电子与封装

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1. 面向高密度互连的混合键合技术研究进展^*

白玉斐,戚晓芸,牛帆帆,康秋实,杨佳,王晨曦

电子与封装 2025, 25 (5): 50102-. DOI: 10.16257/j.cnki.1681-1070.2025.0074

摘要（1702）

PDF（pc）（4056KB）（466）

在数字经济时代，人工智能、高性能计算、大数据、物联网和自动驾驶等新兴产业的迅猛发展对计算能力提出了极高的需求。然而，随着先进制程逐渐逼近物理极限，摩尔定律的发展速度显著放缓，传统的引线键合技术已难以满足数字经济对高算力芯片的需求。在此背景下，三维集成技术作为一种革命性的解决方案应运而生。混合键合作为三维集成技术的基石，通过金属层和金属层、介电层和介电层的直接键合，实现了无凸点的高密度互连。与传统键合技术相比，混合键合不仅能够实现亚微米甚至纳米级的互连间距，还显著降低了信号延迟与功耗，提升了芯片的带宽与容量，为高性能芯片的实现提供了关键支持。在后摩尔时代，混合键合被视为先进封装的核心发展方向之一，可实现窄间距、高密度、小尺寸的互连结构，满足新兴应用场景对芯片性能的苛刻要求。系统介绍了面向高密度互连的混合键合技术，重点总结了其所采用的新型金属钝化层等关键材料以及核心工艺，深入论述了混合键合技术在高带宽内存领域的应用现状及发展趋势，旨在为先进封装技术的持续创新与发展提供参考与思路。

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2. 2.5D封装关键技术的研究进展

马千里, 马永辉, 钟诚, 李晓, 廉重, 刘志权

电子与封装 2025, 25 (5): 50107-. DOI: 10.16257/j.cnki.1681-1070.2025.0111

摘要（1069）

PDF（pc）（2589KB）（423）

随着摩尔定律指引下的晶体管微缩逼近物理极限，先进封装技术通过系统微型化与异构集成，成为突破芯片性能瓶颈的关键路径。作为先进封装的核心分支，2.5D封装通过硅/玻璃中介层实现高密度互连与多芯片异构集成，兼具高带宽、低延迟和小型化优势，广泛应用于人工智能、高性能计算及移动电子领域。系统阐述了2.5D封装的核心结构(如CoWoS、EMIB和I-Cube)及其技术特征，重点剖析了Chiplet模块化设计、硅通孔(TSV)工艺优化、微凸点可靠性提升、铜-铜直接键合界面工程以及再布线层多物理场协同设计等关键技术的最新进展。未来研究需聚焦低成本玻璃基板、原子层沉积技术抑制界面氧化以及多物理场协同设计等方面，以突破良率和散热瓶颈，推动2.5D封装在后摩尔时代高算力场景中的广泛应用。

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3. 中低温Sn-In-Bi-(Ag, Cu)焊料成分设计及可靠性研究^*

梁泽，蒋少强，王剑，王世堉，聂富刚，张耀，周健

电子与封装 2025, 25 (9): 90202-. DOI: 10.16257/j.cnki.1681-1070.2025.0093

摘要（922）

PDF（pc）（2058KB）（318）

在较高的焊接温度下芯片和基板变形量大，导致枕头效应（HoP）、虚焊(NWO)、桥接（SBB）等焊接缺陷突出，SAC305等常规中高温焊料已不能适用于大尺寸芯片焊接工艺要求，而低熔点SnBi基焊料可靠性尚有不足。为了解决熔点与可靠性的矛盾，通过In、Bi的加入降低了Sn-Ag-Cu焊料的熔点，其合金组织中并未形成低熔点相，同时根据焊点回流和高温老化的组织演变、抗跌落、高温老化、热疲劳等可靠性评价优化了Ag的含量。结果表明，相比SAC305，新型中低温Sn-In-Bi-(Ag，Cu)焊料的回流温度可降低20~25 ℃，基体强化的同时金属间化合物颗粒相的粗化得到抑制，其焊点可靠性也更优异。

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4. 光电共封装技术及其在光学相控阵中的应用研究

张郭勇

电子与封装 2025, 25 (6): 60206-. DOI: 10.16257/j.cnki.1681-1070.2025.0067

摘要（888）

PDF（pc）（2205KB）（636）

光电共封装（CPO）技术采用先进封装技术将电子集成电路和光子集成电路异质集成在同一封装体中，具有紧凑度高、功耗低和容量大等优点。该技术被视作下一代光电子技术的关键方向，也为高性能集成光波导光学相控阵（OPA）提供了一种有效的实现途径。综述了3种典型CPO技术的最新研究进展，并从结构集成度、工艺实现性、封装体性能等方面剖析了不同集成方案。进一步地，概述了CPO技术在集成光波导OPA中应用的最新研究进展，并探讨了CPO技术应用于每种OPA中的优势与面临的问题。从高密度封装、高效散热、电子-光子联合仿真等方面探讨了CPO技术在高性能集成光波导OPA中广泛应用和产业化所面临的挑战。

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5. 第三代半导体封装结构设计及可靠性评估技术研究进展^*

郑佳宝, 李照天, 张晨如, 刘俐

电子与封装 2025, 25 (3): 30104-. DOI: 10.16257/j.cnki.1681-1070.2025.0053

摘要（582）

PDF（pc）（4250KB）（584）

第三代半导体材料，如SiC和GaN，因其卓越的性能在电力电子领域展现出巨大潜力。为了充分发挥材料的优势，需要通过先进的封装技术来解决电气互连、机械支撑和散热等问题。围绕第三代半导体封装结构的研究进展，从降低寄生电参数、降低热阻、提高集成度3个发展方向分类总结近年来新型封装结构特点及优化效果。基于新型封装结构，总结了其面临的可靠性问题以及现行的可靠性测试标准和方法，探讨了存在的问题和不足，对第三代半导体封装技术的未来发展进行了展望。

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6. 功率器件封装用纳米铜焊膏及其烧结技术研究进展^*

王秀琦,李一凡,罗子康,陆大世,计红军

电子与封装 2025, 25 (3): 30101-. DOI: 10.16257/j.cnki.1681-1070.2025.0046

摘要（564）

PDF（pc）（3705KB）（520）

以第三代半导体为核心的功率电子器件向高功率密度、高结温方向的发展对封装互连材料、工艺及服役条件下的可靠性都提出了严苛的挑战。纳米铜(Cu)焊膏具有低成本、抗电迁移、优异的导电导热性能和“低温烧结、高温服役”特性，是1种极具工业化潜力的功率器件封装候选材料，受到广大研究者的密切关注。然而，相比于纳米银(Ag)焊膏，纳米铜焊膏的稳定性(易氧化)和低温烧结性能仍有较大的差距。根据试验结果，从烧结机理、烧结工艺、性能表现以及纳米铜烧结接头的服役可靠性等方面，系统阐述了纳米铜焊膏烧结技术的最新进展。此外，针对目前纳米铜烧结技术的不足，对后续的发展方向和研究前景进行了展望。

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7. 面向PCB应用的超薄铜箔电镀制备研究进展

高子泓, 刘志权, 李财富

电子与封装 2025, 25 (5): 50104-. DOI: 10.16257/j.cnki.1681-1070.2025.0084

摘要（551）

PDF（pc）（2859KB）（284）

电镀铜箔是PCB的核心材料之一，受到广泛关注。随着现代电子产品朝着多功能化、轻、小、薄方向发展，传统PCB制造技术在精细互连线路加工上已难以满足新的技术标准。采用以超薄铜箔（＜5 μm）为核心材料的改良型半加成法，可以制备线宽/线距更小更窄（≤30 μm/30 μm）的互连电路。如何制备厚度在5 μm以下的高性能超薄铜箔是目前电子制造行业亟待解决的问题。总结了超薄铜箔在PCB中的应用方法，讨论了工艺参数、阴极基材和镀液组成等对铜箔电沉积行为、微观结构和性能的影响。综述了现有电镀法在调控超薄铜箔微观结构和性能方面的策略，并对电镀法制备超薄铜箔的未来发展趋势与研究方向进行了展望。

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8. 功率器件封装纳米浆料材料与低温烧结工艺及机理研究进展^*

王一平,于铭涵,王润泽,佟子睿,冯佳运,田艳红

电子与封装 2025, 25 (3): 30106-. DOI: 10.16257/j.cnki.1681-1070.2025.0058

摘要（457）

PDF（pc）（4537KB）（561）

随着电力电子器件材料的发展，第三代宽禁带半导体（如SiC和GaN）因其优越的性能而成为功率器件的理想材料。然而，面对大功率和高温应用的挑战，传统的锡基封装材料已经难以满足需求，为此，研究者们开始关注可以低温烧结、高温服役的纳米烧结浆料。这些微米、纳米级的铜、银等浆料可以在远低于金属熔点的温度下烧结成具备高熔点、高导热、高性能的焊点结构。从烧结材料、烧结工艺、烧结机理3个方面讨论了近年来用于功率器件封装的烧结浆料的研究进展，具体包括纳米银、纳米铜、铜银复合和其他纳米级烧结材料，以及它们适配的热压烧结、无压烧结、薄膜烧结等工艺，为烧结浆料的进一步发展提供参考。

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9. 混合键合中铜焊盘的微纳结构设计与工艺优化研究进展^*

杨刚力, 常柳, 于道江, 李亚男, 朱宏佳, 丁子扬, 李力一

电子与封装 2025, 25 (5): 50108-. DOI: 10.16257/j.cnki.1681-1070.2025.0121

摘要（434）

PDF（pc）（5708KB）（259）

随着晶体管微缩逐渐放缓，先进封装和三维集成技术成为集成电路系统性能持续提升的重要路径。混合键合是一种具有高密度三维集成能力的键合工艺，在人工智能芯片制造等应用中扮演日益重要的角色。铜焊盘是混合键合负责信号传输与供电的接口，其物理化学特性决定了工艺的良率和可靠性。目前，国际领先半导体企业在混合键合铜焊盘工艺领域已取得显著进展，不仅建立了高密度金属化-等离子体活化-低温键合的系统化工艺流程，且通过技术迭代将铜焊盘的关键尺寸（直径与节距）微缩至亚微米级。相比之下，我国高校及科研机构在混合键合铜焊盘的研究中尚处于初期探索阶段，与国际先进水平相比，在实现超高密度混合键合的工艺能力与技术积累上仍存在显著差距。系统探讨了铜焊盘的几何形状、表面化学特性及晶粒组织对键合性能的影响，总结了该领域的优化策略及技术调整，为提高混合键合工艺能力的相关研究提供了参考。

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10. 基于FOPLP工艺多I/O芯片封装的可靠性研究及优化^*

江京,刘建辉,陶都,宋关强,李俞虹,钟仕杰

电子与封装 2025, 25 (2): 20202-. DOI: 10.16257/j.cnki.1681-1070.2025.0022

摘要（418）

PDF（pc）（1834KB）（503）

随着封装工艺的进步，扇出型板级封装（FOPLP）工艺因其具有高集成度、低成本、更好的性能和更广泛的应用领域等优势而备受关注。针对基于FOPLP工艺封装的多I/O芯片产品可靠性开展了系统研究。探索和分析了产品在偏压高加速温湿度应力测试（BHAST）中的漏电问题，根据失效分析结果，将重点聚焦于爬胶高度和产品应力。同时，通过试验设计（DOE）验证了改善产品的银胶量和固定加工参数。针对多I/O芯片应力问题，采用仿真模拟优化应力分布，产品成功通过BHAST可靠性测试，满足130 ℃、85 %RH条件下连续工作264 h的BHAST可靠性要求，对提升多I/O类产品整体性能和市场竞争力具有重要意义。

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11. 功率模块封装用环氧树脂改性技术应用进展^*

曹凤雷,贾强,王乙舒,刘若晨,郭褔

电子与封装 2025, 25 (3): 30105-. DOI: 10.16257/j.cnki.1681-1070.2025.0056

摘要（364）

PDF（pc）（3898KB）（575）

环氧树脂因其优异的电气绝缘性、机械强度和耐高温性能，是功率模块封装材料的首选。然而，功率模块的集成度提升和服役环境的严苛化对环氧树脂的性能要求不断提高。对环氧树脂的分类、改性及其在功率模块封装中的应用进行总结，并指出了环氧树脂面临的挑战和未来发展方向。改性后的环氧树脂可以提升功率模块封装的热管理能力、绝缘性能、耐腐蚀性和抗翘曲能力等。未来的研究方向包括耐高温封装材料的开发、环保和多功能环氧树脂的探索，以及新材料和新工艺的结合。

