （121）      PDF （478KB）（221）    可视化    参考文献 | 相关文章 | 多维度评价 2024年第24卷第10期 pp. 100601 Select 基于FPGA的高精度时间数字转换器设计与实现* 项圣文，包朝伟，蒋伟，唐万韬 DOI: 10.16257/j.cnki.1681-1070.2025.0004 摘要 （121）      PDF （1799KB）（60）    可视化    高精度时间间隔测量是激光测距、雷达、示波器等多种科学和工程领域中的关键技术。为了提高测量的精确度，使用FPGA器件抽头延迟链实现高精度时间数字转换器（TDC），通过脉冲计数法和抽头延迟线法实现完整时钟周期和非完整时钟周期的测量，并提出一种使用锁相环（PLL）动态调相功能测量延迟链精度的方法，PLL调相精度为15.625 ps，通过多级延迟链级联取平均值的方式减小PLL调相精度引入的测量误差，最小测量误差为0.312 5 ps。以紫光同创Logos2系列FPGA芯片实现TDC的设计，仿真验证和板级测试结果证明，使用50级延迟链能实现非完整时钟周期的测量，测量精度为71 ps，TDC时间间隔测量范围小于4.295 0 ms。 参考文献 | 相关文章 | 多维度评价 2025年第25卷第1期 pp. 010302 Select TO型器件内部水汽含量一致性控制 颜添,姚建军,郝勇 DOI: 10.16257/j.cnki.1681-1070.2024.0142 摘要 （121）      PDF （674KB）（189）    可视化    采用铅锡银焊料烧结的TO型器件在相同平行缝焊工艺下的内部水汽含量一致性出现了差异，部分器件的水汽含量甚至超标。筛选后的器件腔体内存在氢气和氧气，气体在反偏或老炼等高温条件下发生了化学反应，生成了水汽，从而导致水汽含量超标。通过对外壳和盖板进行脱氢处理，可以大幅度降低密封后腔体内氢气释放量，减少水汽的生成，达到提高TO型器件内部水汽含量一致性的目的。该方法可以为采用铅锡银等焊料烧结的TO型器件内部水汽含量控制提供一种技术途径。 参考文献 | 相关文章 | 多维度评价 2024年第24卷第10期 pp. 100206 Select 一种蝶形封装多路光收发模块可靠性评价与应用研究 王亚男;张洪伟;王文炎;常明超 DOI: 10.16257/j.cnki.1681-1070.2024.0092 摘要 （116）      PDF （2072KB）（115）    可视化    介绍了1种蝶形气密封装4路并行光收发一体模块的工作原理，针对高可靠应用开展了可靠性评价方法研究。通过评价光模块的平均发射光功率、消光比、接收灵敏度的温度特性，以及接收灵敏度与传输速率的关系等特性，结合寿命考核及应用适应性评价得出了该模块应用的边界条件，并研究了满足高可靠应用的高速数据传输的典型应用方法，提供了典型的应用电路设计、控制程序设计以及模块装联方式，为高可靠应用系统的大容量高速数据传输提供了1种新的方法。 参考文献 | 相关文章 | 多维度评价 2024年第24卷第8期 pp. 080204 Select 基于低温铜烧结技术的大功率碳化硅模块电热性能表征* 闫海东,蒙业惠,刘昀粲,刘朝辉 DOI: 10.16257/j.cnki.1681-1070.2025.0063 摘要 （116）      PDF （1748KB）（121）    可视化    SiC器件的比导通电阻仅有Si基器件的1/5，在高频、高温、高功率密度的车规级封装领域展现出更大优势，但SiC器件的高通流密度对其散热设计提出了更高要求。虽然高导热率、低工艺温度、高服役温度的银烧结有助于优化功率模块的热管理，但存在烧结银成本过高与电迁移问题。针对上述问题提出了一种针对SiC器件的全铜烧结互连方法，高质量铜互连层的剪切强度超过130 MPa。与传统功率模块相比，全铜烧结功率模块的结-壳热阻降低了6.12 K/kW（12.47%），动、静态测试结果表明，模块具有良好的电学性能。 参考文献 | 相关文章 | 多维度评价 2025年第25卷第3期 pp. 030107 Select In掺杂Sn-1Ag-0.7Cu-3Bi-1.5Sb-xIn/Cu互连结构在热载荷下的损伤 李泉震,王小京 DOI: 10.16257/j.cnki.1681-1070.2024.0178 摘要 （116）      PDF （1446KB）（151）    可视化    为了应对消费电子端苛刻的热可靠性需求，研究探讨了在170 ℃等温时效条件下，不同热时效时间（0 h、1 000 h、2 000 h）Sn-3.0Ag-0.5Cu、Sn-1Ag-0.7Cu-3Bi-1.5Sb-12In、Sn-1Ag-0.7Cu-3Bi-1.5Sb-17In以及Sn-20In-2.8Ag焊点的熔融特性、微观结构、力学性能。研究发现，掺杂In会降低固相、液相和峰值温度，同时增加熔化范围。当In的质量分数超过12%时，基体中出现γ-InSn4相，焊点合金出现双相基体。In的加入使焊料/铜界面IMC从Cu6Sn5转变为Cu6(Sn, In)5。在等温老化过程中，In的加入会促进Cu6(Sn, In)5的生长，但能抑制Cu3(In, Sn)的生长。在时效过程中，12In/Cu焊点的综合剪切性能最佳，具有较高的剪切力和较为优异的剪切强度。该实验对于控制界面化合物的生长、探索掺杂高In对焊点性能的影响以及稳定焊点结构都具有实际意义。 参考文献 | 相关文章 | 多维度评价 2024年第24卷第12期 pp. 120101 Select 一种隔离型母线电压和电流采集电路的设计 冯旭彪, 杨茜 DOI: 10.16257/j.cnki.1681-1070.2024.0169 摘要 （115）      PDF （1041KB）（96）    可视化    针对供配电测试设备对开关电源母线电压、电流的隔离采样，提出了一种隔离型母线电压和电流采集电路的设计方案。基于硬件电路，分析了隔离式放大器NSI1311-Q1的工作原理，通过增加差分运放电路实现了数据的放大及单端模拟输出，继而设计了合理的隔离型采集电路并进行了相关公式推导。实验结果表明，该隔离采集电路的采样精度满足供配电测试设备对隔离数据的采集需求，且抗干扰性强，具有较强的工程实用价值。 参考文献 | 相关文章 | 多维度评价 2024年第24卷第12期 pp. 120305 Select 玻璃基灌封材料助力SiC功率器件在300 ℃长期运行 陈俊伟, 曾惠丹 DOI: 10.16257/j.cnki.1681-1070.2025.0132 摘要 （115）      PDF （445KB）（132）    可视化    参考文献 | 相关文章 | 多维度评价 2025年第25卷第4期 pp. 040601 Select 基于SECS/GEM协议的芯片烘箱设备智能故障诊断算法设计* 梁达平,赵玉祥,张进兵 DOI: 10.16257/j.cnki.1681-1070.2024.0071 摘要 （114）      PDF （1102KB）（100）    可视化    针对芯片烘箱设备故障排查困难，提出了一种改进型贝叶斯网络故障诊断算法。利用SECS/GEM通信协议从设备端获取故障报警数据，建立芯片烘箱设备故障树。将故障树映射转换为贝叶斯网络，通过对贝叶斯网络反向推理计算得到可用于指导维修工作的诊断决策树。将历史故障样本数据代入算法模型中进行验证分析，验证结果表明，按照诊断决策树进行故障诊断能够将诊断误差率控制在5%左右，满足企业用户要求，具有较高的应用价值。 参考文献 | 相关文章 | 多维度评价 2024年第24卷第7期 pp. 070501 Select 电编程熔丝的冗余备份及修正设计策略 胡晓明,晏颖 DOI: 10.16257/j.cnki.1681-1070.2024.0132 摘要 （112）      PDF （2194KB）（91）    可视化    由于工艺、制造和环境等原因，电编程熔丝（eFUSE）存储的数据信息可能发生意外改变，需要通过专门设计对数据进行冗余备份或对失效数据位进行修正，前者是对2个互为冗余的数据位进行相同编程操作，多用于eFUSE的现场编程；后者对失效数据位的修正大多采用的是串行冗余修正模式，但由于其存在延时随失效位数目增加的问题，一种以同步方式修正失效数据位的并行解决策略被提出并实现验证。 参考文献 | 相关文章 | 多维度评价 2024年第24卷第10期 pp. 100303 Select 一种模拟边界扫描的FPGA高可靠自更新方法 李晓林,贾祖琛,田卫,武媛媛 DOI: 10.16257/j.cnki.1681-1070.2024.0147 摘要 （111）      PDF （1572KB）（74）    可视化    针对FPGA+PROM设计架构中不支持动态重构功能的型号产品，在不增加额外器件的前提下，提出了基于边界扫描模拟技术的FPGA自更新方法，同时研究了升级过程中的可靠性保障措施，做到高可靠、无感化更新。这种设计方式可在型号产品不开盖、不使用USB-JTAG的情况下完成PROM的在线升级，为军用嵌入式计算机提供了一种PROM在线升级的能力，在武器产品的可维修性、保障性等方面具有重要的意义。 参考文献 | 相关文章 | 多维度评价 2024年第24卷第10期 pp. 100306 Select 基于能量最小化的CCGA焊点形态仿真研究* 张威;刘坤鹏;王宏;杭春进;王尚;田艳红 DOI: 10.16257/j.cnki.1681-1070.2024.0103 摘要 （109）      PDF （1610KB）（139）    可视化    为了确定某陶瓷柱栅阵列（CCGA）器件实现高焊接可靠性时的工艺参数组合范围，并研究焊点形态随不同参数变化的规律，以钎料润湿角、钎料体积以及焊柱偏移量作为关键变量因素，利用基于能量最小化原理的Surface Evolver软件，计算了不同因素水平组合下的实际焊点形态，并对参数化建模过程进行了详细介绍。通过对比形态结果与焊点可接收标准，寻找能够产生合格焊点的参量范围，为实际焊点微连接生产工艺提供合理的工艺指导。 参考文献 | 相关文章 | 多维度评价 2024年第24卷第8期 pp. 080208 Select 功率器件银电化学迁移分析与改善 邱志述，胡敏 DOI: 10.16257/j.cnki.1681-1070.2025.0034 摘要 （109）      PDF （1209KB）（140）    可视化    银作为可焊接金属，与铅、锡等形成低温合金可显著提升工艺适应性，广泛应用于半导体功率器件领域。芯片金属与封装互连中银电化学迁移常导致器件短路，以致失效。为了减少这类失效，对银电化学迁移机理进行研究，并从芯片、封装方面给出改善措施。增加芯片保护层、减少封装环氧树脂和芯片的分层可以减少潮气对芯片表面的侵蚀，是改善银电化学迁移的关键。 