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12. 大功率器件基板散热技术研究进展^*

兰梦伟,姬峰,王成伟,孙浩洋,杜建宇,徐晋宏,王晶,张鹏哲,王明伟

电子与封装 2025, 25 (3): 30111-. DOI: 10.16257/j.cnki.1681-1070.2025.0091

摘要（362）

PDF（pc）（4984KB）（432）

电子器件正朝着高性能和小型化方向发展，频率、功率和集成度不断提高，其内部大功率芯片产生的热量急剧增加，不仅影响器件工作效率和稳定性，还直接关系到整个系统的安全性和可靠性。大功率器件产生的热量主要依靠封装基板提供通道耗散，因此研究基板散热技术尤为重要。详细介绍了金属基板、陶瓷基板、复合材料基板等常规基板散热技术和微流道散热技术、相变散热技术、热电散热技术等新型基板散热技术的研究现状。其中，歧管微流道金刚石基板以及多种散热方式协同应用基板具备优异的冷却性能，有望大幅提高电子器件的功率和寿命。通过分析各种基板散热技术，期望为相关领域的研究和应用提供有价值的参考。

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13. GaN芯片封装技术研究进展与趋势^*

宋海涛,王霄,龚平,朱霞,李杨,刘璋成,闫大为,陈治伟,尤杰,敖金平

电子与封装 2025, 25 (3): 30112-. DOI: 10.16257/j.cnki.1681-1070.2025.0104

摘要（357）

PDF（pc）（2760KB）（445）

作为第三代半导体材料，GaN因其高电子迁移率、高击穿场强等优异特性，正被广泛应用于高频、高功率电子器件。然而，其封装技术面临诸如热管理、电气性能优化以及封装可靠性等挑战，同时还需要满足更紧凑、更集成的需求。重点讨论了目前GaN芯片封装的多种解决方案，包括晶体管外形（TO）封装、四边扁平无引线（QFN）封装等分立器件封装结构，晶圆级封装（WLP）、多芯片模块（MCM）合封器件封装结构以及诸多先进封装技术。分析了封装技术的发展趋势，如集成化、模块化封装，以及面向高频、高功率应用的优化方法。随着技术的不断突破，GaN封装有望在更高效、更可靠的方向上取得进一步进展，以满足不断增长的市场需求。

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14. “第三代半导体功率电子封装技术”专题前言

田艳红

电子与封装 2025, 25 (3): 30100-.

摘要（341）

PDF（pc）（382KB）（304）

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15. 高功率电子封装中大面积烧结技术研究进展^*

边乐陶, 刘文婷, 刘盼

电子与封装 2025, 25 (3): 30108-. DOI: 10.16257/j.cnki.1681-1070.2025.0082

摘要（293）

PDF（pc）（2408KB）（295）

在第三代半导体材料（如碳化硅和氮化镓）的推动下，大面积烧结技术因其在高功率电子封装中的独特优势，展现出广阔的应用前景。综述了银和铜作为大面积烧结材料在功率模块封装中的研究进展，系统分析了大面积烧结的定义标准、材料特性、工艺控制方法及其对接头性能的影响。探讨了大面积烧结过程中温度、压力、表面处理工艺等的优化策略，以提升接头的致密性、热导率及机械性能。此外，针对当前大面积烧结技术所面临的挑战提出了未来的优化方向。通过总结国内外相关研究成果，为大面积烧结技术在高功率电子封装领域的进一步发展提供了理论支持与实践参考。

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16. 先进铜填充硅通孔制备技术研究进展^*

刘旭东, 撒子成, 李浩喆, 李嘉琦, 田艳红

电子与封装 2025, 25 (5): 50103-. DOI: 10.16257/j.cnki.1681-1070.2025.0075

摘要（282）

PDF（pc）（4222KB）（304）

随着后摩尔时代的到来，硅通孔（TSV）技术通过填充铜作为垂直的导电通路实现了多层芯片之间的电气互连，提供了一种高性能、高可靠性的3D封装互连方案。综述了铜在TSV先进互连技术中的制备技术，总结并对比了溅射法、化学气相沉积、原子层沉积、化学镀、电接枝技术5种不同的铜种子层制备工艺的沉积机理、性能优劣和改进方案。介绍了硅通孔填充铜的3种不同方案，包括电镀、化学镀和导电浆料填充技术。强调了电镀工艺、电流、添加剂和退火工艺对硅通孔内电镀铜的影响，对应用于硅通孔的铜先进互连技术的未来发展方向提出了展望。

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17. 基于Chroma 3380P测试平台的高效FT测试方案^*

周中顺,夏蔡娟,李连碧,李飞飞

电子与封装 2025, 25 (2): 20207-. DOI: 10.16257/j.cnki.1681-1070.2025.0027

摘要（271）

PDF（pc）（1182KB）（150）

针对高端自动测试成本过高与芯片设计公司日益增长的测试需求不匹配这一现状，拟采用Chroma 3380 P型测试机和长川C6100TS三温平移式分选机组合，开发一种新型的高性能自动化测试系统。通过分析芯片测试的各项要求，设计了一个综合性的测试方案。搭建了完善的测试平台，充分融合了Chroma 3380P测试平台的专业性能与长川C6100TS分选机的先进功能，同时通过外接高精度测试仪器，不仅实现了对芯片高效且精确的测试，还大大降低了测试成本，在ATE测试中具有通用性，为更多测试人员提供参考。

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18. 高导热TIM的实现方法及其可靠性研究进展^*

胡妍妍，马立凡，王珺

电子与封装 2025, 25 (8): 80202-. DOI: 10.16257/j.cnki.1681-1070.2025.0085

摘要（268）

PDF（pc）（2576KB）（338）

随着便捷电子设备向多功能化和小型化方向发展，降低芯片温度、提高封装散热性能需求迫切。热界面材料（TIM）是填充界面孔隙、保障不同材料界面间散热通道的关键材料，其性能直接影响封装器件的稳定运行与寿命。通过调研TIM研究进展，总结了现有TIM的优缺点，以及基体热优化、填料设计和界面改性等提升TIM导热性能的主要方法。同时，回顾了TIM常用的热性能表征手段、失效模式、加速寿命实验与寿命预测模型，分类阐述了影响TIM可靠性的关键因素。此外，还关注到原位测试和机器学习辅助退化预测正在成为提升TIM可靠性评估效率与精度的新方向。TIM高导热的实现方式及可靠性研究方法的归纳，可为高导热、高可靠性TIM的开发、测试和应用评估等研究提供参考。

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19. 玻璃通孔技术的射频集成应用研究进展^*

喻甜，陈新，林景裕，钟毅，梁峻阁，顾晓峰，于大全

电子与封装 2025, 25 (7): 70101-. DOI: 10.16257/j.cnki.1681-1070.2025.0128

摘要（253）

PDF（pc）（2788KB）（333）

随着射频系统向高频化、集成化方向发展，玻璃通孔（TGV）技术凭借玻璃基板的低介电损耗和高热导率，成为突破传统基板限制的核心方案。系统综述了TGV技术的制造工艺、射频器件集成创新及其在5G/6G通信与毫米波系统中的应用进展。在射频器件领域，TGV通过三维互连显著提升集总式电感、电容等无源器件的性能，并支撑滤波器设计实现低插入损耗和小型化。天线应用中，TGV多层堆叠技术推动封装天线向毫米波频段拓展，同时通过极薄转接板与嵌入式扇出技术提升互连密度、实现射频异质集成。未来发展趋势包括高深宽比通孔工艺革新、高频工艺一致性提升及多物理场协同设计，以突破毫米波频段性能瓶颈，加速TGV在5G/6G通信、太赫兹系统及智能终端中的规模化应用，为射频集成与异质封装提供高性能、低成本解决方案。

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20. 表面贴装大功率器件热匹配问题可靠性仿真^*

胡运涛,苏昱太,刘灿宇,刘长清

电子与封装 2025, 25 (3): 30109-. DOI: 10.16257/j.cnki.1681-1070.2025.0083

摘要（250）

PDF（pc）（1167KB）（244）

针对表面贴装大功率器件中不同材料间热膨胀系数差异所引起的热力学不匹配问题，在不同升温速率下对关键互连结构的寿命与可靠性进行分析。探讨了材料热膨胀不匹配对器件性能和长期可靠性所带来的潜在影响。利用Anand本构模型详细描述了SAC305焊料的力学特性，重点分析了其应力应变与温度特性。基于Coffin-Manson模型进行了寿命评估，系统分析了焊料的疲劳失效与塑性应变的关系。仿真结果表明，温度变化速率越大，热力不匹配越明显，导致元器件内部产生较大的热应力和热疲劳效应，使得元器件寿命及可靠性降低。

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21. 基于晶圆键合技术的传感器封装研究进展^*

贝成昊, 喻甜, 梁峻阁

电子与封装 2025, 25 (8): 80105-. DOI: 10.16257/j.cnki.1681-1070.2025.0150

摘要（246）

PDF（pc）（2905KB）（240）

传感器作为信息感知的核心组件，对封装集成度与环境适应性有很高的要求。晶圆键合技术是晶圆级封装的关键技术，可以实现高气密性的可靠封装，已广泛应用于传感器制造领域。总结了多种适用于传感器封装的晶圆级键合技术，包括直接键合、阳极键合、玻璃熔块键合、金属键合和混合键合，分析了其技术原理、工艺特点、优势及在实际应用中的适用性，并探讨了相关应用场景。针对当前低温键合、异质集成、高密度互连及高可靠性封装的技术需求，对晶圆键合技术的未来发展趋势进行了展望。

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22. 玻璃基板在光电共封装技术中的应用^*

陈俊伟，魏来，杨斌，樊嘉杰，崔成强，张国旗

电子与封装 2025, 25 (7): 70105-. DOI: 10.16257/j.cnki.1681-1070.2025.0156

摘要（245）

PDF（pc）（2950KB）（318）

人工智能和高性能计算对数据传输带宽与能效的需求不断上升，而传统铜互联技术存在信号衰减、功耗高和延迟大等局限。光电共封装技术通过实现光子集成电路与电子集成电路的异质集成，为突破电互连瓶颈提供了新途径。重点分析玻璃基板作为中介层材料在光电共封装技术中的关键作用，阐述其低介电损耗、高热稳定性、宽光谱透明性及与光波导工艺兼容的优势。对玻璃基板光波导的离子交换制备技术、光电协同架构设计及前沿研究机构提出的典型方案进行系统讨论，同时评估玻璃基板光电共封装在制造良率、散热管理和标准化协同方面所面临的挑战，并预测其在数据中心等领域的应用潜力。

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23. 铜线键合模式和塑封料对QFN封装可靠性的影响

王宝帅,高瑞婷,张铃,梁栋,欧阳毅

电子与封装 2025, 25 (2): 20204-. DOI: 10.16257/j.cnki.1681-1070.2025.0025

摘要（245）

PDF（pc）（1484KB）（210）

键合工艺和塑封料对芯片封装可靠性至关重要。为了研究键合模式和塑封料对芯片封装可靠性的影响，以K&S公司的RAPID焊线机为键合工艺平台，以40 nm CMOS工艺的QFN封装芯片为研究对象，分别使用FSF键合模式和FSFF键合模式进行键合实验。使用不同塑封料塑封键合后样品，并对塑封后样品进行MSL3、TCT、UHAST、BHAST、HTOL、HTST等可靠性实验，利用SEM和EDS对键合后焊球形态和可靠性失效样品进行分析。结果表明，键合模式对BHAST可靠性影响较大，塑封料对BHAST可靠性影响较小，为实际生产中键合工艺的选择提供了理论基础和实践指导。

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24. 混合键合界面接触电阻及界面热阻研究进展^*

吴艺雄, 杜韵辉, 陶泽明, 钟毅, 于大全

电子与封装 2025, 25 (5): 50101-. DOI: 10.16257/j.cnki.1681-1070.2025.0069

摘要（232）

PDF（pc）（2351KB）（260）

随着半导体技术向更高集成度和性能要求方向发展，混合键合技术作为一种先进封装方法，在集成电路领域中展现出了巨大的应用潜力。综述了混合键合界面接触电阻和界面热阻的研究进展，探讨了混合键合在三维集成芯片中的应用，重点分析了其在降低电阻、优化热阻方面的技术突破。总结了影响界面电阻和热阻的关键因素，并评估了不同工艺对性能的影响。探讨了界面处理、表面粗糙度、清洗时间和退火工艺等因素对接触电阻的显著影响，分析了界面材料和多物理场耦合效应在优化热阻方面的重要作用。此外，细间距混合键合技术的进展推动了芯片封装密度的提升，但随着间距的缩小，界面应力和对准误差等问题仍需进一步解决。

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25. “面向先进封装应用的铜互连键合技术”专题前言

刘志权

电子与封装 2025, 25 (5): 50100-.