参考文献 | 相关文章 | 多维度评价 2025年第25卷第4期 pp. 040201 Select 集成歧管微流道的近结点冷却技术强化芯片热管理 李佳琦, 何伟, 李强 DOI: 10.16257/j.cnki.1681-1070.2025.0068 摘要 （108）      PDF （502KB）（129）    可视化    参考文献 | 相关文章 | 多维度评价 2025年第25卷第2期 pp. 020601 Select 光电共封装技术及其在光学相控阵中的应用研究 张郭勇, DOI: 10.16257/j.cnki.1681-1070.2025.0067 Select 基于GaAs工艺的超宽带低插入损耗高通滤波器* 王文斌,闫慧君,姜严,吴啸鸣,张圣康,施永荣 DOI: 10.16257/j.cnki.1681-1070.2024.0128 摘要 （105）      PDF （956KB）（92）    可视化    基于GaAs工艺设计了一款超宽带低插入损耗高通滤波器，在传统的高通滤波器中加入LC并联谐振电路，构建了一种新颖的拓扑结构，形成了高电阻、低电流的电路条件，同时促进了滤波器单元间的内部耦合，提升了带外抑制能力，改善了电路的陡降性。利用ADS仿真软件进行仿真设计，并对芯片进行了流片验证。该款高通滤波器的截止频率为28 GHz，带内插入损耗小于1.8 dB，芯片尺寸为1.65 mm×0.635 mm×0.1 mm，在DC~2 GHz的带外抑制大于等于77 dB，在DC~4 GHz时陡降为135 dB。 参考文献 | 相关文章 | 多维度评价 2024年第24卷第10期 pp. 100301 Select 基于目标检测的陶封芯片焊缝缺陷X射线检测方法 顾杰斐 摘要 （105）      PDF （398KB）（184）    可视化    参考文献 | 相关文章 | 多维度评价 2024年第24卷第9期 pp. 090601 Select 混合集成电路元器件的黏接渗胶问题研究 韩文静;冯春苗;刘发;袁海 DOI: 10.16257/j.cnki.1681-1070.2024.0100 摘要 （104）      PDF （964KB）（102）    可视化    混合集成电路通过黏接剂实现元器件与基板的连接。但该过程中存在渗胶问题，即黏接剂中的相关组分溢流至引线框架的键合区，导致键合丝的键合强度下降或无法键合，从而引起电路连接问题。研究厚膜多层基板和白陶瓷基板在黏接工艺中的渗胶问题，揭示了渗胶现象与残留在气相清洗液中的助焊剂之间的关联规律，并提出了1种能够有效改善黏接剂渗胶程度的工艺措施，进而解决混合集成电路黏接工艺的渗胶问题。 参考文献 | 相关文章 | 多维度评价 2024年第24卷第8期 pp. 080207 Select 金刚石离子注入射程及损伤的模拟研究 袁野, 赵瓛, 姬常晓, 黄华山, 倪安民, 杨金石 DOI: 10.16257/j.cnki.1681-1070.2024.0153 摘要 （103）      PDF （2107KB）（91）    可视化    摘 ?要：离子注入法作为改善半导体材料表层电学性能的有效方法，被应用于金刚石基半导体器件的制造过程中。使用SRIM软件模拟并研究了Ar+、N+、B+、P+、As+等离子在不同能量（20 ~300 keV）和不同入射角度（0°~40°）下注入金刚石时的射程，及其对金刚石造成的损伤，结果表明，离子的种类、能量和注入角度均是影响离子射程和造成靶材损伤的重要因素，且各有其影响规律。通过改变这些参数，能够精准控制注入离子在金刚石中的射程和靶材损伤程度，为相关科研生产工作提供指导。 参考文献 | 相关文章 | 多维度评价 2024年第24卷第11期 pp. 110402 Select 一种T/R多功能芯片评估系统中的数字设计 蒲璞,黄成,刘一杉,戴志坚 DOI: 10.16257/j.cnki.1681-1070.2024.0179 摘要 （101）      PDF （2061KB）（56）    可视化    T/R多功能芯片是相控阵雷达中的关键元器件，包含射频、数字以及驱动等电路模块，其电性能和功能评估过程极为复杂。在电性能及功能评估过程中，要求数字时序控制信号能够灵活配置，被测量电路的输入时序与其响应结果能一一对应，数字回读信号能直观显示。基于FT245RNL USB接口芯片和EP4CE10E22C8 FPGA，设计了一种针对T/R多功能芯片评估的控制电路，结合矢量网络分析仪、源表等仪器，完成了对芯片电性能和功能的评估。结果表明，上位机应用软件能准确地控制数字信号的收发。该方案在T/R多功能芯片评估系统的数字设计上表现出良好的通用性，为该类电路的评估提供了一种比较实用的思路。 参考文献 | 相关文章 | 多维度评价 2024年第24卷第12期 pp. 120102 Select 带窗口比较器的高速RS-485接收器 贺凌炜;蒋志林 DOI: 10.16257/j.cnki.1681-1070.2024.0129 摘要 （101）      PDF （1239KB）（68）    可视化    将窗口比较器和高速比较器相结合，在实现RS-485接收器开路、短路和端接失效保护功能的前提下，解决了阈值偏斜方法造成的工作速率低的问题。采用5 V工艺，在稍增接收器静态功耗（5%）和版图面积（10%）后，将工作速率提高到了50 Mbit/s。 参考文献 | 相关文章 | 多维度评价 2024年第24卷第9期 pp. 090304 Select TEC通断电情况下焊点寿命预测 李长安,庞德银,俞羽,全本庆,杨宇翔 DOI: 10.16257/j.cnki.1681-1070.2025.0021 摘要 （99）      PDF （1150KB）（120）    可视化    为了研究TEC在高低温通断电实验中发生焊点开裂的问题，采用有限元分析方法分析了TEC焊点在通断电时的热应力，应力分析结果表明，通断电会使得上焊点经历更多次的高低温循环，温度循环在焊点上产生交替变化的热应力，且上焊点的热应力变化比下焊点大，从而导致上焊点更容易发生疲劳开裂。将高温和低温下的各1次通断电等效为1次高低温循环，计算了每次高低温循环中上焊点的蠕变应变能密度，基于蠕变应变能密度，预测了TEC通断电情况下上焊点的寿命，预测的通断电次数对评估TEC服役寿命具有参考意义。 参考文献 | 相关文章 | 多维度评价 2025年第25卷第2期 pp. 020201 Select 基于SiP的半导体激光器恒温控制及驱动系统设计 蔡洪渊，康伟，齐轶楠，邵海洲，俞民良 DOI: 10.16257/j.cnki.1681-1070.2025.0011 摘要 （98）      PDF （1612KB）（68）    可视化    恒定的温度环境及稳定的电流注入是半导体激光器稳定工作的重要条件。传统恒温控制系统和光源电流驱动系统采用电压基准源、运放、功率三极管、MOSFET等分立器件实现，大量分立器件导致了系统电路复杂、可靠性低等问题。利用系统级封装（SiP）技术，将恒温控制系统与光源电流驱动系统进行高密度集成，实现了小型化、集成化、低成本的设计。通过系统级电路和热仿真分析，确保器件设计的可靠性。测试结果表明，该器件的参数满足要求。 参考文献 | 相关文章 | 多维度评价 2025年第25卷第1期 pp. 010306 Select 基于0.15 μm GaAs工艺的高阻带抑制低通滤波器设计* 姜严,吴啸鸣,闫慧君,王文斌,嵇华龙,施永荣 DOI: 10.16257/j.cnki.1681-1070.2024.0127 摘要 （97）      PDF （817KB）（98）    可视化    射频低通滤波器是射频电路的重要组件之一，它基于电感和电容的特性，具有阻止高频信号而通过低频信号的作用。基于GaAs集成无源器件技术，使用ADS仿真软件，在滤波器设计中的特定位置使用不同品质因数（Q值）的电感，最终设计实现了一款性能优良的高阻带抑制低通滤波器。测试结果表明，在通带DC~17 GHz内，滤波器插入损耗≤2.28 dB，回波损耗≥14.5 dB，其带外抑制在22 GHz处达到23 dB，在26~50 GHz处≥43 dB，芯片尺寸为1.4 mm×0.55 mm×0.1 mm，该滤波器性能优异。 参考文献 | 相关文章 | 多维度评价 2024年第24卷第10期 pp. 100302 Select 6061/4047铝合金激光封焊显微组织及性能研究 徐强,杨丽菲,舒钞,肖富强 DOI: 10.16257/j.cnki.1681-1070.2025.0024 摘要 （97）      PDF （768KB）（88）    可视化    在微波组件模块中，为防止裸芯片加工后出现的磕碰、氧化及加速老化等问题，需要对微波组件模块进行封盖处理，以保证其有良好的气密性和使用性能。采用激光封焊技术焊接6061/4047铝合金，采用电火花线切割机切取焊缝试样。采用金相显微镜分析焊缝组织形貌，并使用显微硬度计测试焊缝硬度。采用拉力试验机进行破坏性拉力试验，并使用金相显微镜观察断口形貌。结果表明，焊缝与6061/4047铝合金界面形成了良好的冶金层，焊缝硬度低于6061/4047铝合金，焊缝中心位置的硬度最高，拉伸断口位于6061铝合金侧，断口为典型的塑性断裂形貌。 参考文献 | 相关文章 | 多维度评价 2025年第25卷第2期 pp. 020203 Select 面向PCB应用的超薄铜箔电镀制备研究进展 高子泓, 刘志权, 李财富 DOI: 10.16257/j.cnki.1681-1070.2025.0084 Select 采用交叉耦合误差放大器的低压高增益LDO设计* 张锦辉，朱春茂，张霖 DOI: 10.16257/j.cnki.1681-1070.2025.0007 摘要 （96）      PDF （1568KB）（70）    可视化    设计了一种低输入电压、高增益的LDO，其误差放大器采用交叉耦合结构来增大环路增益，并通过密勒电容和调零电阻的串联引入1个左半平面的零点，确保该电路的频率响应环路稳定性。采用0.35 μm标准CMOS工艺进行仿真，输入电压为1.5 V、负载最大电流为100 mA。仿真结果表明，构建的LDO可以将输出电压稳定在1.2 V，环路的低频增益在轻载的情况下高达122 dB，芯片面积为0.196 mm2，且相位裕度在重载情况下亦能做到大于58°，静态电流为21.2 μA。由于交叉耦合误差放大器的使用，电路的精度得到很大提高，负载调整率可以达到0.007%，所设计的LDO有较高的应用价值。 