摘要（216）

PDF（pc）（395KB）（309）

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26. 一种12位电压与电流组合型DAC设计

桂伯正,黄嵩人

电子与封装 2025, 25 (2): 20301-. DOI: 10.16257/j.cnki.1681-1070.2025.0015

摘要（212）

PDF（pc）（1288KB）（75）

采用40 nm CMOS工艺设计了一款12位200 kSample/s低功耗数模转换器（DAC）芯片。结合建立速度和静态性能的设计指标，设计了“7+5”分段式电压与电流组合型结构和AB类输出缓冲器，在保证建立速度的条件下考虑到电阻的失配性，实现了良好的微分非线性（DNL）和积分非线性（INL）特性。测试结果表明，在-40~125 ℃下，DNL＜0.2 LSB，INL＜2 LSB，DAC具有精度高、单调性好、负载能力强的特点。

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27. 玻璃基板技术研究进展^*

赵瑾，于大全，秦飞

电子与封装 2025, 25 (7): 70110-. DOI: 10.16257/j.cnki.1681-1070.2025.0161

摘要（209）

PDF（pc）（2320KB）（330）

随着高性能计算和人工智能等新兴应用的迅猛发展，先进封装技术正加速演进。作为其核心支撑，高端基板技术需同时应对高速高频信号传输、功耗管理、超细节距互连及系统级集成等多重性能需求。玻璃基板凭借其优异的热机械稳定性、极低的吸湿性和卓越的电学特性，成为突破传统封装限制的关键方向。围绕玻璃基板的结构特性与关键制造工艺进行分析，重点探讨了其在可靠性方面存在的主要问题，并总结其所面临的技术机遇与挑战。

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28. 烧结银阵列互连双面散热SiC半桥模块的散热和应力仿真^*

逄卓,赵海强,徐涛涛,张浩波,王美玉

电子与封装 2025, 25 (3): 30103-. DOI: 10.16257/j.cnki.1681-1070.2025.0042

摘要（208）

PDF（pc）（2513KB）（269）

基于烧结银作为芯片互连层的双面散热SiC半桥模块，改变芯片顶面与基板的烧结银连接层形状为片状、圆柱阵列和长方体阵列，进行了散热和热应力仿真。仿真结果表明，得益于烧结银较高的热导率，改变烧结银层的形状对散热性能影响很小。相比于片状烧结银互连模块，采用圆柱阵列和长方体阵列烧结银互连的模块，其结温最大仅升高0.2 ℃和0.14 ℃。由于阵列模型中的烧结银互连层通过多个微小连接点有效分散和缓解了热应力，圆柱阵列和长方体阵列的烧结残余热应力和工作热应力都显著降低，圆柱阵列模型的烧结残余热应力和工作热应力降低了8.57%和3.16%，长方体阵列模型的烧结残余热应力和工作热应力降低了8.57%和37.71%，并且可通过缩小烧结银面积来降低成本，具有较高的科研和应用价值。

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29. 高导热高温共烧陶瓷封装外壳研究进展

尚承伟

电子与封装 2025, 25 (9): 90204-. DOI: 10.16257/j.cnki.1681-1070.2025.0094

摘要（205）

PDF（pc）（1418KB）（182）

高温共烧陶瓷（HTCC）外壳因其优异的性能，在电子封装领域发挥着重要作用。随着大功率器件的大量应用，对陶瓷封装外壳的散热提出了越来越高的要求。阐述了高温共烧陶瓷外壳的特性、主要结构、导热机理及影响封装外壳导热的因素，从封装外壳的导热设计、陶瓷导热材料和金属导热材料等方面系统总结了近年来高导热陶瓷封装外壳的研究现状，并对未来高导热封装外壳材料的研究进行了展望。

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30. Sn-Pb铜核微焊点液-固界面反应及力学性能研究^*

丁钰罡, 陈湜, 乔媛媛, 赵宁

电子与封装 2025, 25 (10): 100206-. DOI: 10.16257/j.cnki.1681-1070.2025.0119

摘要（204）

PDF（pc）（1721KB）（168）

Cu核微焊点相比传统Sn基微焊点具有更好的导电、导热及力学性能，且可有效控制焊点高度。探究了Sn-Pb合金电沉积工艺，电镀制备出Cu@Sn-Pb、Cu@Ni@Sn-Pb 2种Cu核微焊球，进一步研究了微焊点在250 ℃下回流的液-固界面反应，并探究了微焊点的剪切断裂机理。结果表明，Sn-Pb镀层成分受Pb²⁺浓度、络合剂质量浓度、电流密度以及镀液温度等因素影响。镀液温度为25 ℃、电流密度为1~2 A/dm²时电镀效果最佳。回流后，Cu/Cu@Sn-Pb/Cu微焊点中Sn-Pb/Cu核及Sn-Pb/Cu基板界面处均形成厚度相近的扇贝状Cu₆Sn₅及薄层状Cu₃Sn界面金属间化合物（IMC）；而Cu/Cu@Ni@Sn-Pb/Cu微焊点中Sn-Pb/Ni/Cu核及Sn-Pb/Cu基板界面上均形成扇贝状(Cu,Ni)₆Sn₅ IMC，由于Cu-Ni的交互作用，Cu₃Sn IMC生长受到抑制，且Cu基板侧IMC层厚度明显大于Cu核侧。剪切测试结果表明，回流1 min时，Cu/Cu@Ni@Sn-Pb/Cu微焊点与Cu/Cu@Sn-Pb/Cu微焊点剪切强度分别为55.2 MPa和47.9 MPa，镀Ni层后焊点强度提高15.2%。

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31. 玻璃通孔技术的力学可靠性问题及研究进展^*

马小菡，董瑞鹏，万欣，贾冯睿，龙旭

电子与封装 2025, 25 (7): 70109-. DOI: 10.16257/j.cnki.1681-1070.2025.0160

摘要（203）

PDF（pc）（2847KB）（257）

随着集成电路持续朝高密度、高性能方向发展，玻璃通孔（TGV）互连技术由于具有优异的电学、光学特性，良好的力学稳定性和低成本等优势，在三维电子封装、集成无源器件和光电器件集成方面具有广泛应用前景。系统综述TGV在芯片封装中的应用背景、制造工艺、材料选择及其所面临的主要力学挑战。对比玻璃中介层技术与硅通孔互连，总结TGV在成本、电学性能及机械稳定性方面的优势。阐述TGV与玻璃面板的制造流程，并强调常用玻璃材料（硅酸盐玻璃、石英玻璃和硼硅酸盐玻璃）的力学性能差异。重点分析TGV技术所面临的力学挑战，并给出潜在的解决方案。研究结果可为后续TGV结构优化与高可靠性封装设计提供一定的理论依据与工程指导。

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32. 流体辅助飞秒激光技术在半导体材料微纳加工中的应用与进展

孙凯霖, 田志强, 杨德坤, 赵鹤然, 黄煜华, 王诗兆

电子与封装 2025, 25 (8): 80403-. DOI: 10.16257/j.cnki.1681-1070.2025.0087

摘要（197）

PDF（pc）（3894KB）（280）

飞秒激光由于短脉冲、高能量密度特性可在一定程度上实现“冷加工”效果，得到微纳加工领域的广泛关注，然而，“冷加工”效果在不同材料中不尽相同。流体可增强加工中的换热作用、减少热效应，与飞秒激光作用后产生空化气泡促使材料被去除，提升加工效率和质量，因此，流体辅助飞秒激光成为新兴的微纳加工方法。对半导体中常见材料的流体辅助飞秒激光微纳加工过程进行了综述，涵盖了不同辅助流体的实验应用、理论计算和机制机理等方面的研究。流体辅助飞秒激光加工在微纳加工领域具有独特优势，但仍存在一些未解决的问题，如不同流体环境下的具体作用机制、加工参数与材料性能之间的精确关系、加工过程中的热力学模型建立等。

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33. 三维高速高频封装的信号完整性宽带建模设计方法

葛霈, 朱浩然, 鲁加国

电子与封装 2025, 25 (3): 30601-. DOI: 10.16257/j.cnki.1681-1070.2025.0066

摘要（196）

PDF（pc）（613KB）（221）

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34. 不同台阶对可润湿性侧翼QFN爬锡高度的影响

赵伶俐，杨宏珂，赵佳磊，付宇，周少明

电子与封装 2025, 25 (9): 90206-. DOI: 10.16257/j.cnki.1681-1070.2025.0096

摘要（194）

PDF（pc）（1594KB）（189）

近年来，方形扁平无引脚（QFN）封装凭借优异的电学与热学性能，在市场上占据越来越多的份额。作为QFN的衍生产品，可润湿性侧翼（WF）QFN因其优异的可润湿性在汽车电子领域展现出巨大的发展潜力。采用模拟爬锡的方法，探究不同的一步切割深度与台阶宽度对QFN器件爬锡高度的影响，可以近似模拟器件焊接在PCB上的爬锡效果。结果表明，当台阶切割深度≥0.05 mm或台阶宽度≥0.02 mm时，WF QFN器件的润湿性明显增加，爬锡高度显著提升，可有效改善后期焊接的可靠性。

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35. 高密度有机基板阻焊油墨显影与侧蚀研究

杨云武，俞宏坤，陈君跃，程晓玲，沙沙，林佳德

电子与封装 2025, 25 (9): 90207-. DOI: 10.16257/j.cnki.1681-1070.2025.0098

摘要（193）

PDF（pc）（1675KB）（194）

光固化阻焊油墨是印刷在基板上焊接区之外的树脂材料，其功能包括防止焊料桥连、抗氧化以及保护铜电路等。然而其开孔在加工过程中存在侧蚀问题，会影响后续工艺（如真空镀膜的连续性等）。通过理论计算和实验验证，并采用扫描电子显微镜、光学显微镜等表征手段，探究曝光能量和显影时间等工艺参数对开孔侧壁侧蚀程度的影响。研究结果表明，当曝光参数不变时，开孔侧蚀角随着显影时间的延长而减小；当显影参数不变时，开孔侧蚀角随曝光能量降低或固化时间缩短而减小。两者相比，显影时间的影响更为显著。通过对工艺参数的研究，为调控阻焊油墨侧壁形貌、减少侧蚀量提供改进思路。

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36. 先进电子封装用焊锡球关键尺寸检测的研究^*

李赵龙，王同举，刘亚浩，张文倩，雷永平

电子与封装 2025, 25 (6): 60204-. DOI: 10.16257/j.cnki.1681-1070.2025.0055

摘要（193）

PDF（pc）（1788KB）（150）

焊锡球圆度和粒径的精度决定着球栅阵列(BGA)封装、芯片级封装(CSP)等先进芯片封装产品的质量。在对焊锡球进行检测时，焊锡球会粘连在检测视野内，难以快速精确地批量测量其圆度和粒径。为实现对760 μm以下粘连焊锡球的精准检测，提出了一种基于凹点检测与椭圆拟合相结合的检测算法。该算法运用Harris角点检测算子检测图像中粘连焊锡球的凹点，结合凹点最短路径匹配准则实现焊锡球分离。通过Canny边缘检测算子检测焊锡球的边缘轮廓，基于轮廓点坐标拟合出椭圆曲线，从而实现焊锡球圆度与粒径的检测。检测结果表明，与扫描电镜测量结果相比，算法检测的焊锡球圆度误差可控制在3%以下，粒径相对误差可控制在1%以下。该技术为焊锡球的批量检测提供了一种快速有效的方法。

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37. 集成电路SiP器件热应力仿真方法研究^*

吴松，王超，秦智晗，陈桃桃

电子与封装 2025, 25 (10): 100204-. DOI: 10.16257/j.cnki.1681-1070.2025.0116

摘要（191）

PDF（pc）（1988KB）（383）

对于系统级封装（SiP）器件，热应力引发的热失配是导致其失效的主要因素之一。基于有限元的仿真技术不仅能满足精度要求，还可显著节省时间与资源成本。然而，当前国内外针对SiP器件的热应力应变仿真方法缺乏系统的对比与验证。以某典型SiP模型为例，从收敛性分析、约束类型分析、温度场构建分析、焊接面分析、黏接面分析5个方面研究该封装器件的热应力应变仿真方法，最终结合实验进行对比分析，形成准确高效的SiP器件热应力应变仿真方法理论，从而为该领域的封装设计提供一定的科学指导。

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38. 先进封装中铜柱微凸点互连技术研究进展^*

张冉远, 翁铭, 黄文俊, 张昱, 杨冠南, 黄光汉, 崔成强

电子与封装 2025, 25 (5): 50109-. DOI: 10.16257/j.cnki.1681-1070.2025.0141

摘要（190）

PDF（pc）（2982KB）（278）

超高密度互连、三维异构集成是当前微电子技术发展的趋势，铜柱微凸点作为先进封装互连的核心技术，提供了高性能、多样化的应用方案。讨论了焊料铜柱微凸点互连的原理、特性及挑战，详细阐述了瞬态液相互连技术及固态扩散互连技术的研究进展，概述了纳米材料修饰铜柱微凸点互连的不同方案，分析了各类材料的互连特性及性能。最后总结展望了铜柱微凸点互连技术未来的发展方向。