参考文献 | 相关文章 | 多维度评价 2025年第25卷第1期 pp. 010305 Select 一种高速宽范围共模电压搬移结构 贺凌炜, 孙祥凯 DOI: 10.16257/j.cnki.1681-1070.2024.0154 摘要 （94）      PDF （997KB）（80）    可视化    基于多点低电压差分信号（MLVDS）电路的长距离信号传输中对接收器的宽输入范围需求，提出了一种高速宽范围共模电压搬移结构，该结构能在差模电压不受影响的前提下对共模电压进行搬移，从而提高后级比较器输入信号质量，维持整体接收器工作频率。所设计的MLVDS接收器电路基于3.3 V工艺完成了仿真验证，结果表明其差分输入可在-5～15 V的共模电压内，高速接收差模大小为50 mV的差模信号。该结构适用于多种高速I/O接口电路设计。 参考文献 | 相关文章 | 多维度评价 2024年第24卷第11期 pp. 110301 Select 基于氮化铝陶瓷的收发组件射频信号拖尾研究 赵俊顶;任屹灏;陈晓青;张端伟;陈家明 DOI: 10.16257/j.cnki.1681-1070.2024.0098 摘要 （93）      PDF （1076KB）（97）    可视化    以收发组件为应用背景，发现基于氮化铝陶瓷基板的射频电路导致射频信号拖尾，而射频信号拖尾时间直接影响接收通道限幅恢复时间，进而严重影响收发系统的接收灵敏度。研究发现氮化铝陶瓷是一种压电半导体材料，在射频信号传输过程中会产生压电效应，进而导致射频信号拖尾，传输功率越大产生的压电效应越强、射频信号拖尾时间越长。研究成果对于大功率收发组件电路基板选用具有理论指导意义和工程应用价值，特别是在高精测高、超近测距等雷达应用领域。 参考文献 | 相关文章 | 多维度评价 2024年第24卷第8期 pp. 080403 Select 用于酵母菌检测的微波超材料传感器* 宋怡然;梁峻阁;顾晓峰 DOI: 10.16257/j.cnki.1681-1070.2024.0088 摘要 （93）      PDF （1129KB）（91）    可视化    在食品加工领域，监测酵母菌的含量对产品的产率和安全性有着极其重要的意义，常用的平板计数法等传统方法存在操作复杂、检测时间长、设备体积大等问题，因此有必要开发一种新型的酵母菌传感器以满足食品加工领域的复杂需求。提出了一种操作简单、非接触、低成本和小型化的微波超材料生物传感器，用于检测浓度范围为5×101~5×104 CFU/mL的酵母菌溶液。该微波传感器将超材料结构与叉指电容结构相结合，实现了设备的小型化，进一步增强了传感器表面的电场强度，提高了酵母菌检测的灵敏度。利用谐振频率和谐振幅值2个微波参数表征了不同浓度的酵母菌溶液，检测过程中谐振频率和谐振幅值的变化量分别为2.6 MHz和0.03 dB，实现了酵母菌溶液的传感。这项研究为食品加工领域酵母菌浓度的监测提供了新的方案，拓宽了微波生物传感的应用。 参考文献 | 相关文章 | 多维度评价 2024年第24卷第8期 pp. 080501 Select 内嵌NPN结构的高维持电压可控硅器件* 陈泓全,齐钊,王卓,赵菲,乔明 DOI: 10.16257/j.cnki.1681-1070.2024.0081 摘要 （93）      PDF （1548KB）（85）    可视化    针对传统可控硅（SCR）器件触发电压高、维持电压低、闩锁风险大等问题，提出了一种内嵌NPN结构的高维持电压SCR器件。维持电压由传统器件的1.2 V显著增大到10.3 V。与传统结构相比，该新型SCR结构体内存在2条电流路径，通过嵌入的NPN电流路径延缓了器件中寄生PNP管的开启过程，抑制了SCR结构里NPN与PNP的正反馈过程，使得SCR电流路径在电流较大时才能完全开启，从而达到提高维持电压的目的。基于半导体器件仿真软件，模拟了器件在直流下的电学特性，分析其工作机理并讨论了关键器件参数对其电学特性的影响。 参考文献 | 相关文章 | 多维度评价 2024年第24卷第7期 pp. 070401 Select 基于Chisel语言的异步FIFO设计及验证 蒋文成;黄嵩人 DOI: 10.16257/j.cnki.1681-1070.2024.0122 摘要 （92）      PDF （1116KB）（111）    可视化    采用敏捷硬件开发语言Chisel，对数字系统设计中经常使用的异步先进先出（FIFO）进行设计，使用Chisel语言特性提高了设计效率和质量。使用ChiselTest框架对所设计的异步FIFO进行基本功能仿真验证，使用通用验证方法学（UVM）进行更加完备的功能仿真验证，再使用Quartus Ⅱ软件进行逻辑综合。对比使用Chisel语言与使用传统硬件描述语言（HDL）设计的异步FIFO综合结果，结果表明，使用传统HDL语言设计的异步FIFO消耗了50个组合逻辑单元，而使用Chisel语言设计的异步FIFO，综合后仅消耗了39个组合逻辑单元。 参考文献 | 相关文章 | 多维度评价 2024年第24卷第9期 pp. 090302 Select 适用于Flash型FPGA的宽范围输出负压电荷泵设计 吴楚彬,高宏,马金龙,张章 DOI: 10.16257/j.cnki.1681-1070.2024.0106 摘要 （90）      PDF （1610KB）（95）    可视化    在Flash型FPGA的编程、擦除和回读检验等操作中，需要对Flash单元提供不同的正负高压偏置。提出一种适用于Flash型FPGA的负压电荷泵，该电荷泵采用三阱Flash工艺，消除了衬偏效应和衬底漏电的影响。电荷泵主体采用双支路并联结构，级数为6级。通过参考电压产生电路提供不同的输入参考电压，并结合电荷泵控制系统，可以实现电荷泵输出电压的自由调节，满足Flash型FPGA编程、擦除的负压要求。基于0.13 μm Flash工艺对电荷泵进行设计及流片，在200 pF负载电容下，实测得到-5.5 V输出的建立时间仅为8 μs，输出纹波为72 mV，-17.5 V输出的建立时间为30 μs，输出纹波仅为56 mV，满足Flash型FPGA操作要求。 参考文献 | 相关文章 | 多维度评价 2024年第24卷第7期 pp. 070303 Select 高密度有机基板阻焊油墨显影与侧蚀研究 杨云武, 俞宏坤, 陈君跃, 程晓玲, 沙沙, 林佳德 DOI: 10.16257/j.cnki.1681-1070.2025.0098 Select 基于纳米铜膏的导电结构激光并行扫描烧结成型技术* 王文哲，李权震，余胜涛，笪贤豪，何伟伟，杨冠南，崔成强 DOI: 10.16257/j.cnki.1681-1070.2025.0016 摘要 （88）      PDF （1851KB）（71）    可视化    针对柔性基板中导电结构的快速成型，对纳米铜膏的多道激光并行扫描烧结技术进行了优化。探究了不同功率和填充间距对激光烧结过程中的纳米铜膏烧结形貌和电阻率的影响，得出最佳的工艺参数。适当缩小间距可提高烧结程度和导电性，但间距过小易导致基板过热。实验结果表明，最佳工艺参数组合为功率170 mW、间距10 μm、光斑直径15 μm，此时烧结线路呈现金属铜色，并形成网状烧结结构，测得电阻率为5.32×10－6 Ω·cm。对比聚酰亚胺（PI）和聚对苯二甲酸乙二醇酯（PET）薄膜在激光烧结过程中的效果，分析了基板的耐热性和透光性对烧结效果的影响机理，为后续清洗工艺提供可行性参考。 参考文献 | 相关文章 | 多维度评价 2025年第25卷第1期 pp. 010402 Select 乙基纤维素影响下的微米银焊膏和纳米银焊膏烧结对比研究* 喻龙波,夏志东,邓文皓,林文良,周炜,郭福 DOI: 10.16257/j.cnki.1681-1070.2025.0037 摘要 （87）      PDF （2386KB）（103）    可视化    微米银（Ag MPs）焊膏和纳米银（Ag NPs）焊膏因其低温烧结、高温服役的特点而成为最有可能用于高温封装的连接材料。研究了乙基纤维素对Ag MPs和Ag NPs焊膏烧结结果的影响，分析了相同条件下2组焊膏烧结结果存在差异的原因。结果表明，在无压、250 ℃、空气条件下，添加质量分数为5%的乙基纤维素，2组焊膏的烧结性能较好，Ag MPs焊膏烧结所得接头强度和薄膜电阻率为8.57 MPa和4.25 μΩ·cm，Ag NPs焊膏烧结所得接头强度和薄膜电阻率为32.89 MPa和7.71 μΩ·cm。接头界面和薄膜微观形貌表明，烧结后颗粒间形成的烧结颈和烧结组织均匀性是影响连接强度的关键因素，而烧结组织致密度则是影响导电性的主要因素。研究结果为进一步提高银焊膏烧结接头强度和烧结薄膜导电性提供了参考。 参考文献 | 相关文章 | 多维度评价 2025年第25卷第3期 pp. 030102 Select 适用于STT-MRAM的写电压产生电路设计 莫愁，王艳芳，李嘉威，陆楠楠 DOI: 10.16257/j.cnki.1681-1070.2025.0001 摘要 （86）      PDF （1315KB）（48）    可视化    自旋转移力矩随机磁存储器（STT-MRAM）是一种新型的非易失性存储器，在各行各业均具有广泛的应用前景。STT-MRAM使用磁隧道结（MTJ）器件来存储信息，写电压通常是零温度系数的，但MTJ的临界翻转电压具有负温度特性，高温时写电压与临界翻转电压相差较大，影响器件寿命，低温时写电压与临界翻转电压接近，甚至可能低于临界翻转电压，导致写入困难。针对MTJ的临界翻转电压的负温度特性，设计了一款宽温区温度自适应的写电压产生电路，在-40~125 ℃下为MTJ提供稳定的写电压，实现宽温度范围尤其是低温下数据的正常写入，并提高了高温下器件的寿命。经过后仿真验证，该电路在-40~125 ℃温度范围内均能实现MTJ成功写入，且写入电压与临界翻转电压的差值在100 mV左右。 参考文献 | 相关文章 | 多维度评价 2025年第25卷第1期 pp. 010301 Select 基于输电线异物的轻量级目标检测方法研究 徐玲玲, 林伟 DOI: 10.16257/j.cnki.1681-1070.2024.0167 摘要 （86）      PDF （1408KB）（64）    可视化    输电线路上的异物检测对确保电力系统安全运行至关重要。为了提高输电线异物识别效率，改进了YOLOv3-Tiny模型。首先在头部网络中，采用深度可分离卷积替代标准卷积、归一化和激活函数结构，分离空间和通道相关性，降低卷积计算量，提高了识别的速度；其次，引入了考虑距离损失、高宽损失的EIoU的损失函数替代原始的损失函数，使得模型找到边界框预测与类别预测之间的最佳点，从而提升算法的检测效果。消融实验验证了这些改进的有效性，结果表明，改进后的模型在保持高精度的同时，检测速率（FPS）提高了2.02倍，减少了74.17%的参数量，大幅降低了计算资源需求。该算法在资源受限环境中表现出色，具备实际应用价值。 参考文献 | 相关文章 | 多维度评价 2024年第24卷第12期 pp. 120501 Select 一种基于汉明码纠错的高可靠存储系统设计 史兴强,刘梦影,王芬芬,陆皆晟,陈红 DOI: 10.16257/j.cnki.1681-1070.2024.0067 摘要 （83）      PDF （1077KB）（87）    可视化    为提高片上存储的可靠性，设计了一种基于汉明码纠错的高可靠性存储系统。该电路包括检错纠错（ECC）寄存器模块和ECC_CTRL模块。CPU可通过高级高性能总线（AHB）配置ECC寄存器以实现相应功能，SRAM和Flash的读写数据则通过ECC_CTRL模块进行校验码的生成和数据的检错纠错。仿真结果表明，该高可靠存储系统能够检测单bit和双bit错误，纠正单bit错误，提高了数据存储的可靠性，同时可将发生错误的数据和地址锁存在寄存器中，以便用户规避访问发生错误的地址。 参考文献 | 相关文章 | 多维度评价 2024年第24卷第7期 pp. 070301 Select 一种12位电压与电流组合型DAC设计 桂伯正,黄嵩人 DOI: 10.16257/j.cnki.1681-1070.2025.0015 摘要 （83）      PDF （1288KB）（49）    可视化    采用40 nm CMOS工艺设计了一款12位200 kSample/s低功耗数模转换器（DAC）芯片。结合建立速度和静态性能的设计指标，设计了“7+5”分段式电压与电流组合型结构和AB类输出缓冲器，在保证建立速度的条件下考虑到电阻的失配性，实现了良好的微分非线性（DNL）和积分非线性（INL）特性。测试结果表明，在-40~125 ℃下，DNL＜0.2 LSB，INL＜2 LSB，DAC具有精度高、单调性好、负载能力强的特点。 参考文献 | 相关文章 | 多维度评价 2025年第25卷第2期 pp. 020301 Select 纳米铜粉的制备方法及其在电子封装行业的应用 王一帆,汪根深,孙德旺,陆冰沪,章玮,李明钢 DOI: 10.16257/j.cnki.1681-1070.2025.0047 摘要 （81）      PDF （1797KB）（98）    可视化    纳米铜粉在电子封装领域可作为浆料的填充材料实现低温烧结，替代价格较高的银，具有广阔的应用前景。纳米铜粉的尺寸、形貌、纯度等与制备方法密切相关，有必要深入了解不同制备方法，实现粒径精准控制。综述了3种主流的纳米铜粉制备方法，重点对成本较低的液相还原法进行了介绍。介绍了纳米铜粉在低温烧结铜浆中的应用，分析了浆料成分、烧结参数等因素对铜浆烧结性能的影响，指明了纳米铜粉的技术瓶颈及发展趋势，纳米铜粉的粒径、形貌可控及抗氧化措施将成为未来研究热点。 参考文献 | 相关文章 | 多维度评价 2025年第25卷第3期 pp. 030110 Select 某型运算放大器失效机理研究 李鹏,解龙,刘曦 DOI: 10.16257/j.cnki.1681-1070.2024.0072 摘要 （81）      PDF （2418KB）（90）    可视化    针对某系统调试过程中出现的某型运算放大器塑封固定后测试不合格问题，通过制定失效分析方案探究其失效机理。对失效样品进行电参数测试，发现输出电压异常，同时偏置电流、输入失调电压等参数超差，初步判定失效机理为静电损伤，随后进行I-V特性曲线测试和对比分析，确认第2路输入端口对正电源端口开路。通过X射线检测和颗粒碰撞噪声检测排查器件封装内部可能存在的缺陷及可动多余物，并将器件开封，观察内部结构和版图，发现Pin5处存在明显的击穿痕迹。以最大耐受值电压为起始电压，步进为100 V，对合格样品进行人体模型静电放电试验，验证了运算放大器因静电放电导致晶体管击穿烧毁的失效机理。 参考文献 | 相关文章 | 多维度评价 2024年第24卷第7期 pp. 070202 Select 一种自激式推挽隔离变换电路设计 郭靖，孙鹏飞，袁柱六 DOI: 10.16257/j.cnki.1681-1070.2025.0005 摘要 （80）      PDF （1071KB）（61）    可视化    电子设备供电常采用分布式供电架构，将一次电源通过直流-直流功率变换为电子设备所需的各种电压和功率。电子设备的端电压越来越低（如给MCU、FPGA等器件供电的电压为1.5~3.3 V），而电子设备中一些信号数字电路、驱动电路等需要电压为5 V或者12 V、功率约为1 W的小功率供电电源，同时需要隔离主功率电路和信号电路的相互干扰，保证信号电路的精密度和信号完整性，如果从一次电源母线直接进行功率变换，转换效率低、体积大、质量大。为满足电子设备的供电需要以及对效率、体积、质量的要求，基于Royer变换电路提出一种自激推挽式隔离变换电路，通过研究该电路的工作原理，进行模态分析，给出了关键元器件参数的计算与设计过程，在此基础上通过电路试验研制出样品，验证了其可行性。 参考文献 | 相关文章 | 多维度评价 2025年第25卷第1期 pp. 010303 Select 流体辅助飞秒激光技术在半导体材料微纳加工中的应用与进展 孙凯霖, 田志强, 杨德坤, 赵鹤然, 黄煜华, 王诗兆, DOI: 10.16257/j.cnki.1681-1070.2025.0087 Select IPM模块散热片变色研究 龚平,陈莉,顾振宇,潘效飞 DOI: 10.16257/j.cnki.1681-1070.2025.0030 摘要 （80）      PDF （986KB）（91）    可视化    智能功率模块（IPM）封装往往采用散热片外露的形式以提高其与外部环境的热交换效率。散热片通常是由具有高导热率的框架或者基板（如双面覆铜陶瓷基板）制成。由于陶瓷基板的结构特性，基板外露在塑封体外部一侧的铜层在镀锡过程中不会被锡层覆盖，因此会出现表面变色问题。对具有双面敷铜陶瓷基板的IPM模块的散热片变色现象展开分析，总结了变色的处理方法、预防措施以及各自的优缺点。研究结果表明，在封装工艺设计中，将处理与预防方法相结合，才能有效解决IPM封装中双面覆铜陶瓷基板散热片的变色问题。 参考文献 | 相关文章 | 多维度评价 2025年第25卷第2期 pp. 020206 Select 基于FPGA的JPEG-XS高性能解码器硬件架构设计 郑畅,吴林煌,李雅欣,刘伟 DOI: 10.16257/j.cnki.1681-1070.2025.0019 摘要 （77）      PDF （1280KB）（48）    可视化    JPEG-XS视频编解码标准具有高质量、低复杂度、低延时等特点。针对JPEG-XS图像编解码压缩标准，对其解码算法进行了简要介绍，提出了一种面向硬件实现的高性能JPEG-XS解码器架构。所设计的解码器硬件架构采用流水线处理，能够在保持高数据吞吐量的同时减少由组合逻辑带来的路径延迟，提高了工作频率，每个时钟周期可解码4个重构像素值。实验结果表明，在Xilinx Zynq FPGA的实验平台上，所设计的高性能JPEG-XS解码器硬件架构仅占用15k的查找表和10k的寄存器资源，最高主频达254 MHz，最高可支持4K、100 frame/s的实时视频解码。 参考文献 | 相关文章 | 多维度评价 2025年第25卷第2期 pp. 020303 Select 镍电极MLCC排胶后残碳量及其电性能研究 蒋晋东，易凤举，陈沫言，程淇俊 DOI: 10.16257/j.cnki.1681-1070.2025.0003 摘要 （77）      PDF （1336KB）（68）    可视化    多层陶瓷电容（MLCC）固有的坯体有机物残留导致产品可靠性低，其主要原因是排胶不充分。通过改变排胶工序的不同工艺条件，使用硫碳分析仪对排胶后坯体残碳量进行量化，结合破坏性物理分析、扫描电镜对烧成后的产品进行结构分析，并对成品进行电性能测试，探索残碳量与成品的电极连续性、电性能及可靠性之间的联系。结果表明通过增大气体交换、降低排胶升温速率、延长保温时间等手段可有效降低排胶后的残碳量，烧成MLCC的内电极连续性变得更好，容量和击穿电压等电性能数据得到提升，介质层变得更致密，使用寿命延长。所探讨的测定排胶充分性以及增加排胶充分性的方法可为MLCC工业生产中的排胶作业提供参考。 参考文献 | 相关文章 | 多维度评价 2025年第25卷第1期 pp. 010401 Select 面向大规格矩阵协方差运算的高性能硬件加速器设计* 陈铠, 刘传柱, 冯建哲, 滕紫珩, 李世平, 傅玉祥, 李丽, 何国强 DOI: 10.16257/j.cnki.1681-1070.2024.0172 摘要 （75）      PDF （1661KB）（72）    可视化    随着雷达系统向多通道、高带宽方向发展，大规格矩阵带来的协方差运算实时性问题限制了空时二维自适应处理（STAP）技术在先进机载雷达平台上的应用。提出了一种高性能硬件加速器设计方法，旨在满足日益增长的大规格矩阵协方差处理需求，同时提高低功耗约束下的运算效率。加速器由运算部件、控制模块、存储模块和DMA控制器组成，通过对矩阵按列分段处理的方式，在硬件存储资源有限的条件下，支持最大256×8192的矩阵协方差运算。设计了下三角运算控制逻辑，降低了运算量，并提出了一套高并发乒乓存储、流水乘累加树处理机制，提高了处理效能。流片测试结果表明，该加速器处理大规格矩阵协方差运算时性能为算力接近的CPU核的70倍以上。 参考文献 | 相关文章 | 多维度评价 2024年第24卷第12期 pp. 120306 Select GaN功率放大器输出功率下降失效分析* 张茗川,戈硕,袁雪泉,钱婷,章勇佳,季子路 DOI: 10.16257/j.cnki.1681-1070.2025.0017 摘要 （75）      PDF （1463KB）（536）    可视化    GaN管芯是微波功率放大器的核心器件，其热性能很大程度上决定了功率放大器的电性能。针对某一型号功率放大器在直流老化后出现输出功率下降的现象，利用红外热像、声学扫描、能谱分析等分析方法对失效功率放大器开展了分析研究。结果表明，放大器管芯背金金属层之间发生明显分层，导致器件热阻增大，老炼时管芯结温超过安全工作区，从而使得放大器输出功率下降。 参考文献 | 相关文章 | 多维度评价 2025年第25卷第2期 pp. 020401 Select 抗辐照电源监控电路的极限评估试验研究 文科，文闻，钟昂，余航，罗俊 DOI: 10.16257/j.cnki.1681-1070.2024.0157 摘要 （75）      PDF （1244KB）（89）    可视化    基于国内某款抗辐照电源监控电路开展了极限评估研究，分析该款产品的详细规范、核心参数、极限判据等内容。通过设计步进应力试验、寿命试验、辐照试验等，评估电路在电、热、机械等应力下的极限能力和失效模式，并对极限评估的方案有效性进行了验证。