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39. 纳米铜粉的制备方法及其在电子封装行业的应用

王一帆,汪根深,孙德旺,陆冰沪,章玮,李明钢

电子与封装 2025, 25 (3): 30110-. DOI: 10.16257/j.cnki.1681-1070.2025.0047

摘要（182）

PDF（pc）（1797KB）（443）

纳米铜粉在电子封装领域可作为浆料的填充材料实现低温烧结，替代价格较高的银，具有广阔的应用前景。纳米铜粉的尺寸、形貌、纯度等与制备方法密切相关，有必要深入了解不同制备方法，实现粒径精准控制。综述了3种主流的纳米铜粉制备方法，重点对成本较低的液相还原法进行了介绍。介绍了纳米铜粉在低温烧结铜浆中的应用，分析了浆料成分、烧结参数等因素对铜浆烧结性能的影响，指明了纳米铜粉的技术瓶颈及发展趋势，纳米铜粉的粒径、形貌可控及抗氧化措施将成为未来研究热点。

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40. 三维集成铜-铜低温键合技术的研究进展

陈桂, 邵云皓, 屈新萍

电子与封装 2025, 25 (5): 50106-. DOI: 10.16257/j.cnki.1681-1070.2025.0110

摘要（176）

PDF（pc）（3743KB）（223）

随着集成电路制造技术对高性能、高集成度和低功耗的需求不断增加，三维集成电路（3D IC）技术成为提升芯片性能和集成度的有效途径。金属Cu具有低电阻率、优异的导热性和抗电迁移能力，能够提供高效的电气连接和热管理性能。低温Cu-Cu键合技术因其在高密度互连、良好的导电性和导热性方面的优势，成为先进封装的核心技术之一。探讨了Cu-Cu键合技术面临的主要挑战及其解决方案，总结了目前主要的几种低温键合技术，分析了它们在实际应用中的优势与不足。尽管Cu-Cu低温键合技术面临诸多技术瓶颈，但随着材料和工艺的不断进步，其在未来电子封装技术中仍具有广阔的应用前景。

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41. 玻璃基键合技术研究进展^*

傅觉锋，陈宏伟，刘金旭，张继华

电子与封装 2025, 25 (7): 70102-. DOI: 10.16257/j.cnki.1681-1070.2025.0139

摘要（172）

PDF（pc）（3059KB）（268）

随着三维集成技术的不断发展，玻璃基封装凭借其独特的优势开始被广泛研究。键合技术作为玻璃基封装的关键及难点，是构建“芯片高楼”的直接核心，需同时满足物理连接强度、电学可靠性及异质材料热匹配等严苛要求。键合技术从是否需要整体加热上可分为以热压扩散键合、阳极键合为代表的热键合，以及以超高真空表面活化键合、激光键合为代表的室温键合。低真空等离子体活化、真空紫外线光活化、湿化学活化等表面处理技术对降低键合温度、提高键合成功率非常有效。通过综述玻璃基键合技术的原理和特点，阐述了不同键合技术在不同应用场景下的优劣势，为玻璃基键合技术的持续创新和发展提供参考和思路。

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42. 玻璃通孔技术及其可靠性研究现状^*

马丙戌，王浩中，钟祥祥，向峻杉，刘沛江，周斌，杨晓锋

电子与封装 2025, 25 (7): 70106-. DOI: 10.16257/j.cnki.1681-1070.2025.0157

摘要（171）

PDF（pc）（5860KB）（250）

玻璃通孔（TGV）技术作为三维集成和先进封装的关键技术，以其优异的高频性能、低介电损耗和良好的热机械稳定性，在射频器件、高密度异构集成器件、光电共封装器件等领域展现出广阔的应用前景。然而，TGV技术的可靠性问题仍是制约其大规模产业化的核心挑战之一。系统综述了TGV技术的发展历程、应用研究现状、玻璃转接板制备工艺、可靠性研究进展。着重讨论了TGV关键互连结构由加工、设计、热应力等引起的可靠性问题，在总结常见互连失效机制之后，指出了目前TGV的可靠性研究在多场耦合失效研究、多性能参数协同评估、失效分析手段开发方面的不足。最后针对未来基于TGV技术开发新一代高性能器件的需求，分析了进一步开展可靠性研究工作需要关注的重点，为后续围绕玻璃转接板和TGV技术进行系统性的可靠性研究提供借鉴和参考。

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43. 铜-铜键合制备多层陶瓷基板技术研究^*

雷振宇, 陈浩, 翟禹光, 王莎鸥, 陈明祥

电子与封装 2025, 25 (5): 50105-. DOI: 10.16257/j.cnki.1681-1070.2025.0086

摘要（169）

PDF（pc）（1954KB）（184）

为了提高功率器件封装集成度，通过铜-铜热压键合的方式将直接镀铜(DPC)陶瓷基板进行垂直堆叠制备出一种新型多层陶瓷基板。利用电镀工艺对铜表面进行了处理，并探究了铜-铜热压键合的工艺条件。结果表明，在电流密度为2 A/dm²(ASD)时，可制备出高晶面(111)取向的金属铜，其具有较低的表面粗糙度，有利于铜-铜热压键合。在250 ℃和24 MPa压力下，采用高晶面(111)电镀铜实现高强度键合(强度高达32.34 MPa)，制备出含腔体结构的多层陶瓷基板，并具有较高可靠性。

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44. 基于低温铜烧结技术的大功率碳化硅模块电热性能表征^*

闫海东,蒙业惠,刘昀粲,刘朝辉

电子与封装 2025, 25 (3): 30107-. DOI: 10.16257/j.cnki.1681-1070.2025.0063

摘要（167）

PDF（pc）（1748KB）（197）

SiC器件的比导通电阻仅有Si基器件的1/5，在高频、高温、高功率密度的车规级封装领域展现出更大优势，但SiC器件的高通流密度对其散热设计提出了更高要求。虽然高导热率、低工艺温度、高服役温度的银烧结有助于优化功率模块的热管理，但存在烧结银成本过高与电迁移问题。针对上述问题提出了一种针对SiC器件的全铜烧结互连方法，高质量铜互连层的剪切强度超过130 MPa。与传统功率模块相比，全铜烧结功率模块的结-壳热阻降低了6.12 K/kW（12.47%），动、静态测试结果表明，模块具有良好的电学性能。

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45. 集成歧管微流道的近结点冷却技术强化芯片热管理

李佳琦, 何伟, 李强

电子与封装 2025, 25 (2): 20601-. DOI: 10.16257/j.cnki.1681-1070.2025.0068

摘要（165）

PDF（pc）（502KB）（169）

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46. 基于晶圆级封装的微波变频SiP设计

祝军，王冰，余启迪，蒋乐

电子与封装 2025, 25 (9): 90201-. DOI: 10.16257/j.cnki.1681-1070.2025.0092

摘要（160）

PDF（pc）（1591KB）（191）

随着半导体技术日益高密度集成化发展，系统级封装（SiP）成为实现小型化微电子产品的重要技术路径。基于晶圆级封装技术，通过重分布层（RDL）和聚酰亚胺介质层成型的重构晶圆，设计了一种小尺寸的微波变频SiP芯片。该芯片内部主要集成混频器、低噪声放大器和滤波器等微波单片电路，可实现将K、Ka波段的信号下变频到L波段，芯片尺寸仅为6.9 mm×5.2 mm×0.5 mm。相比传统微组装工艺，基于晶圆级封装工艺设计的微波变频SiP芯片在多通道一致性方面具有很大优势。

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47. SO-8塑封器件湿热耦合可靠性研究

李登科

电子与封装 2025, 25 (4): 40204-. DOI: 10.16257/j.cnki.1681-1070.2025.0036

摘要（157）

PDF（pc）（1586KB）（154）

随着塑封器件大规模应用于各类电子产品，对其可靠性的研究逐渐成为人们关注的热点。塑封材料的吸湿特性导致塑封器件对水汽十分敏感，因此研究塑封器件的湿热特性极具应用价值。基于ANSYS Workbench有限元软件对SO-8塑封器件进行了高压蒸煮试验仿真，分析了器件在湿热耦合试验条件下各个结构的应力、应变分布。仿真结果表明，SO-8塑封器件内部各个结构互相接触的位置存在较大的应力和应变，其中引脚框架和塑封料的界面存在的应力和应变相对较大，这些部位是塑封器件易发生分层现象的位置。结合SO-8塑封器件在高压蒸煮试验后的超声扫描图像可以发现，湿热耦合试验条件下SO-8塑封元器件的分层主要发生在引脚框架上，这一现象与有限元仿真结果一致，为SO-8塑封器件的设计与封装提供了重要参考。

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48. 功率器件银电化学迁移分析与改善

邱志述，胡敏

电子与封装 2025, 25 (4): 40201-. DOI: 10.16257/j.cnki.1681-1070.2025.0034

摘要（154）

PDF（pc）（1209KB）（199）

银作为可焊接金属，与铅、锡等形成低温合金可显著提升工艺适应性，广泛应用于半导体功率器件领域。芯片金属与封装互连中银电化学迁移常导致器件短路，以致失效。为了减少这类失效，对银电化学迁移机理进行研究，并从芯片、封装方面给出改善措施。增加芯片保护层、减少封装环氧树脂和芯片的分层可以减少潮气对芯片表面的侵蚀，是改善银电化学迁移的关键。

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49. S波段内匹配Doherty GaN功率放大器设计

景少红,时晓航,吴唅唅,豆刚,张勇

电子与封装 2025, 25 (2): 20302-. DOI: 10.16257/j.cnki.1681-1070.2025.0018

摘要（154）

PDF（pc）（1119KB）（60）

无线通信系统中，功率放大器既是发射端尺寸最大的器件，也是功耗最高的器件。为应对通信系统对功放提出的小体积、高效率的要求，介绍了一款基于GaN工艺的内匹配Doherty功率放大器。该放大器工作频率为3.4~3.6 GHz，饱和输出功率大于47 dBm，附加效率大于55%，输出功率回退4.5 dB时，附加效率大于52%。功率放大器采用内匹配技术设计，可以有效减小体积，整个放大器外封装尺寸为30.8 mm×27.4 mm。

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50. “玻璃通孔技术进展和应用”专题前言

崔成强, 于大全

电子与封装 2025, 25 (7): 70100-.

摘要（154）

PDF（pc）（429KB）（254）

玻璃作为常见的无机固体材料，已被使用了上千年，中国、埃及、欧洲等都有关于早期玻璃的考古发现。19世纪中期以前，玻璃常被用于装饰物、工艺品、器皿和建筑材料等。直到19世纪中后期，随着一系列特种玻璃的出现，玻璃材料逐步跨越到拥有广阔应用前景的工业新领域。相对于传统硅、陶瓷、BT等材料，玻璃兼具了高模量、高硬度、低热膨胀系数等诸多优点，其相对介电常数仅为硅片的三分之一，玻璃衬底凭借低介电常数、高稳定性、低吸湿率及优异的热膨胀匹配等特性，成为气密封装盖板、射频器件衬底以及高密度基板的理想材料。

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51. 一种具有可调折返过流保护的LDO电路设计^*

王晶,张瑛,李玉标,罗寅,方玉明

电子与封装 2025, 25 (2): 20305-. DOI: 10.16257/j.cnki.1681-1070.2025.0028

摘要（153）

PDF（pc）（1468KB）（93）

基于CSMC 0.18 μm BCD工艺，设计了一种具有可调折返限流功能且无须内部补偿的低压差线性稳压器（LDO）。为防止闩锁，设计了一个可通过外部单电阻调整折返点的限流结构。此外，为了降低LDO环路补偿的设计难度，设计了一种无须内部补偿的LDO环路。该设计的限流点为13.78 mA，短路电流为0.56 mA，在输入电压为3.4~42 V、输出电压为3 V时，线性调整率不超过0.5 mV/V，且在轻载和重载情况下，相位裕度分别为89.7°和74.7°，1 kHz时电源抑制比为-65 dB。

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52. 面向CMOS图像传感器的噪声抑制研究进展^*

陈建涛，郭劼，钟啸宇，顾晓峰，虞致国

电子与封装 2025, 25 (6): 60303-. DOI: 10.16257/j.cnki.1681-1070.2025.0059

摘要（152）

PDF（pc）（2527KB）（477）

作为一种典型的固体成像传感器，CMOS图像传感器（CIS）利用标准的CMOS工艺将像素、信号处理电路集成到一块芯片上。在CIS的设计过程中，噪声的存在会给图像引入随机变化，给图像质量和信噪比带来不利影响，尤其是在低光照条件下，这种影响更加明显。为了提高CIS的成像质量，必须采取措施以最大限度地减小噪声的影响。回顾了CIS的架构和典型的噪声模型，从像素单元和读出电路2方面详细分析了各种噪声抑制方法的最新进展和各项指标对比，并讨论和展望了低噪声CIS可能的发展方向。

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53. 玻璃基灌封材料助力SiC功率器件在300 ℃长期运行

陈俊伟, 曾惠丹

电子与封装 2025, 25 (4): 40601-. DOI: 10.16257/j.cnki.1681-1070.2025.0132

摘要（150）

PDF（pc）（445KB）（180）

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54. 玻璃通孔化学镀金属化研究进展^*

孙鹏，钟毅，于大全

电子与封装 2025, 25 (7): 70107-. DOI: 10.16257/j.cnki.1681-1070.2025.0158

摘要（149）

PDF（pc）（2453KB）（223）

随着摩尔定律逐渐达到物理极限，电子器件向“小、巧、精”发展的同时也对先进封装技术提出了更高的要求。玻璃基板由于具有优秀的高频应用能力、热膨胀系数灵活可调、成本低廉以及大尺寸超薄玻璃基板易于获取等优点，目前已受到国内外企业及科研院所的青睐。金属化工艺作为玻璃通孔（TGV）中的关键环节，决定了集成芯片电气连接的性能。当前，TGV金属化主要通过物理气相沉积(PVD)技术实现。但PVD工艺的成本高昂，沉积速度慢且处理高深宽比盲、通孔的效果差，使得通过湿法工艺对TGV进行金属化受到了广泛关注。针对此，阐述了TGV化学镀沉积机理并综述了近年来的研究现状及提升镀层与玻璃基板黏附性的关键技术，同时对未来发展方向提出见解。

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55. 芯片管脚热插拔失效分析和改进

戚道才，梁鹏飞，王彬

电子与封装 2025, 25 (9): 90203-. DOI: 10.16257/j.cnki.1681-1070.2025.0089

摘要（148）

PDF（pc）（1033KB）（138）

客户反馈2片以CKS32F030K6T6为主控的电路板无法正常驱动电机运转，且测得芯片电源管脚短路。对故障电路板进行技术分析，发现微控制器（MCU）的通用输入管脚（PA7）受到异常电压冲击而损伤，导致电源正极输入管脚（VDD）和负极输入管脚（GND）短路。现场检查客户电路图，发现损伤的管脚未采取任何浪涌防护措施。根据客户的电路实际应用场景，优化测试流程，规避热插拔。同时在板卡MCU端口管脚处并联双向瞬态电压抑制管（TVS）并串联限流电阻进行防护，有效抑制浪涌电压对管脚的损伤。

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56. 金属种子层PVD溅射系统在面板级先进封装中的应用^*

张晓军，李婷，胡小波，杨洪生，陈志强，方安安

电子与封装 2025, 25 (10): 100201-. DOI: 10.16257/j.cnki.1681-1070.2025.0113

摘要（148）

PDF（pc）（2115KB）（199）

物理气相沉积（PVD）溅射系统作为面板级先进封装的关键工艺设备之一，其性能直接影响到封装质量和可靠性。介绍了应用于大尺寸（510 mm×515 mm及以上）面板级先进封装的溅射系统，该系统配置了多个单元模块，在降低工艺成本的同时实现连续自动化溅射镀膜生产，自研的大尺寸阴极溅射系统可以有效提高沉积速率，同时提升靶材利用率至50%；自研冷却系统能显著降低基板表面温度，改善翘曲，实现更精细的控制；在510 mm×515 mm尺寸的基板上沉积的Ti、Cu薄膜的非均匀性分别为±3.05%和±2.36%，玻璃基板表面Ti/Cu薄膜附着力测试值高达277 N/cm²，降低了种子层沉积后脱落的风险，全流程均在真空系统内完成，减少了水汽及颗粒对基板的污染，研究结果为面板级先进封装技术的发展提供了重要的参考和指导。

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57. IPM模块散热片变色研究

龚平,陈莉,顾振宇,潘效飞

电子与封装 2025, 25 (2): 20206-. DOI: 10.16257/j.cnki.1681-1070.2025.0030

摘要（146）

PDF（pc）（986KB）（123）

智能功率模块（IPM）封装往往采用散热片外露的形式以提高其与外部环境的热交换效率。散热片通常是由具有高导热率的框架或者基板（如双面覆铜陶瓷基板）制成。由于陶瓷基板的结构特性，基板外露在塑封体外部一侧的铜层在镀锡过程中不会被锡层覆盖，因此会出现表面变色问题。对具有双面敷铜陶瓷基板的IPM模块的散热片变色现象展开分析，总结了变色的处理方法、预防措施以及各自的优缺点。研究结果表明，在封装工艺设计中，将处理与预防方法相结合，才能有效解决IPM封装中双面覆铜陶瓷基板散热片的变色问题。

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58. 塑封器件内部结构对注塑空洞影响研究

马明阳，万达远，李耀华，叶自强，赵澎，曹森，欧彪

电子与封装 2025, 25 (8): 80203-. DOI: 10.16257/j.cnki.1681-1070.2025.0088

摘要（143）

PDF（pc）（1197KB）（153）

半导体塑封器件因其独特的价格与轻量化优势，在航空航天等高可靠领域广泛应用。注塑空洞导致的产品良率与产品可靠性问题日益受到关注，合理的内部结构设计是降低注塑空洞发生率的关键因素。系统研究了不同塑封器件内部结构对注塑后产品空洞的影响。研究发现，仅改变注塑方向不会降低空洞发生的概率。当内部元器件面积占比增长31.96个百分点或体积占比增长6.41个百分点，可大幅降低空洞出现的概率。内部元器件面积和体积占比的增加有利于改善塑封料的流动稳定性、温度均匀性和填充饱满性，最终使空洞发生率降低至检测限以下。

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59. 金属钛对金刚石/Cu复合材料制备工艺及性能影响研究进展^*

代晓南, 王晓燕, 周雪, 白玲, 栗正新

电子与封装 2025, 25 (8): 80402-. DOI: 10.16257/j.cnki.1681-1070.2025.0081

摘要（136）

PDF（pc）（1502KB）（70）

金刚石/Cu复合材料兼具金刚石和Cu的优异性能，具有高硬度、高热导率、低热膨胀系数、耐磨损等特点，是金属基复合材料领域研究重点之一。最早的金刚石/Cu复合材料制备工艺为高温高压烧结，该工艺可有效避免金刚石颗粒石墨化带来的负面影响。随着工业及科技的不断发展，业界出现了多种制备工艺。在复合材料内添加金属钛，可改善金刚石/Cu复合材料内部的主要相含量、微观组织结构、界面结构等结构特征（影响其整体性能的关键因素）。系统综述国内外金刚石/Cu复合材料制备技术，阐述金属钛对金刚石/Cu复合材料导热性能、热膨胀性能、力学性能、微观组织及界面反应机制等方面的影响，分析当前金刚石/Cu复合材料研究存在的问题，并对复合材料未来发展方向进行展望。

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60. 军用DC/DC电源模块失效分析研究

李鹏，张竹风，王自成，刘红，赵国发

电子与封装 2025, 25 (4): 40206-. DOI: 10.16257/j.cnki.1681-1070.2025.0041

摘要（135）

PDF（pc）（2420KB）（134）

针对某武器系统研制过程中出现的2只DC/DC电源模块输出异常问题，通过制定失效分析方案探究其失效机理。对失效模块进行外观检查，各管脚均存在不同程度的绝缘子破裂现象；进行电性能和I-V特性曲线测试，并与合格样品进行对比，发现2只失效模块的Pin3与Pin5之间分别存在二极管特性异常和连接性异常现象，初步确定失效部位；通过X射线检测设备对模块内部基板和引线架进行检查，发现1#模块的2处VDMOS管键合丝断裂，断面呈熔球状；进一步将模块物理开封进行内部检查，观察到1#模块的VDMOS管芯片中间部位存在高温引起的变色现象，2#模块的管脚焊接点存在明显裂缝。对失效原因进行排查和分析，结果表明，电源端过电应力导致1#模块的VDMOS烧毁，焊接不良造成2#模块的输出异常。

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61. 基于循环内聚力模型的TSV界面裂纹扩展模拟研究

黄玉亮，秦飞，吴道伟，李逵，张雨婷，代岩伟

电子与封装 2025, 25 (10): 100202-. DOI: 10.16257/j.cnki.1681-1070.2025.0114

摘要（131）

PDF（pc）（2512KB）（154）

硅通孔（TSV）界面可靠性问题一直是电子封装领域关注的热点。通过数值模拟的方法，采用循环内聚力模型研究了温度循环载荷下Cu和SiO₂界面损伤开裂问题。在双线性内聚力模型基础上建立了考虑疲劳损伤的循环内聚力模型，并验证了模型的合理性。模拟了不同尺寸TSV结构在温度循环载荷下Cu和SiO₂界面的损伤开裂现象，并对其规律进行了研究。研究结果表明，温度循环过程中Cu和SiO₂ 2种材料间的界面强度不断减小，界面损伤不断累积，最终裂纹产生于TSV顶部并逐渐扩展。随着TSV直径的增加，裂纹沿Cu和SiO₂界面的扩展速率逐渐增大，Cu的塑性变形和界面损伤开裂有明显的尺寸效应，该研究结果可用于指导TSV互连结构优化设计。

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62. 6061/4047铝合金激光封焊显微组织及性能研究

徐强,杨丽菲,舒钞,肖富强

电子与封装 2025, 25 (2): 20203-. DOI: 10.16257/j.cnki.1681-1070.2025.0024

摘要（128）

PDF（pc）（768KB）（113）

在微波组件模块中，为防止裸芯片加工后出现的磕碰、氧化及加速老化等问题，需要对微波组件模块进行封盖处理，以保证其有良好的气密性和使用性能。采用激光封焊技术焊接6061/4047铝合金，采用电火花线切割机切取焊缝试样。采用金相显微镜分析焊缝组织形貌，并使用显微硬度计测试焊缝硬度。采用拉力试验机进行破坏性拉力试验，并使用金相显微镜观察断口形貌。结果表明，焊缝与6061/4047铝合金界面形成了良好的冶金层，焊缝硬度低于6061/4047铝合金，焊缝中心位置的硬度最高，拉伸断口位于6061铝合金侧，断口为典型的塑性断裂形貌。

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63. 乙基纤维素影响下的微米银焊膏和纳米银焊膏烧结对比研究^*

喻龙波,夏志东,邓文皓,林文良,周炜,郭福

电子与封装 2025, 25 (3): 30102-. DOI: 10.16257/j.cnki.1681-1070.2025.0037

摘要（127）

PDF（pc）（2386KB）（146）

微米银（Ag MPs）焊膏和纳米银（Ag NPs）焊膏因其低温烧结、高温服役的特点而成为最有可能用于高温封装的连接材料。研究了乙基纤维素对Ag MPs和Ag NPs焊膏烧结结果的影响，分析了相同条件下2组焊膏烧结结果存在差异的原因。结果表明，在无压、250 ℃、空气条件下，添加质量分数为5%的乙基纤维素，2组焊膏的烧结性能较好，Ag MPs焊膏烧结所得接头强度和薄膜电阻率为8.57 MPa和4.25 μΩ·cm，Ag NPs焊膏烧结所得接头强度和薄膜电阻率为32.89 MPa和7.71 μΩ·cm。接头界面和薄膜微观形貌表明，烧结后颗粒间形成的烧结颈和烧结组织均匀性是影响连接强度的关键因素，而烧结组织致密度则是影响导电性的主要因素。研究结果为进一步提高银焊膏烧结接头强度和烧结薄膜导电性提供了参考。

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64. 液体环氧塑封料的应用进展^*

肖思成，李端怡，任茜，王振中，刘金刚

电子与封装 2025, 25 (10): 100205-. DOI: 10.16257/j.cnki.1681-1070.2025.0118

摘要（126）

PDF（pc）（1882KB）（166）

系统梳理并总结了液体环氧塑封料（LEMC）的应用领域及实际应用情况。从集成电路先进封装技术的发展对LEMC的性能需求、LEMC的组成与结构设计、LEMC的研究与开发等角度阐述了LEMC在扇出型晶圆级封装（FOWLP）以及高带宽存储器（HBM）中的应用进展。