试验结果表明，设计的极限评估方案能够有效反映器件在各种极限条件下的性能，通过试验可以查出器件的设计薄弱环节和失效模式，为器件在设计、工艺以及材料方面的优化提供支撑。 参考文献 | 相关文章 | 多维度评价 2024年第24卷第11期 pp. 110202 Select 嵌入分段半超结的p-栅增强型垂直GaN基HFET* 杨晨飞,韦文生,汪子盛,丁靖扬 DOI: 10.16257/j.cnki.1681-1070.2024.0096 摘要 （75）      PDF （4209KB）（97）    可视化    元胞面积相同的增强型垂直GaN/AlGaN异质结场效应管比横向HFET能承受更高的电压和更大的电流，适用于大功率领域，但在耐压时漂移区场强峰值高而容易提前击穿。提出了一种嵌入分段半超结的增强型垂直HFET，利用p型掺杂GaN栅和p+型掺杂GaN电流阻挡层抬高GaN/AlGaN异质结导带至费米能级之上，在栅压为0时夹断异质结的2DEG沟道，实现增强功能；在漂移区两侧插入2段p-GaN柱，形成p/n/p型离散半超结，改善电场均匀性。采用Silvaco TCAD软件模拟了Al组份、CBL浓度、p-GaN柱的宽度和厚度等参数对器件性能的影响。结果表明，相比于包含普通半超结的HFET，本器件的击穿电压提升了8.67%，静态品质因数提升了11.25%，导通延时缩短了16.38%，关断延时缩短了3.80%，可为设计高性能HFET提供新思路。 参考文献 | 相关文章 | 多维度评价 2024年第24卷第8期 pp. 080402 Select 单BJT支路运放失调型带隙基准电路 王星,相立峰,张国贤,孙俊文,崔明辉 DOI: 10.16257/j.cnki.1681-1070.2024.0166 摘要 （74）      PDF （1191KB）（90）    可视化    提出一种单双极结型晶体管（BJT）支路运放失调型带隙基准电路，与传统带隙基准相比，所提出的带隙基准具有更少的BJT和无源元件，功耗更低。该带隙基准结构的BJT的发射极-基极电压VBE与绝对温度成反比（CTAT），基于运算放大器工作在亚阈值区的非平衡输入对管的栅极-漏极电压的差值ΔVGS与绝对温度成正比（PTAT），通过单BJT支路线性叠加，得到带隙基准电压。所提出电路通过两级运放和具有源跟随功能的单BJT支路构成闭环负反馈系统，运放电路采用米勒电容进行频率补偿，提高系统稳定性。此外，通过在输出节点增加输出电容，改善高频情况下的电源抑制比（PSRR）。所提出的带隙基准电路基于标准SMIC 55 nm CMOS混合信号工艺制造，在-55~125 ℃范围内实现了15.7×10-6/℃的温度系数，基准输出电压为1.27 V，PSRR在1 Hz、1 kHz、10 MHz时分别为-39.65 dB、-39.65 dB、-33.81 dB，功耗为0.730 μW，电路稳定时间为20 μs，无需启动电路，具有良好的性能指标。 参考文献 | 相关文章 | 多维度评价 2024年第24卷第12期 pp. 120304 Select 面向CMOS图像传感器的噪声抑制研究进展 陈建涛, 郭劼, 钟啸宇, 顾晓峰, 虞致国 DOI: 10.16257/j.cnki.1681-1070.2025.0059 Select 基于安时积分法估算电池低温荷电状态的方法对比 李丽珍, 王星, 向小华, 叶源, 沈小波 DOI: 10.16257/j.cnki.1681-1070.2025.0020 摘要 （71）      PDF （1445KB）（43）    可视化    低温环境下锂离子电池最大可用容量减少，直接影响低温荷电状态（SoC）的估算精度。测试了磷酸铁锂电池在不同温度下的最大可用容量，提出了线性低温容量损失模型和定值低温容量损失模型，分析对比了电池在这2种模型下损失的容量随温度变化的趋势，并基于安时积分法对比了这2种低温容量损失模型对SoC估算的影响。通过MATLAB/Simulink仿真及实车低温充电和放电试验对比了这2种SoC的估算方法。结果表明，线性低温容量损失模型的估算精度较高，整车低温充电试验和低温放电试验的SoC估算误差分别为1.81%和3.64%，且电池静置时SoC不随电池温度变化，更加符合终端客户预期。 参考文献 | 相关文章 | 多维度评价 2025年第25卷第2期 pp. 020501 Select 4通道X波段50 W功放模块设计 王洪刚,丛龙兴 DOI: 10.16257/j.cnki.1681-1070.2024.0163 摘要 （70）      PDF （1618KB）（79）    可视化    基于GaN功放模块的阵列化应用，采用GaN功率单片和栅极调制设计了一款4通道X波段50 W功放模块，该模块在频段为8~12 GHz、工作电压为+28 V、脉宽为200 ns~700 μs、周期为1 μs~2.8 ms的工作条件下，功率增益大于42 dB，功率附加效率超过28.7%，饱和输出功率大于47 dBm。 参考文献 | 相关文章 | 多维度评价 2024年第24卷第12期 pp. 120301 Select 用于Si-APD的高能注入工艺优化研究 刘祥晟，荆思诚，王晓媛，张明，陈慧蓉，潘建华，朱少立 DOI: 10.16257/j.cnki.1681-1070.2024.0161 摘要 （70）      PDF （1311KB）（68）    可视化    雪崩区注入能量对硅基雪崩光电二极管性能影响极大，大束流高能注入的工艺需求极高的设备成本。通过理论仿真计算和实验流片，调整雪崩区的注入能量和改善雪崩区的扩散时间，将注入能量从600 keV降低到390 keV，并在低成本的中束流离子注入机上对比验证。优化前后的器件性能都满足规范要求，参数上无明显差异。工艺方法简单可控，能有效降低注入设备成本，提升硅基雪崩光电二极管产能。 参考文献 | 相关文章 | 多维度评价 2024年第24卷第11期 pp. 110403 Select 高导热TIM的实现方法及其可靠性研究进展 胡妍妍 马立凡 王珺 DOI: 10.16257/j.cnki.1681-1070.2025.0085 Select 一种耐热、低温固化且强连接的地聚物封装材料 孙庆磊,李嘉宁,崔粲,李施霖 DOI: 10.16257/j.cnki.1681-1070.2024.0139 摘要 （69）      PDF （544KB）（112）    可视化    参考文献 | 相关文章 | 多维度评价 2024年第24卷第7期 pp. 070601 Select 基于神经网络的PCB电源分配网络阻抗预测方法 段克盼，贾小云，韩东辰，蒋建伟，杨振英，郭宇 DOI: 10.16257/j.cnki.1681-1070.2025.0012 摘要 （68）      PDF （1587KB）（63）    可视化    针对传统电源分配网络（PDN）建模及计算方法存在的局限性和高计算资源消耗问题，提出了一种基于深度学习的PDN阻抗预测方法（URPNet）。该方法在融合PCB不规则形状、多叠层信息及多种电容端口位置信息的基础上，采用U型编解码结构和残差单元来处理特征，通过多层感知机（MLP）及全连接（FC）层对特征进行解码和重构，从而提升网络的特征处理能力。实验结果显示，URPNet模型的决定系数R2达到0.999，均方根误差为0.431，相较于现有深度学习方法，URPNet在通用性较强的同时预测结果更准确。此外其计算速度快，能够在不到1 s的时间内完成预测，可以有效应对PDN设计中的挑战。 参考文献 | 相关文章 | 多维度评价 2025年第25卷第1期 pp. 010307 Select 基于Python语言的基站自动化校准系统 李勇 DOI: 10.16257/j.cnki.1681-1070.2024.0164 摘要 （67）      PDF （1594KB）（66）    可视化    为适应多方通信的需求，复杂无线通信系统对射频单元功率控制有较高要求。要明确射频单元的收发功率，必然要对接收和发射模块分别进行校准。详细介绍了校准原理和校准步骤，并给出了一个校准结果样例。使用Python语言实现了收发模块校准自动化。这种校准方法具有较高的可靠性，可以推广到有功率控制要求的其他射频单元中。 参考文献 | 相关文章 | 多维度评价 2024年第24卷第12期 pp. 120302 Select 基于激光辅助瞬态液相微连接技术的热敏元件气密性封装工艺 霍永隽,宋佳麒,胡世尊 DOI: 10.16257/j.cnki.1681-1070.2024.0134 摘要 （67）      PDF （392KB）（169）    可视化    参考文献 | 相关文章 | 多维度评价 2024年第24卷第6期 pp. 060601 Select 2.5D封装关键技术的研究进展 马千里, 马永辉, 钟诚, 李晓, 廉重, 刘志权 DOI: 10.16257/j.cnki.1681-1070.2025.0111 Select 大规模Flash型FPGA整体功能仿真验证方法研究 蔺旭辉，马金龙，曹杨，熊永生，曹靓，赵桂林 DOI: 10.16257/j.cnki.1681-1070.2025.0014 摘要 （66）      PDF （1309KB）（61）    可视化    提出了一种大规模Flash型FPGA整体电路编程后功能仿真验证的方法。通过对核心Flash单元建立数字Verilog等效模型，采用整体数字仿真验证和模拟仿真验证的方法，结合编程功能案例，对器件内部所有的资源模块进行功能仿真验证，并且提出了加快整体电路数字仿真速度的方法。将提出的仿真验证方法成功应用于大规模Flash型FPGA芯片设计验证，得到了正确的验证结果，整体电路仿真验证速度得到了显著提升。 参考文献 | 相关文章 | 多维度评价 2025年第25卷第1期 pp. 010308 Select 一种JPEG-XS编码器的硬件架构优化设计 李雅欣,吴林煌,刘伟,郑畅 DOI: 10.16257/j.cnki.1681-1070.2025.0023 摘要 （64）      PDF （2472KB）（43）    可视化    为将JPEG-XS这一主流的浅压缩算法与现场可编程门阵列（FPGA）相结合，设计了一种适用于高分辨率、高帧率应用场景的视频编码器，提出了一种完整的JPEG-XS编码器硬件方案。对整个编码器进行流水线编码设计，实现模块间时间上的复用，对于模块内部，提出了4行并行计算的5/3小波变换架构，对于耗时最长的熵编码模块提出了并行编码各子包的硬件方案。实验结果表明，在Xilinx UltraScale+ ZCU102的FPGA平台，该硬件架构仅占用38.9×103个查找表资源和23.8×103个寄存器资源，最大主频可达182.24 MHz，可支持4K@60帧/s的实时编码。 