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65. TEC通断电情况下焊点寿命预测

李长安,庞德银,俞羽,全本庆,杨宇翔

电子与封装 2025, 25 (2): 20201-. DOI: 10.16257/j.cnki.1681-1070.2025.0021

摘要（125）

PDF（pc）（1150KB）（183）

为了研究TEC在高低温通断电实验中发生焊点开裂的问题，采用有限元分析方法分析了TEC焊点在通断电时的热应力，应力分析结果表明，通断电会使得上焊点经历更多次的高低温循环，温度循环在焊点上产生交替变化的热应力，且上焊点的热应力变化比下焊点大，从而导致上焊点更容易发生疲劳开裂。将高温和低温下的各1次通断电等效为1次高低温循环，计算了每次高低温循环中上焊点的蠕变应变能密度，基于蠕变应变能密度，预测了TEC通断电情况下上焊点的寿命，预测的通断电次数对评估TEC服役寿命具有参考意义。

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66. IMC厚度对大尺寸高密度电路可靠性的影响

韩星，梁若男，谢达，郭俊杰

电子与封装 2025, 25 (10): 100203-. DOI: 10.16257/j.cnki.1681-1070.2025.0107

摘要（125）

PDF（pc）（1007KB）（190）

随着电子产品与封装系统向多功能、小型化及高可靠性方向发展，具有高密度特性的球栅阵列（BGA）封装技术得到广泛应用。在BGA封装过程中，锡膏被广泛用作焊接材料，以实现无铅焊球（SAC305）与铜焊盘之间的互连。然而，金属间化合物（IMC）在无铅锡膏焊接体系中的生长难以避免。IMC与基材热膨胀系数的显著差异导致热应力产生，进而影响焊球可靠性。为研究IMC层厚度对电路可靠性的影响，采用有限元法模拟不同IMC层厚度下、温度循环过程中无铅焊球的应力变化及疲劳寿命。研究结果表明，IMC层的形成及其厚度的增加会导致等效应力持续增大，并伴随明显的塑性应变，从而显著降低焊球的疲劳寿命。

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67. 临时键合工艺中晶圆翘曲研究^*

李硕，柳博，叶振文，方上声，陈伟，黄明起

电子与封装 2025, 25 (8): 80204-. DOI: 10.16257/j.cnki.1681-1070.2025.0124

摘要（123）

PDF（pc）（2128KB）（331）

在先进封装领域，包括晶圆减薄、圆片级封装、三维封装、晶圆背面加工以及多芯片封装体的晶圆重构等关键工艺中，临时键合技术发挥着至关重要的作用。针对该技术在异质热压键合中引发的翘曲进行了深入分析，并提出了解决方案，包括衬底和临时键合胶的优选、旋涂工艺的优化以及键合参数的调整，以满足先进封装对低翘曲临时键合工艺的需求。

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68. 系统级封装模组高可靠封焊技术研究

成嘉恩，姬峰，张鹏哲，兰元飞，何钦江，兰梦伟，王明伟

电子与封装 2025, 25 (12): 120202-. DOI: 10.16257/j.cnki.1681-1070.2025.0134

摘要（120）

PDF（pc）（1517KB）（172）

随着射频组件的工作频段不断提高、装配空间不断压缩，传统基于二维多芯片组件工艺的射频组件已无法满足产品高性能、小型化、轻量化的需求。系统级封装工艺将三维芯片叠层结构封装至具有高布线密度的金属陶瓷管壳结构中，通过焊锡球实现垂直方向的低损耗射频互连，能够极大提高产品集成度与性能。从封焊过程中的工装设计、焊料设计以及焊接参数设计等多个维度开展研究，探究最优工艺路线，最终实现了密封漏率≤ 3×10^-9 Pa·m³/s、焊接层空洞率≤ 5%的封焊工艺指标，实现了模组整体高可靠工作。

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69. Sb微粒对SAC305锡膏焊接接头性能的影响

林钦耀，汪松英，曾世堂

电子与封装 2025, 25 (12): 120201-. DOI: 10.16257/j.cnki.1681-1070.2025.0133

摘要（119）

PDF（pc）（1241KB）（146）

针对SAC305锡膏焊接接头在苛刻的高温环境中可靠性不足的问题，通过机械混合方式向SAC305锡膏中添加Sb粉微粒，制备了复合锡膏SAC305-xSb（x=0%，2%，6%，10%，20%）。研究Sb粉微粒添加量对SAC305锡膏的润湿性、熔化特性、焊后耐温性、焊接接头空洞率以及微观组织和力学性能的影响。研究结果表明，复合锡膏的润湿性和焊接空洞率随着Sb粉含量的增加而下降，熔化特性和焊后耐温性随着Sb粉含量的增加而增强，焊接接头剪切强度随Sb粉含量增加先上升后下降。当复合锡膏中Sb粉微粒质量分数为6%时，制备的复合锡膏焊接接头的连接强度最高，主要原因是Sb原子固溶在β-Sn中，使微观组织Ag₃Sn相呈网状分布，强化焊层内部的连接强度。

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70. MEMS封装LGA2x2产品切割后点胶工艺方法研究

薛岫琦, 郑志荣

电子与封装 2025, 25 (5): 50202-. DOI: 10.16257/j.cnki.1681-1070.2025.0061

摘要（118）

PDF（pc）（1805KB）（114）

介绍了MEMS成型后点胶的通用工艺，提出了MEMS封装产品成型切割后点胶中遇到的问题。针对此次工艺进行了试验，采用数理统计方法进行了分析。对MEMS封装产品成型切割后点胶工艺方法进行研究，找出点胶实施过程的问题，实施优化切割后的点胶方法。最终采用数理统计方法验证了该点胶方法在工艺实施过程的可行性，胶水直径与胶水位置的CPK均大于1.33，数据集中过程能力优秀。与原方法对比，该方法的精度有明显提高，且满足了工艺中切割后对于点胶的要求。

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71. 基于硅通孔的双螺旋嵌套式高密度电感器三维结构及解析模型^*

尹湘坤，马翔宇，王凤娟

电子与封装 2025, 25 (9): 90401-. DOI: 10.16257/j.cnki.1681-1070.2025.0097

摘要（117）

PDF（pc）（1466KB）（141）

为了满足射频系统微型化、集成化发展对无源电感器在高电感密度、硅基三维集成等方面的需求，基于硅通孔技术提出了一种硅基三维集成的高密度电感结构，并建立了精确的电感解析模型。该结构采用硅通孔和重布线层的三维嵌套实现了多个螺旋层的叠加，利用螺旋层之间的磁场耦合增强了硅衬底三维空间的磁场强度，实现了119.7 nH/mm²的电感密度，通过减小平行金属的电场耦合长度降低了寄生电容，实现了~5 GHz的自谐振频率和高品质因数。所提出的电感解析模型与有限元仿真结果误差小于3.2%，证明了该模型的精确性。提出的双螺旋嵌套式电感器采用硅基三维集成结构实现，具有较高的电感密度和良好的宽频特性，为射频系统的无源电感微型化设计提供了重要解决方案。

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72. 基于玻璃通孔互连技术的集成无源器件发展

刘晓贤，廖立航，朱樟明

电子与封装 2025, 25 (7): 70104-. DOI: 10.16257/j.cnki.1681-1070.2025.0149

摘要（117）

PDF（pc）（2221KB）（181）

摘要：基于硅通孔的三维集成技术虽然能够提高数据传输带宽与集成度，并且在尺寸、兼容性、性能等方面具有突出优点，但也面临着高频损耗大、工艺成本高等重大挑战，因此非常有必要探索基于新的基板材料的毫米波电路与系统集成技术。玻璃或石英材料能克服硅基板的高频损耗等缺陷，是当前较理想的基板材料。与硅基板相比，玻璃基板作为低介绝缘体，可直接与金属导体接触而不需要绝缘的隔离介质层，其工艺复杂度与成本显著降低，高频电学特性更加稳定，热膨胀系数与硅基板相似，在与硅基芯片键合时产生的热应力较小，进而降低了翘曲、焊点失效等问题，提高了三维封装的可靠性，因此基于玻璃转接板的毫米波集成无源器件（IPD）在保持低成本的同时还能够实现良好的电学特性。介绍了国内基于玻璃通孔技术的三维集成无源器件发展情况，以及随着玻璃通孔技术的发展和孔径尺寸的减小，寄生参数对信号传输的影响。

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73. GaN基传感器研究进展^*

刘诗旻，陈佳康，王霄，郭明，王利强，王鹏超，宣艳，缪璟润，朱霞，白利华，尤杰，陈治伟，刘璋成，李杨，敖金平

电子与封装 2025, 25 (8): 80104-. DOI: 10.16257/j.cnki.1681-1070.2025.0143

摘要（117）

PDF（pc）（3113KB）（130）

在科技飞速发展的当下，传感技术作为信息获取的关键，不断向高灵敏度、微型化和多功能化的方向迈进。GaN材料具有高电子迁移率、宽能带隙、良好的化学稳定性等优点，在感知力学信号、识别化学离子、探测生物分子和检测气体等方面表现卓越，为实现高灵敏度、高选择性和快速响应的检测提供了新的解决方案。总结了GaN基传感器在力学、气体、化学、生物领域的最新研究进展，阐述其结构设计与制备工艺，分析了其在不同应用场景中的优势与面临的挑战。同时探讨了未来通过结合纳米技术、表面功能化及集成技术等，进一步提升传感器性能。

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74. 随机振动下QFP加固方式的可靠性研究

郭智鹏，李佳聪，张少华，何文多

电子与封装 2025, 25 (10): 100207-. DOI: 10.16257/j.cnki.1681-1070.2025.0125

摘要（116）

PDF（pc）（1196KB）（123）

针对四侧引脚扁平封装（QFP）器件在随机振动环境中的可靠性问题，采用有限元法对底部填充加固、四角点胶加固以及底部填充和四角点胶复合加固3种方式进行分析，结合应力-疲劳寿命（S-N）曲线预测随机振动下引脚的疲劳寿命，探究引脚的应力分布及失效规律。研究结果表明，在底部填充和复合加固方式下，器件边角引脚的一次成型处最容易失效；而四角点胶加固方式中，器件中间引脚的一次成型处存在显著应力集中。在无加固、四角点胶加固、底部填充和复合加固方式下，引脚疲劳寿命分别为3.23×10³、3.15×10⁶、4.33×10⁸、2.86×10¹²次，3种加固方式都可以提高引脚疲劳寿命，其中底部填充加固效果优于四角点胶加固，复合加固方式对疲劳寿命的提升最为显著。

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75. GaN功率放大器输出功率下降失效分析^*

张茗川,戈硕,袁雪泉,钱婷,章勇佳,季子路

电子与封装 2025, 25 (2): 20401-. DOI: 10.16257/j.cnki.1681-1070.2025.0017

摘要（114）

PDF（pc）（1463KB）（573）

GaN管芯是微波功率放大器的核心器件，其热性能很大程度上决定了功率放大器的电性能。针对某一型号功率放大器在直流老化后出现输出功率下降的现象，利用红外热像、声学扫描、能谱分析等分析方法对失效功率放大器开展了分析研究。结果表明，放大器管芯背金金属层之间发生明显分层，导致器件热阻增大，老炼时管芯结温超过安全工作区，从而使得放大器输出功率下降。

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76. 先进封装中铜晶粒控制方法综述^*

朱宏佳，杨刚力，李亚男，李力一

电子与封装 2025, 25 (6): 60209-. DOI: 10.16257/j.cnki.1681-1070.2025.0155

摘要（113）

PDF（pc）（2223KB）（144）

随着集成电路节点尺寸的缩小，摩尔定律发展放缓，先进封装成为维持集成电路性能继续提升的重要技术。铜具有优秀的导电性能和机械性能，作为互连材料在先进封装技术中被广泛使用。近年来，铜晶粒的微观结构对其在先进封装中的性能影响受到重视，一些具有独特微观结构、性能更加出众的铜晶体被相继发现并被尝试应用到先进封装中。综述了先进封装中几类典型微观结构铜晶粒的制备方法与工艺控制原理，为铜互连材料性能提升提供了参考。

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77. 窄间距多芯片自动共晶焊接工艺研究

贾海斌，赵彬彬，高婷

电子与封装 2025, 25 (12): 120204-. DOI: 10.16257/j.cnki.1681-1070.2025.0136

摘要（112）

PDF（pc）（1266KB）（98）

共晶焊接是电子封装领域一种重要的芯片键合工艺，典型共晶焊接工艺包括真空共晶焊接和摩擦共晶焊接2种。与真空共晶焊接工艺相比，摩擦共晶焊接工艺具有操作简单、灵活性高等优势，并且已经实现自动化。随着产品集成度的提升，多芯片共晶设计得到普遍应用，与传统单芯片共晶相比，多芯片共晶对工艺要求更高。针对某窄间距多芯片共晶封装结构，基于自动摩擦共晶焊接工艺，从吸嘴设计、焊片尺寸控制、焊接参数设置等方面开展研究，实现少焊料溢出、低空洞共晶焊接效果。