参考文献 | 相关文章 | 多维度评价 2025年第25卷第2期 pp. 020304 Select SO-8塑封器件湿热耦合可靠性研究 李登科 DOI: 10.16257/j.cnki.1681-1070.2025.0036 摘要 （64）      PDF （1586KB）（103）    可视化    随着塑封器件大规模应用于各类电子产品，对其可靠性的研究逐渐成为人们关注的热点。塑封材料的吸湿特性导致塑封器件对水汽十分敏感，因此研究塑封器件的湿热特性极具应用价值。基于ANSYS Workbench有限元软件对SO-8塑封器件进行了高压蒸煮试验仿真，分析了器件在湿热耦合试验条件下各个结构的应力、应变分布。仿真结果表明，SO-8塑封器件内部各个结构互相接触的位置存在较大的应力和应变，其中引脚框架和塑封料的界面存在的应力和应变相对较大，这些部位是塑封器件易发生分层现象的位置。结合SO-8塑封器件在高压蒸煮试验后的超声扫描图像可以发现，湿热耦合试验条件下SO-8塑封元器件的分层主要发生在引脚框架上，这一现象与有限元仿真结果一致，为SO-8塑封器件的设计与封装提供了重要参考。 参考文献 | 相关文章 | 多维度评价 2025年第25卷第4期 pp. 040204 Select 基于SiP应用的多层有机复合基板的三维堆叠 姚剑平，李庆东，管慧娟，杨先国，苟明艺 DOI: 10.16257/j.cnki.1681-1070.2025.0044 摘要 （64）      PDF （1053KB）（86）    可视化    为使射频微波产品进一步实现小型化、通用化和系列化的设计、生产和应用，提出了一种基于多层有机复合基板的三维堆叠集成封装设计方法和工艺实现方法，并将其应用到了一款变频系统级封装（SiP）组件中。相较于二维高密度集成，基于多层有机复合基板的三维堆叠集成封装加强了垂直方向的空间利用率，能够进一步实现射频产品的小型化。多层有机复合基板三维堆叠模型的仿真和实测结果表明，此结构模型可以满足宽频带射频信号传输要求。采用多层有机复合基板三维堆叠方式设计的变频SiP组件的性能满足指标要求，设计方法和工艺实现方法具有可实现性。 参考文献 | 相关文章 | 多维度评价 2025年第25卷第4期 pp. 040208 Select 军用DC/DC电源模块失效分析研究 李鹏，张竹风，王自成，刘红，赵国发 DOI: 10.16257/j.cnki.1681-1070.2025.0041 摘要 （63）      PDF （2420KB）（90）    可视化    针对某武器系统研制过程中出现的2只DC/DC电源模块输出异常问题，通过制定失效分析方案探究其失效机理。对失效模块进行外观检查，各管脚均存在不同程度的绝缘子破裂现象；进行电性能和I-V特性曲线测试，并与合格样品进行对比，发现2只失效模块的Pin3与Pin5之间分别存在二极管特性异常和连接性异常现象，初步确定失效部位；通过X射线检测设备对模块内部基板和引线架进行检查，发现1#模块的2处VDMOS管键合丝断裂，断面呈熔球状；进一步将模块物理开封进行内部检查，观察到1#模块的VDMOS管芯片中间部位存在高温引起的变色现象，2#模块的管脚焊接点存在明显裂缝。对失效原因进行排查和分析，结果表明，电源端过电应力导致1#模块的VDMOS烧毁，焊接不良造成2#模块的输出异常。 参考文献 | 相关文章 | 多维度评价 2025年第25卷第4期 pp. 040206 Select 先进铜填充硅通孔制备技术研究进展 刘旭东, 撒子成, 李浩喆, 李嘉琦, 田艳红 DOI: 10.16257/j.cnki.1681-1070.2025.0075 Select 一种具有可调折返过流保护的LDO电路设计* 王晶,张瑛,李玉标,罗寅,方玉明 DOI: 10.16257/j.cnki.1681-1070.2025.0028 摘要 （62）      PDF （1468KB）（42）    可视化    基于CSMC 0.18 μm BCD工艺，设计了一种具有可调折返限流功能且无须内部补偿的低压差线性稳压器（LDO）。为防止闩锁，设计了一个可通过外部单电阻调整折返点的限流结构。此外，为了降低LDO环路补偿的设计难度，设计了一种无须内部补偿的LDO环路。该设计的限流点为13.78 mA，短路电流为0.56 mA，在输入电压为3.4~42 V、输出电压为3 V时，线性调整率不超过0.5 mV/V，且在轻载和重载情况下，相位裕度分别为89.7°和74.7°，1 kHz时电源抑制比为-65 dB。 参考文献 | 相关文章 | 多维度评价 2025年第25卷第2期 pp. 020305 Select 基于故障监控的CPU测试平台设计 刘宏琨,王志立,王一伟,张凯虹,奚留华 DOI: 10.16257/j.cnki.1681-1070.2025.0029 摘要 （61）      PDF （1133KB）（41）    可视化    通过ATE结合实装系统实现了CPU芯片测试。基于环回测试技术实现CPU芯片的PCIe和UART接口测试，通过外挂Flash芯片实现CPU芯片SPI接口的读写性能测试、擦除测试、数据保持测试，通过外挂DDR4芯片实现CPU芯片的内存延迟、时间参数测试。通过设计实装系统故障诊断定位装置并外挂EEPROM芯片实现CPU芯片测试温度实时监控，提高了测试效率。 参考文献 | 相关文章 | 多维度评价 2025年第25卷第2期 pp. 020205 Select 一种正负电源供电伺服系统中的半桥驱动电路设计* 孙鹏飞，李昕煜，张志阳 DOI: 10.16257/j.cnki.1681-1070.2025.0006 摘要 （61）      PDF （1184KB）（63）    可视化    针对正负电源供电的直流电机伺服系统，通常采用半桥驱动电路对电机进行调速与控制。相比于全桥驱动电路，半桥驱动电路结构简单，且节省功率器件，能够提高驱动效率，具有一定的应用优势。详细介绍了一种用于正负电源供电直流电机伺服系统中的半桥驱动电路的设计方法。介绍了电路的设计思路，对电路中的方波积分、脉宽调制、死区时间设置、电压自举及半桥驱动等模块的工作原理及设计方法进行了详细阐述，并通过仿真输出波形和样机实际输出波形验证了该设计方法的合理性。 参考文献 | 相关文章 | 多维度评价 2025年第25卷第1期 pp. 010304 Select VIISta HCS离子注入机在离子束优化与检测期间的金属污染探究及改善 李天清 DOI: 10.16257/j.cnki.1681-1070.2025.0026 摘要 （58）      PDF （1058KB）（28）    可视化    针对半导体行业所面临的金属污染问题，VIISta HCS离子注入机虽已具备若干成熟的改进措施，然而在先进制程对离子注入工艺金属纯净度要求日益严格的当下，迫切需要明确该机型金属污染的其他潜在原因。该机型在进行离子束优化与检测的过程中，设备会进行气流、电压、电流以及其他硬件参数的调整。这些调整可能对机台的金属析出产生影响，从而导致污染。经验证，设备在对离子束参数进行检查后，注入的硅片中金属铝的含量有所上升。针对铝含量增加的问题进行了理论分析和实验验证。结果表明，通过多次手动移动图形法拉第杯，可以有效促进铝元素的提前析出。通过使用特定程序的挡片来执行离子束通道清洁作业，成功实现了铝洁净度34%的提升，显著缓解了在离子束参数检查过程中铝含量变差的问题，提高了工艺稳定性。 参考文献 | 相关文章 | 多维度评价 2025年第25卷第2期 pp. 020402 Select 不同台阶对可润湿性侧翼QFN爬锡高度的影响 赵伶俐, 杨宏珂, 赵佳磊, 付宇, 周少明 DOI: 10.16257/j.cnki.1681-1070.2025.0096 Select 高导热高温共烧陶瓷封装外壳研究进展 尚承伟 DOI: 10.16257/j.cnki.1681-1070.2025.0094 Select S波段内匹配Doherty GaN功率放大器设计 景少红,时晓航,吴唅唅,豆刚,张勇 DOI: 10.16257/j.cnki.1681-1070.2025.0018 摘要 （54）      PDF （1119KB）（36）    可视化    无线通信系统中，功率放大器既是发射端尺寸最大的器件，也是功耗最高的器件。为应对通信系统对功放提出的小体积、高效率的要求，介绍了一款基于GaN工艺的内匹配Doherty功率放大器。该放大器工作频率为3.4~3.6 GHz，饱和输出功率大于47 dBm，附加效率大于55%，输出功率回退4.5 dB时，附加效率大于52%。功率放大器采用内匹配技术设计，可以有效减小体积，整个放大器外封装尺寸为30.8 mm×27.4 mm。 参考文献 | 相关文章 | 多维度评价 2025年第25卷第2期 pp. 020302 Select 一种应用于胎压监测系统的低功耗低频唤醒接收机 杨艳军,陈鸣,钟福如,黄成强 DOI: 10.16257/j.cnki.1681-1070.2024.0165 摘要 （54）      PDF （1417KB）（56）    可视化    基于X-Fab 0.18 μm CMOS工艺，设计实现了一种应用于胎压监测系统的低功耗低频唤醒接收机。采用参考源来为接收机的其他模块提供偏置，以减小温度和工艺参数的影响，同时采用电容耦合的方法来消除直流失调。该接收机采用幅移键控（ASK）解调方式，载波频率为125 kHz，数据传输速率为4 kbit/s。接收机的版图面积为0.11 mm2。后仿真结果表明，在tm工艺角和1.8 V电源电压的条件下，该接收机工作电流为2.52 μA；在各种工艺角下，电压灵敏度为0.4 mV（峰峰值），接收信号强度指示信号的对数线性误差小于+0.1/-0.2 dB。 参考文献 | 相关文章 | 多维度评价 2024年第24卷第12期 pp. 120303 Select 塑封器件内部结构对注塑空洞影响研究 马明阳, 万达远, 李耀华, 叶自强, 赵澎, 曹森, 欧彪 DOI: 10.16257/j.cnki.1681-1070.2025.0088 Select 集成电路SiP封装器件热应力仿真方法研究 吴松, 王超, 秦智晗, 陈桃桃, DOI: 10.16257/j.cnki.1681-1070.2025.0116 Select VCD和WGL文件转换为ATE测试向量的方法 欧阳涛, 谭勋琼, 李振涛, DOI: 10.16257/j.cnki.1681-1070.2025.0073 Select 典型电源监控电路测试系统研制 文科,钟昂,戴畅,余航,罗俊 DOI: 10.16257/j.cnki.1681-1070.2024.0137 摘要 （50）      PDF （1460KB）（84）    可视化    基于典型电源监控电路TPS3307-18M的电特性开展测试系统研究，分析了该款产品电参数特性。