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78. 基于故障监控的CPU测试平台设计

刘宏琨,王志立,王一伟,张凯虹,奚留华

电子与封装 2025, 25 (2): 20205-. DOI: 10.16257/j.cnki.1681-1070.2025.0029

摘要（111）

PDF（pc）（1133KB）（63）

通过ATE结合实装系统实现了CPU芯片测试。基于环回测试技术实现CPU芯片的PCIe和UART接口测试，通过外挂Flash芯片实现CPU芯片SPI接口的读写性能测试、擦除测试、数据保持测试，通过外挂DDR4芯片实现CPU芯片的内存延迟、时间参数测试。通过设计实装系统故障诊断定位装置并外挂EEPROM芯片实现CPU芯片测试温度实时监控，提高了测试效率。

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79. IPM封装模块焊接与金线键合工艺研究

王仙翅，刘洪伟，刘晓鹏，蔡钊，朱亮亮，杜隆纯

电子与封装 2025, 25 (8): 80201-. DOI: 10.16257/j.cnki.1681-1070.2025.0079

摘要（109）

PDF（pc）（1400KB）（123）

在智能功率模块（IPM）制备过程中，焊接质量和金线键合质量直接影响IPM性能。研究了焊接工艺参数对Pb_92.5Sn₅Ag_2.5真空回流焊接质量的影响，以及键合工艺参数对金线键合性能的影响，并对焊接和金线键合工艺进行优化，制备了一款IPM，对其进行双脉冲测试。研究结果表明，活化温度和时间、回流区升温时间、回流温度和时间、降温速率等焊接参数都对焊接质量有规律性影响。优化焊接工艺后焊层空洞率均值约为3.8%，剪切强度均值为32.15 MPa，表现出良好的焊接质量。优化金线键合工艺后，键合金线的键合压球尺寸和厚度均值分别为85.4 µm和19.3 µm，剪切强度均值为42.4 gf，金线的拉力均值为21.4 gf，键合质量良好。双脉冲测试结果表明，基于优化工艺制备的IPM性能良好。

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80. 降低玻璃基板TGV应力的无机缓冲层方法与仿真分析^*

赵泉露，赵静毅，丁善军，王启东，陈钏，于中尧

电子与封装 2025, 25 (7): 70108-. DOI: 10.16257/j.cnki.1681-1070.2025.0159

摘要（109）

PDF（pc）（2013KB）（152）

玻璃基板凭借其优异的机械性能和较高的平整度等优势成为了先进封装的关键材料。提出了在玻璃基板TGV玻璃和铜之间烧结无机缓冲层的方案来降低玻璃芯板的应力，为了与后续化学镀金属化的工艺兼容，仿真分析了ZnO、TiO₂、ZrO₂ 3种无机缓冲层对玻璃芯板应力的影响，同时探究了缓冲层厚度、玻璃芯板厚度以及TGV孔径对玻璃芯板应力的影响。结果表明，该方案相比纯铜填充的TGV可以有效降低叠层升温过程中玻璃芯板的应力，其中烧结5 μm的TiO₂玻璃芯板应力降低了66.58%。同时缓冲层越厚、TGV孔径越小，玻璃基板TGV升温过程玻璃芯板的应力越小，此结果可为降低玻璃基板TGV的应力提供重要参考。

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81. 某PCBA载板的翘曲变形研究与优化

吴丽贞，熊铃华，刘帅，赵可沦

电子与封装 2025, 25 (12): 120210-. DOI: 10.16257/j.cnki.1681-1070.2025.0175

摘要（109）

PDF（pc）（1716KB）（177）

为解决小型陶瓷基板印制板组件（PCBA）在表面贴装（SMT）工艺中载板翘曲变形引起的焊接不良问题，进行了理论分析、热-力耦合有限元仿真及试验验证，系统研究了SMT工艺过程中载板的三维温度场演化规律及其与结构变形的映射关系。仿真结果显示，载板直接接触加热台时，因非均匀热环境导致产生热应力，从而引起载板发生翘曲变形，最终降低了被载器件良率。为解决该问题，缓冲瞬时热效应，提出了在载板与加热台间增设隔热垫的优化方案。结果表明，该方案可有效降低温差与温升速率，翘曲变形量减少了90%以上，翘曲变形得到控制，器件不合格率从6.5%降到了2.0%以下，器件良品率得到了有效的改善。

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82. MoS₂光电探测器的温度依赖性研究

王家驹，王子坚，南海燕

电子与封装 2025, 25 (8): 80106-. DOI: 10.16257/j.cnki.1681-1070.2025.0165

摘要（108）

PDF（pc）（1834KB）（75）

MoS₂具有许多优异的光电特性，如优异的光吸收能力、较宽的光响应范围、较高的光电转换效率等，被应用于各个领域。研究结果表明，薄层MoS₂的高温稳定性存在显著挑战。当温度超过200 ℃时，材料内部会形成大量硫空位，这些缺陷位点容易吸附环境中的氧分子，从而导致非预期掺杂效应并引发电学性能波动。若温度进一步升高至300 ℃以上，材料将发生氧化反应，其本征电学特性与光电响应性能将产生不可逆的剧烈变化。采用具有较低接触电阻的内嵌电极结构，并通过干法转移将MoS₂材料转移到内嵌电极上，制备了高质量的MoS₂光电探测器。对该器件进行不同温度的退火处理，通过拉曼光谱、荧光光谱对材料的结构变化进行了表征，借助输出特性、转移特性曲线和光电流响应曲线对器件的温度依赖性进行了分析。结果表明，经过300 ℃退火后，器件的上升和衰减时间都显著缩短，上升时间从3.76 s降至48 ms，衰减时间从283.2 s降至23 ms。为进一步探究其中机理，采用六方氮化硼（h-BN）在MoS₂顶部封装进行实验求证，发现封装能够有效抑制高温下硫空位的形成以及空气中氧掺杂对器件性能的影响。这为深化理解MoS₂的温度依赖性，优化其在光电器件中的高温稳定性提供了理论与实验依据。

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83. 一种JPEG-XS编码器的硬件架构优化设计

李雅欣,吴林煌,刘伟,郑畅

电子与封装 2025, 25 (2): 20304-. DOI: 10.16257/j.cnki.1681-1070.2025.0023

摘要（108）

PDF（pc）（2472KB）（60）

为将JPEG-XS这一主流的浅压缩算法与现场可编程门阵列（FPGA）相结合，设计了一种适用于高分辨率、高帧率应用场景的视频编码器，提出了一种完整的JPEG-XS编码器硬件方案。对整个编码器进行流水线编码设计，实现模块间时间上的复用，对于模块内部，提出了4行并行计算的5/3小波变换架构，对于耗时最长的熵编码模块提出了并行编码各子包的硬件方案。实验结果表明，在Xilinx UltraScale+ ZCU102的FPGA平台，该硬件架构仅占用38.9×10³个查找表资源和23.8×10³个寄存器资源，最大主频可达182.24 MHz，可支持4K@60帧/s的实时编码。

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84. 氮化镓(多晶硅)异质结势垒肖特基二极管的载流子传输机制研究

薛文文，丁继洪，张彦文，黄伟，张卫

电子与封装 2025, 25 (9): 90404-. DOI: 10.16257/j.cnki.1681-1070.2025.0105

摘要（107）

PDF（pc）（1904KB）（62）

P型多晶硅(Poly-Si)与GaN形成的异质结势垒肖特基二极管能够改善传统宽禁带半导体功率二极管正向导通与反向阻断特性难以兼顾的问题。为研究器件在不同工作状态下的物理机制，通过实验与机理分析，探究了该器件在-80~+80 ℃的正反向特性与载流子输运机制。研究结果表明，其载流子输运机制与GaN/Poly-Si界面缺陷状态有关。正向偏压低于0.5 V时，高温区（-20~80 ℃）以多隧道捕获-发射为主导，低温区（-80~-40 ℃）则以热电子发射为主；在0.5~0.9 V时F-N隧穿为主要机制。反向偏压下，低于50 V时势垒降低效应占主导，高于50 V时则以陷阱辅助的空间电荷受限机制为主。

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85. 钨粉颗粒度对高温共烧陶瓷翘曲度的影响

余焕，吕立锋

电子与封装 2025, 25 (9): 90205-. DOI: 10.16257/j.cnki.1681-1070.2025.0095

摘要（105）

PDF（pc）（1186KB）（89）

选用3种不同粒径范围（0.5~0.8 μm、1~3 μm、6~10 μm）的钨粉，按特定质量比混合后与氧化铝陶瓷高温共烧制备金属化层。实验结果表明，钨金属化层的翘曲度与烧结孔隙率的变化密切相关，但并非简单的正相关关系。采用单一小粒径的钨粉时，其膜层孔隙率最高（23.2%），但颗粒的均匀分布降低了烧结应力梯度，同时高孔隙率缓冲了内应力，使翘曲度最低（0.016）。这表明钨粉颗粒级配通过调控颗粒重排和应力分布，对高温共烧陶瓷（HTCC）烧结行为及翘曲度产生了显著影响，特别是亚微米与小粒径钨粉按9∶11的质量比混合，可在降低膜层孔隙率（12.98%）的同时，将翘曲度控制在较低水平（0.03），实现性能的均衡优化。该研究为通过颗粒级配设计优化平衡孔隙率与翘曲度的HTCC生产工艺提供了理论依据，对提升产品市场竞争力、满足微电子技术发展需求具有重要意义。

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86. 基于安时积分法估算电池低温荷电状态的方法对比

李丽珍, 王星, 向小华, 叶源, 沈小波

电子与封装 2025, 25 (2): 20501-. DOI: 10.16257/j.cnki.1681-1070.2025.0020

摘要（104）

PDF（pc）（1445KB）（65）

低温环境下锂离子电池最大可用容量减少，直接影响低温荷电状态（SoC）的估算精度。测试了磷酸铁锂电池在不同温度下的最大可用容量，提出了线性低温容量损失模型和定值低温容量损失模型，分析对比了电池在这2种模型下损失的容量随温度变化的趋势，并基于安时积分法对比了这2种低温容量损失模型对SoC估算的影响。通过MATLAB/Simulink仿真及实车低温充电和放电试验对比了这2种SoC的估算方法。结果表明，线性低温容量损失模型的估算精度较高，整车低温充电试验和低温放电试验的SoC估算误差分别为1.81%和3.64%，且电池静置时SoC不随电池温度变化，更加符合终端客户预期。

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87. 平行缝焊工艺的热应力影响研究

万达远，马明阳，欧彪，曹森

电子与封装 2025, 25 (6): 60201-. DOI: 10.16257/j.cnki.1681-1070.2025.0048

摘要（103）

PDF（pc）（2121KB）（161）

在陶瓷封装行业中，平行缝焊技术因其高可靠性和成本效益而备受青睐。然而，当工艺参数设置不当或管壳结构设计存在缺陷时，封帽过程中可能导致管壳开裂，进而影响器件的气密性。采用有限元分析方法，深入探讨了焊接过程中管壳的开裂失效机理，并分析了管壳结构尺寸和工艺参数对热应力的影响。研究结果表明，通过优化管壳结构设计和调整焊接工艺参数，管壳热应力最大可降低约28%，减少了密封开裂的风险。

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88. 应用于人脸检测的智能CMOS图像传感器设计^*

李文卓，顾晓峰，虞致国

电子与封装 2025, 25 (8): 80102-. DOI: 10.16257/j.cnki.1681-1070.2025.0077

摘要（100）

PDF（pc）（1932KB）（139）

在用于人脸检测的图像传感器中，帧率和功耗均是关键指标。针对人脸检测智能图像传感器帧率较低和功耗较高的问题，设计了一种高速低功耗读出电路，利用卷积神经网络进行人脸检测，将原始图像输出的数据量压缩了66.6%，减少了模数转换的次数。所使用的网络可以实现3×3卷积、修正线性单元、2×2最大池化和1×1全连接层。读出电路支持可配置时序，通过配置不同的时序，读出电路适用于灰度成像模式和卷积模式。基于55 nm CMOS工艺进行设计，电源供电电压为1.2 V，卷积模式下输出帧率达到603 帧/s，读出电路的总功耗为137 μW。在Labeled Faces in the Wild数据集中，人脸检测的准确率达到了98.3%。

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89. 应力缓冲层对玻璃基板填孔结构内应力及可靠性的调控规律研究^*