从测试系统整体功能实现、外围仪器设备使用、测试准确性、可靠性评估等方面进行了评估，通过设计电源模块、控制模块以及自控恒流源模块等完成测试系统硬件设计，采用Visual Basic编程实现上位机界面和控制操作，最终实现电源监控电路的测试系统研制，同时也为类似产品测试系统研制与设计提供思路和参考。 参考文献 | 相关文章 | 多维度评价 2024年第24卷第10期 pp. 100304 Select 先进电子封装用焊锡球关键尺寸检测研究 李赵龙, 王同举, 刘亚浩, 张文倩, 雷永平 DOI: 10.16257/j.cnki.1681-1070.2025.0055 Select 混合键合界面接触电阻及界面热阻研究进展 吴艺雄, 杜韵辉, 陶泽明, 钟毅, 于大全, DOI: 10.16257/j.cnki.1681-1070.2025.0069 Select 金属钛对金刚石/铜复合材料制备工艺及性能影响研究进展 代晓南, 王晓燕, 周雪, 白玲, 栗正新 DOI: 10.16257/j.cnki.1681-1070.2025.0081 Select 一种高速半带插值滤波器的设计方法* 季心洁，王志亮 DOI: 10.16257/j.cnki.1681-1070.2025.0102 摘要 （48）      PDF （1139KB）（18）    可视化    为了满足高速通信系统和数字信号处理中对数据插值的需求，提出了一种基于半带滤波器的高速插值滤波器的设计方法。该方法利用半带滤波器的系数稀疏性与对称性，采用多路并行结构显著减少了乘法运算的数量和计算复杂度。详细介绍了半带滤波器的频域特性及其在插值中的应用，探讨了滤波器的设计步骤、硬件实现以及资源优化方法。仿真结果表明，该滤波器设计方法能够在保证滤波性能的前提下，大幅提升插值速度，适合高速和实时信号处理的应用场景。 参考文献 | 相关文章 | 多维度评价 2025年第25卷第4期 pp. 040304 Select 基于硅通孔的双螺旋嵌套式高密度电感器三维结构及解析模型 尹湘坤, 马翔宇, 王凤娟 DOI: 10.16257/j.cnki.1681-1070.2025.0097 Select 基于循环内聚力模型的TSV界面裂纹扩展模拟研究 黄玉亮, 秦飞, 吴道伟, 李逵, 张雨婷, 代岩伟 DOI: 10.16257/j.cnki.1681-1070.2025.0114 Select 基于晶圆级封装的微波变频SiP设计 祝军, 王冰, 余启迪, 蒋乐 DOI: 10.16257/j.cnki.1681-1070.2025.0092 Select 铜-铜键合制备多层陶瓷基板技术研究 雷振宇, 陈浩, 翟禹光, 王莎鸥, 陈明祥 DOI: 10.16257/j.cnki.1681-1070.2025.0086 Select 一款高频QFN48陶瓷管壳的设计 陈莹, 成燕燕, 王波, 李祝安 DOI: 10.16257/j.cnki.1681-1070.2025.0064 Select R-DSP中二级Cache控制器的优化设计* 谭露露,谭勋琼,白创 DOI: 10.16257/j.cnki.1681-1070.2024.0080 摘要 （42）      PDF （1609KB）（64）    可视化    针对二级Cache控制器（L2）对于提升R数字信号处理器（R-DSP）访存效率和整体性能的重要作用，结合L2中涉及的内存安全维护和多请求访存仲裁问题，在现有R-DSP中L2基础上实现优化。首先，采用多重分块的存储组织结构，提高访存效率；其次，并行处理一级Cache控制器请求与外存请求，减小请求处理周期；最后，增加带宽管理与存储保护功能，合理仲裁访存请求并维护存储安全。实验结果表明，相较于传统设计，新设计在保护二级存储安全的同时实现带宽管理式访存仲裁。与现有R-DSP中的L2相比，新设计的存储体单拍最大可响应访存请求数量提升了1倍，一级请求和外存请求的平均处理时钟周期数分别降低25%和19.6%。 参考文献 | 相关文章 | 多维度评价 2024年第24卷第7期 pp. 070302 Select 一种高精度离散时间Sigma-Delta调制器的设计 郭林, 万江华, 邓欢 DOI: 10.16257/j.cnki.1681-1070.2025.0057 Select 中低温Sn-In-Bi-（Ag，Cu）焊料成分设计及可靠性研究 梁泽, 蒋少强, 王剑, 王世堉, 聂富刚, 张耀, 周健 DOI: 10.16257/j.cnki.1681-1070.2025.0093 Select 基于AFM-IR的电子铜箔表面痕量有机物的原位检测与去除* 李林玲，王勇，印大维，章晨，滕超，陈葳，江伟，李大双，郑小伟，周东山，薛奇 DOI: 10.16257/j.cnki.1681-1070.2025.0032 摘要 （41）      PDF （2493KB）（46）    可视化    高性能电子铜箔是新一代通信技术所用高频高速PCB板的核心原材料之一，铜电沉积后表面吸附有机添加剂的控制对电子铜箔的性能有重要影响。基于原子力显微-红外光谱（AFM-IR）技术极高的检测灵敏度和空间分辨率，原位检测到国产铜箔表面残留的痕量有机杂质为整平剂明胶，并通过铜箔表面化学成像分析，发现这些残留的整平剂以零星状吸附于铜瘤顶部和侧面的钝化层之上。在AFM-IR方法的监测下，对二氯甲烷溶剂洗涤去除铜箔表面残留痕量有机杂质的效率进行了定量分析。相关工作将会有助于铜箔表面处理工艺的优化，以实现国产电子铜箔的高性能化。 参考文献 | 相关文章 | 多维度评价 2025年第25卷第4期 pp. 040202 Select 基于Arrhenius模型的混合集成DC/DC高压电源储存寿命评估* 黄吉，魏久富，程铭 DOI: 10.16257/j.cnki.1681-1070.2025.0033 摘要 （39）      PDF （1289KB）（53）    可视化    储存寿命研究是评估电子设备可靠性及其使用寿命的重要方法之一。以某混合集成DC/DC高压电源为研究对象，在不同温度下进行高温加速储存寿命试验，记录包括输出电压、电压调整度和输入电流等在内的有关参数随储存时间的变化情况，引入评价参量，分析得到敏感参数；针对高温加速试验特点，选用Arrhenius模型对该电源开展常温下储存寿命评估。给出了该电源的加速寿命试验及储存寿命评估，为同类产品的储存寿命评估提供了相关参考，具有较强的理论及工程运用价值。 参考文献 | 相关文章 | 多维度评价 2025年第25卷第4期 pp. 040203 Select 基于DBNet+SVTR的微电子组装电路字符识别系统 李颖，万永，罗驰，袁家军，简燕 DOI: 10.16257/j.cnki.1681-1070.2025.0040 摘要 （39）      PDF （1687KB）（19）    可视化    微电子组装技术的发展推动组装电路的类型和产量不断增长，因此作业智能化水平亟需提升，且需对每只电路的生产状态进行实时追踪记录。基于DBNet和SVTR网络模型的电路管壳批号识别系统采用端到端的光学字符识别(OCR)识别模型，结合分布式技术进行相关硬件部署，可实现作业任务单智能生成、作业自动记录、作业过程智能化闭环管理等功能，提升了微电子电路生产过程的智能化水平。 参考文献 | 相关文章 | 多维度评价 2025年第25卷第4期 pp. 040205 Select 混合键合中铜焊盘的微纳结构设计与工艺优化研究进展 杨刚力, 常柳, 于道江, 李亚男, 朱宏佳, 丁子扬, 李力一 DOI: 10.16257/j.cnki.1681-1070.2025.0121 Select 芯片管脚热插拔失效分析和改进 戚道才, 梁鹏飞, 王彬, DOI: 10.16257/j.cnki.1681-1070.2025.0089 Select 一款汽车电子用MCU失效分析与对策 王彬，赵志林，郭晶 DOI: 10.16257/j.cnki.1681-1070.2025.0045 摘要 （37）      PDF （1710KB）（34）    可视化    某车载电动尾门系统运行过程中，控制器直流电机运动时线缆产生的电磁辐射干扰到MCU芯片时钟路径，进一步引发内核Hardfault总线错误，导致运行故障，尾门无法到达指定位置。以MCU内核Hardfault异常为顶层事件建立故障树进行失效分析，成功定位了干扰源为直流电机线缆，干扰传播路径为空间辐射，干扰对象为MCU时钟路径，并通过故障场景复现验证了分析结果的正确性。最后从软、硬件角度提出了整改方法，对于电机运动控制系统的MCU失效分析与预防具有一定的参考借鉴价值。 参考文献 | 相关文章 | 多维度评价 2025年第25卷第4期 pp. 040502 Select 一种MEMS封装LGA 2×2产品切割后点胶工艺方法研究 薛岫琦, 郑志荣 DOI: 10.16257/j.cnki.1681-1070.2025.0061 Select 氮化镓(多晶硅)异质结势垒肖特基二极管的载流子传输机制研究 薛文文, 丁继洪, 张彦文, 黄伟, 张卫 DOI: 10.16257/j.cnki.1681-1070.2025.0105 Select 4通道S波段硅基SiP模块的设计与实现 傅祥雨 DOI: 10.16257/j.cnki.1681-1070.2025.0035 摘要 （35）      PDF （1780KB）（50）    可视化    为满足下一代卫星通信机载有源相控阵天线系统小型化要求，采用三维堆叠系统级封装(SiP)中的硅通孔（TSV）技术，设计并实现一种高集成度的4通道S波段射频SiP模块。该SiP模块采用0.2 mm厚度的声表滤波器芯片，尺寸仅为15.8 mm×16.8 mm×1.95 mm，相较于传统高温共烧陶瓷封装模块，体积缩小85%以上。使用辅助设计软件对SiP模块进行设计与仿真，实测结果显示，该SiP模块在1 980～2 300 MHz频率范围内，增益为1～5 dB，幅度一致性优于±1 dB，相位一致性优于±5°，带外抑制优于30 dB（1 980～2 010 MHz频段优于50 dB）。 参考文献 | 相关文章 | 多维度评价 2025年第25卷第4期 pp. 040302 Select 基于0.18 μm BCD工艺的抗辐射ESD防护器件GGNMOS优化设计 陆素先, 程淩, 朱琪, 李现坤, 李娟, 严正君 DOI: 10.16257/j.cnki.1681-1070.2025.0072 Select 1 200 V SiC器件单粒子烧毁效应研究 徐海铭, 王登灿, 吴素贞 DOI: 10.16257/j.cnki.1681-1070.2025.0080 Select 钨粉颗粒度对高温共烧陶瓷翘曲度的影响 余焕, 吕立锋 DOI: 10.16257/j.cnki.1681-1070.2025.0095 Select 一种基于SW831的高速存储数据管理方法 黄辉，吴晓庆 DOI: 10.16257/j.cnki.1681-1070.2025.0039 摘要 （32）      PDF （1253KB）（13）    可视化    随着信息技术的发展，数据存储对带宽和容量的要求越来越高。针对此需求，设计了一种基于SW831处理器+FPGA+非易失性存储器快速通道（NVME）的存储系统。系统前端使用FPGA采集数据，为了保证数据不丢失，FPGA先将数据缓存到内存，由于缓存空间有限，需要及时地将缓存数据写入到存储盘中。基于此目的，提出了一种基于SW831处理器的数据管理方法，通过无容错的条带化磁盘阵列（RAID0）方式管理NVME存储阵列，应用链表直接管理NVME盘的存储块，通过SW831的控制，将FPGA缓存的数据直接搬移到NVME存储盘中，有效提高了数据存储效率，经实际测试，在系统总容量为12 TB的情况下，平均存储速率可达6.4 GB/s。另外，通过管理软件的配合，用户可以以文件的方式管理、访问数据，使用较为方便。 参考文献 | 相关文章 | 多维度评价 2025年第25卷第4期 pp. 040501 Select 三维集成铜-铜低温键合技术的研究进展 陈桂, 邵云皓, 屈新萍 DOI: 10.16257/j.cnki.1681-1070.2025.0110 Select 200 mm BCD器件用Si外延片滑移线控制研究 谢进, 邓雪华, 郭佳龙, 王银海 DOI: 10.16257/j.cnki.1681-1070.2025.0099 Select 耦合声子晶体对声波器件品质因子的提高 黄泽宙, 胡婉雪, 沈宇恒, 方照诒, 沈坤庆 DOI: 10.16257/j.cnki.1681-1070.2025.0101 Select 金属种子层PVD溅射系统在板级先进封装中的应用 张晓军, 李婷, 胡小波, 杨洪生, 陈志强, 方安安 DOI: 10.16257/j.cnki.1681-1070.2025.0113 Select 液体环氧塑封料的应用进展 肖思成, 李端怡, 任茜, 王振中, 刘金刚, DOI: 10.16257/j.cnki.1681-1070.2025.0118 Select 高效率LSTM硬件加速器设计与实现 陈铠, 贺傍, 滕紫珩, 傅玉祥, 李世平 DOI: 10.16257/j.cnki.1681-1070.2025.0103 Select 面向手势识别的CMOS图像读出电路设计 李浩钰, 顾晓峰, 虞致国 DOI: 10.16257/j.cnki.1681-1070.2025.0076 Select 一种基于电流偏置的新型上电复位电路设计 许家欣，钱逸 DOI: 10.16257/j.cnki.1681-1070.2025.0031 摘要 （28）      PDF （949KB）（21）    可视化    随着数字电路模块的复杂程度越来越高，上电复位（POR）电路对于在启动时初始化数字逻辑到已知的状态至关重要。基于0.18 μm工艺设计了一种新型POR电路，该POR电路基于带启动电路的电流偏置结构，电源上电更稳定，而且增加了使能端，使电路可用于低功耗场景，此外，电流镜技术和分压电阻的运用，不仅使电源阈值调节简单，还增加了迟滞，降低了输出回路的电源噪声。 参考文献 | 相关文章 | 多维度评价 2025年第25卷第4期 pp. 040301 Select IPM封装模块焊接与金线键合工艺研究 王仙翅, 刘洪伟, 刘晓鹏, 蔡钊, 朱亮亮, 杜隆纯, DOI: 10.16257/j.cnki.1681-1070.2025.0079 Select 塑封集成电路焊锡污染影响与分析 邱志述, 胡敏 DOI: 10.16257/j.cnki.1681-1070.2025.0062 Select 基于CAN总线的CKS32远距离在线升级设计与实现 谢金峰, 刘涵, , 赵本田, DOI: 10.16257/j.cnki.1681-1070.2025.0070 Select 基于SiP微系统的DSP微组件测试方法研究 赵桦, 朱江, 宋国栋, 张凯虹, 奚留华 DOI: 10.16257/j.cnki.1681-1070.2025.0071 Select 模拟开关通用测试系统研究 钟昂，戴畅 DOI: 10.16257/j.cnki.1681-1070.2025.0043 摘要 （26）      PDF （2593KB）（31）    可视化    传统模拟开关测试系统存在开发周期长、部分参数测试精度不够的通用问题，逐渐无法满足当前高性能器件大批量生产测试的要求。利用共用母板的兼容性和大型测试机台的精准性、稳定性，设计了一套基于V93000自动测试设备的模拟开关通用测试系统，该系统可调性强、兼容性广、精度高，且易于操作，新产品测试开发时只需经过简单的硬件设计，并通过简单的可视化窗口软件调试即可，大大缩短了模拟开关类器件测试系统的开发周期，提高了效率，降低了测试成本，并保证了测试参数的准确性和稳定性。 参考文献 | 相关文章 | 多维度评价 2025年第25卷第4期 pp. 040207 Select 应用于人脸检测的智能CMOS图像传感器设计 李文卓, 顾晓峰, 虞致国 DOI: 10.16257/j.cnki.1681-1070.2025.0077 Select 基于SnO2/Co3O4的微波丙酮气体传感器 周腾龙, 吴滨, 秦晟栋, 吴蓓, 梁峻阁 DOI: 10.16257/j.cnki.1681-1070.2025.0100 Select 基于AiP8F7232的无刷电动工具控制器设计 马文博, 蔡嘉威, 罗明 DOI: 10.16257/j.cnki.1681-1070.2025.0112 Select 面向碳纳米管集成电路的新型静电放电防护结构研究 金浩然, 刘俊良, 梁海莲, 顾晓峰 DOI: 10.16257/j.cnki.1681-1070.2025.0109 Select 四甲基氢氧化铵溶液温度对硅槽刻蚀的研究 张可可, 赵金茹, 周立鹏 DOI: 10.16257/j.cnki.1681-1070.2025.0115 Select 一款用于高性能FPGA的多通道HBM2-PHY电路设计 徐玉婷, 孙玉龙, 曹正州, 张艳飞 DOI: 10.16257/j.cnki.1681-1070.2025.0117 Select 一种应用于电流舵DAC的熔丝校准方法 何光旭，袁何龙，王佳琪 DOI: 10.16257/j.cnki.1681-1070.2025.0038 摘要 （24）      PDF （1126KB）（23）    可视化    为解决电流舵DAC中的电流源失配问题，提出了一种熔丝校准方法，通过静态校准技术来修正工艺偏差带来的电流源失配，其核心是熔丝预编程架构，允许对多个独立的熔丝校正单元执行多次预写迭代烧录，从而微调电流输出，直至通过实际测试验证满足既定性能标准，最终执行永久烧录。设计的电路基于0.18 μm CMOS工艺流片，测试结果表明，电路的DNL从校准前的-0.1~0.299 LSB降到校准后的-0.05~0.197 LSB。 参考文献 | 相关文章 | 多维度评价 2025年第25卷第4期 pp. 040303 Select Sn-Pb铜核微焊点液-固界面反应及力学性能研究 丁钰罡, 陈湜, 乔媛媛, 赵宁 DOI: 10.16257/j.cnki.1681-1070.2025.0119 Select 临时键合工艺中晶圆翘曲研究 李硕, 柳博, 叶振文, 方上声, 陈伟, 黄明起 DOI: 10.16257/j.cnki.1681-1070.2025.0124 Select 某MEMS垂直探针在针测行程作用下的屈曲力学行为研究 秦林肖 DOI: 10.16257/j.cnki.1681-1070.2025.0052 Select 动态调压加热型氧浓度检测装置设计 龚文, 龚武, 郭晶 DOI: 10.16257/j.cnki.1681-1070.2025.0078 Select 随机振动下QFP封装加固方式的可靠性研究 郭智鹏, 李佳聪, 张少华, 何文多 DOI: 10.16257/j.cnki.1681-1070.2025.0125 Select 窄间距多芯片自动共晶焊接工艺研究 贾海斌, 赵彬彬, 高婷 DOI: 10.16257/j.cnki.1681-1070.2025.0136 Select 一种支持循环缓冲的中断系统的设计与验证 沈一帆, 谭勋琼 DOI: 10.16257/j.cnki.1681-1070.2025.0060 Select JESD204B型多通道高速SiP处理芯片的设计与分析 盛沨, 田元波, 谢达 DOI: 10.16257/j.cnki.1681-1070.2025.0120 Select 一种智能检测仪表的设计与实现 陈涛, 武明月, 位门, 周扬 DOI: 10.16257/j.cnki.1681-1070.2025.0126 Select 大功率LED投光灯死灯、暗亮失效分析探究 冯学亮, 刘兴龙, 周小霍, 吴冰冰, 曾志卫 DOI: 10.16257/j.cnki.1681-1070.2025.0106 Select SiC MOSFET的单粒子漏电退化研究 徐倩, 马瑶, 黄文德, 杨诺雅, 王键, 龚敏, 李芸, 黄铭敏, 杨治美, DOI: 10.16257/j.cnki.1681-1070.2025.0127 Select 系统级封装模组高可靠封焊技术研究 成嘉恩, 姬峰, 张鹏哲, 兰元飞, 何钦江, 兰梦伟, 王明伟 DOI: 10.16257/j.cnki.1681-1070.2025.0134 Select 先进封装驱动下的片上互连技术发展态势研究 王翰华, 崔忠杰 DOI: 10.16257/j.cnki.1681-1070.2025.0135 Select Sb微粒对SAC305锡膏焊接接头性能的影响 林钦耀, 汪松英, 曾世堂 DOI: 10.16257/j.cnki.1681-1070.2025.0133 Select 玻璃通孔技术的射频集成应用研究进展 喻甜, 陈新, 林景裕, 钟毅, 梁峻阁, 顾晓峰, 于大全, DOI: 10.16257/j.cnki.1681-1070.2025.0128 Select 一种具有载流子动态调制的双栅IGBT 刘晴宇, 杨禹霄, 陈万军 DOI: 10.16257/j.cnki.1681-1070.2025.0137 Select 基于FPGA的CAN_FD控制器的设计与验证 罗旸, 何志豪 DOI: 10.16257/j.cnki.1681-1070.2025.0129