王展博，张泽玺，杨斌，郭旭，杨冠南，张昱，黄光汉，崔成强

电子与封装 2025, 25 (7): 70103-. DOI: 10.16257/j.cnki.1681-1070.2025.0122

摘要（100）

PDF（pc）（2982KB）（191）

玻璃具有优良的高频电学特性、机械稳定性以及低成本等优势，是下一代高密度封装基板的理想材料。然而玻璃与铜的热膨胀系数存在较大差异，在温度变化过程中容易产生较大热应力，特别是在玻璃通孔(TGV)等关键结构附近，影响了玻璃基板的性能与可靠性。针对玻璃基板填孔结构的可靠性问题，通过有限元模拟与实验手段，研究了在玻璃与铜的界面引入一层有机聚合物作为应力缓冲层的方法，以调控界面内应力并提高其可靠性。分析了有机聚合物厚度对玻璃填孔结构热应力的影响规律。仿真结果表明，插入厚度为1 µm的缓冲层可将玻璃基板的最大主应力降低约40%。通过实验进一步验证了具有应力缓冲层的玻璃基板的热应力可靠性得到了明显提升。

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90. VIISta HCS离子注入机在离子束优化与检测期间的金属污染探究及改善

李天清

电子与封装 2025, 25 (2): 20402-. DOI: 10.16257/j.cnki.1681-1070.2025.0026

摘要（99）

PDF（pc）（1058KB）（49）

针对半导体行业所面临的金属污染问题，VIISta HCS离子注入机虽已具备若干成熟的改进措施，然而在先进制程对离子注入工艺金属纯净度要求日益严格的当下，迫切需要明确该机型金属污染的其他潜在原因。该机型在进行离子束优化与检测的过程中，设备会进行气流、电压、电流以及其他硬件参数的调整。这些调整可能对机台的金属析出产生影响，从而导致污染。经验证，设备在对离子束参数进行检查后，注入的硅片中金属铝的含量有所上升。针对铝含量增加的问题进行了理论分析和实验验证。结果表明，通过多次手动移动图形法拉第杯，可以有效促进铝元素的提前析出。通过使用特定程序的挡片来执行离子束通道清洁作业，成功实现了铝洁净度34%的提升，显著缓解了在离子束参数检查过程中铝含量变差的问题，提高了工艺稳定性。

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91. 基于FPGA的JPEG-XS高性能解码器硬件架构设计

郑畅,吴林煌,李雅欣,刘伟

电子与封装 2025, 25 (2): 20303-. DOI: 10.16257/j.cnki.1681-1070.2025.0019

摘要（99）

PDF（pc）（1280KB）（77）

JPEG-XS视频编解码标准具有高质量、低复杂度、低延时等特点。针对JPEG-XS图像编解码压缩标准，对其解码算法进行了简要介绍，提出了一种面向硬件实现的高性能JPEG-XS解码器架构。所设计的解码器硬件架构采用流水线处理，能够在保持高数据吞吐量的同时减少由组合逻辑带来的路径延迟，提高了工作频率，每个时钟周期可解码4个重构像素值。实验结果表明，在Xilinx Zynq FPGA的实验平台上，所设计的高性能JPEG-XS解码器硬件架构仅占用15k的查找表和10k的寄存器资源，最高主频达254 MHz，最高可支持4K、100 frame/s的实时视频解码。

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92. 基于基板折叠的多面立体封装技术研究进展^*

毕博，潘碑，张晋，成海峰，葛振霆，刘子玉

电子与封装 2025, 25 (12): 120208-. DOI: 10.16257/j.cnki.1681-1070.2025.0169

摘要（98）

PDF（pc）（3025KB）（99）

基于基板折叠的多面立体封装由互不平行的基板构成，是一种特殊的3D立体封装，具有较高的功能密度和散热能力，在传感器、医疗设备等多种应用场景下有重要的研究价值。介绍了基于基板折叠的多面立体封装的概念与国内外研究现状，系统总结了该类封装的典型结构、基板材料、组装工艺、散热及代表性应用。重点分析了基于基板折叠的多面立体封装与其他类型3D封装之间的差异，探讨了该封装技术的独特优势与亮点。最后，对该技术在有源相控阵T/R组件和光电共封领域的发展前景进行了展望。

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93. 耦合声子晶体对声波器件品质因子的提高^*

黄泽宙，胡婉雪，沈宇恒，方照诒，沈坤庆

电子与封装 2025, 25 (9): 90403-. DOI: 10.16257/j.cnki.1681-1070.2025.0101

摘要（97）

PDF（pc）（1687KB）（140）

提出一种基于耦合声子晶体的氮化镓声表面波谐振器结构，旨在提高器件品质因子。为了验证该结构的可行性，采用COMSOL仿真软件，比较了基于一维声子晶体反射栅和金属反射栅的声表面波谐振器。仿真结果表明，一维声子晶体反射栅的传输损耗为-24.29 dB，而金属反射栅的传输损耗仅为-15.5 dB。设计了具有100对叉指换能器、20对金属反射栅、电极宽度400 nm的声表面波谐振器，其品质因子为2 455。通过优化声子晶体尺寸，器件的品质因子显著提升至3 910，相比传统金属反射栅结构提高了60%以上，展现出卓越的性能。

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94. VCD和WGL文件转换为ATE测试向量的方法

欧阳涛，谭勋琼，李振涛

电子与封装 2025, 25 (6): 60208-. DOI: 10.16257/j.cnki.1681-1070.2025.0073

摘要（97）

PDF（pc）（1190KB）（123）

介绍了VCD（Value Change Dump）和WGL（Waveform Generation Language）波形描述文件在集成电路领域的重要应用，并对VCD和WGL文件中的组成元素进行了全面的分析。结合波形文件特点，采用逐行解析匹配关键字的策略对文件进行解析，引入配置文件控制数据处理过程，将波形文件转换为自动测试机台（ATE）所需的测试向量，在Linux环境下采用C/C++语言实现。实际应用表明，该方法转换过程简便高效，在保证测试向量功能正常的条件下，VCD文件和WGL文件的转换时间都有明显缩减，达到了提高转换效率的目的。

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95. 一种高速半带插值滤波器的设计方法^*

季心洁，王志亮

电子与封装 2025, 25 (4): 40304-. DOI: 10.16257/j.cnki.1681-1070.2025.0102

摘要（95）

PDF（pc）（1139KB）（41）

为了满足高速通信系统和数字信号处理中对数据插值的需求，提出了一种基于半带滤波器的高速插值滤波器的设计方法。该方法利用半带滤波器的系数稀疏性与对称性，采用多路并行结构显著减少了乘法运算的数量和计算复杂度。详细介绍了半带滤波器的频域特性及其在插值中的应用，探讨了滤波器的设计步骤、硬件实现以及资源优化方法。仿真结果表明，该滤波器设计方法能够在保证滤波性能的前提下，大幅提升插值速度，适合高速和实时信号处理的应用场景。

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96. 四甲基氢氧化铵溶液温度对硅槽刻蚀的影响

张可可，张秋丽，赵金茹，周立鹏

电子与封装 2025, 25 (10): 100402-. DOI: 10.16257/j.cnki.1681-1070.2025.0115

摘要（95）

PDF（pc）（934KB）（69）

研究了压力传感器中关键的应力敏感薄膜刻蚀问题。进行了四甲基氢氧化铵溶液在不同温度条件下对硅槽刻蚀的试验，通过台阶测试仪、扫描电子显微镜等设备进行硅槽刻蚀表征测试，分析了温度对硅槽刻蚀速率、表面形貌、均匀性的影响，刻蚀温度在80 ℃时，高平整度硅深槽结构的薄膜厚度均匀性为0.038%，合格率达到92.67%。

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97. 一种高精度离散时间Sigma-Delta调制器的设计

郭林，万江华，邓欢

电子与封装 2025, 25 (6): 60302-. DOI: 10.16257/j.cnki.1681-1070.2025.0057

摘要（94）

PDF（pc）（1765KB）（161）

阐述了一种3阶3位量化离散时间Sigma-Delta调制器的设计。考虑到节约功耗和面积，调制器结构选择级联积分前馈（CIFF）结构。调制器的3位量化由7个多位比较器实现，为实现高精度，使用gain-boosting技术来提高积分器中运放的增益；同时使用数据加权平均（DWA）电路对输入端数模转换器（DAC）电容失配引入的噪声进行整形进而提高有效位数。调制器采用55 nm CMOS工艺设计，在电源电压为3.3 V、温度为27 ℃、典型tt工艺角下，带宽为16 kHz，有效位数为19.10位。

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98. 面向手势识别的CMOS图像读出电路设计^*

李浩钰，顾晓峰，虞致国

电子与封装 2025, 25 (8): 80101-. DOI: 10.16257/j.cnki.1681-1070.2025.0076

摘要（93）

PDF（pc）（2196KB）（93）

手势识别技术在人机交互和虚拟现实领域获得了极大关注，然而，基于视觉的手势识别系统仍受芯片面积和功耗的制约。提出一种适用于3×3卷积核滑动卷积运算的读出电路，读出电路包括卷积电路和修正线性单元-最大池化（ReLU-MaxPool）双功能电路。卷积电路可以实现正负权重可配置，利用电流加权在电流域实现高精度的卷积运算。ReLU-MaxPool双功能电路可同时实现ReLU和池化功能，采用开关电容、寄存器以及定制化逻辑电路，结合时序提高了工作效率和运行速度。电路基于55 nm CMOS工艺实现，电源供电电压为2.5 V，卷积电路在不同工艺角下输出误差小于0.25%。卷积电路经过蒙特卡洛仿真，误差的均值为0.05%，方差为1.26%。对电路误差进行建模，代入手势识别算法，测试集准确率从理想算法模型的91.66%下降到了90.62%，对结果的影响仅有1.04个百分点。

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99. 基于试验与仿真的CBGA焊点寿命预测技术^*

李杰，曹世博，余伟，李泽源，乔志壮，刘林杰，张召富，刘胜，郭宇铮

电子与封装 2025, 25 (7): 70201-. DOI: 10.16257/j.cnki.1681-1070.2025.0153

摘要（93）

PDF（pc）（2916KB）（84）

陶瓷球栅阵列（CBGA）封装技术以其高密度互连优势在电子封装领域占据着举足轻重的地位，焊点的可靠性是影响器件性能的关键因素。采用有限元法深入探究了焊点在热循环载荷下的寿命预测技术。通过板级温循试验，监控导通电阻以分析焊点的寿命数据。构建了CBGA焊点的有限元模型，并对比分析了仿真与试验数据，确定焊点应变能密度均值增量作为寿命表征因子，进而优化了模型的稳健性。将试验实测数据与仿真结果有机结合，集成到Darveaux寿命模型中，建立了焊点寿命预测方法。研究结果证实，该方法能有效预测CBGA焊点的寿命，为同类封装产品的可靠性设计提供了有力的技术支撑。

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100. 模拟开关通用测试系统研究

钟昂，戴畅

电子与封装 2025, 25 (4): 40207-. DOI: 10.16257/j.cnki.1681-1070.2025.0043

摘要（91）

PDF（pc）（2593KB）（83）

传统模拟开关测试系统存在开发周期长、部分参数测试精度不够的通用问题，逐渐无法满足当前高性能器件大批量生产测试的要求。利用共用母板的兼容性和大型测试机台的精准性、稳定性，设计了一套基于V93000自动测试设备的模拟开关通用测试系统，该系统可调性强、兼容性广、精度高，且易于操作，新产品测试开发时只需经过简单的硬件设计，并通过简单的可视化窗口软件调试即可，大大缩短了模拟开关类器件测试系统的开发周期，提高了效率，降低了测试成本，并保证了测试参数的准确性和稳定性。

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101. 一款汽车电子用MCU失效分析与对策

王彬，赵志林，郭晶

电子与封装 2025, 25 (4): 40502-. DOI: 10.16257/j.cnki.1681-1070.2025.0045

摘要（89）

PDF（pc）（1710KB）（61）

某车载电动尾门系统运行过程中，控制器直流电机运动时线缆产生的电磁辐射干扰到MCU芯片时钟路径，进一步引发内核Hardfault总线错误，导致运行故障，尾门无法到达指定位置。以MCU内核Hardfault异常为顶层事件建立故障树进行失效分析，成功定位了干扰源为直流电机线缆，干扰传播路径为空间辐射，干扰对象为MCU时钟路径，并通过故障场景复现验证了分析结果的正确性。最后从软、硬件角度提出了整改方法，对于电机运动控制系统的MCU失效分析与预防具有一定的参考借鉴价值。

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102. 先进封装驱动下的片上互连技术发展态势研究

王翰华，崔忠杰

电子与封装 2025, 25 (12): 120203-. DOI: 10.16257/j.cnki.1681-1070.2025.0135

摘要（88）

PDF（pc）（2206KB）（66）

随着登纳德缩放定律的失效以及摩尔定律的减缓，芯片性能的提升越来越依赖于多核架构。片上互连技术已经成为决定处理器性能的关键因素。片上网络技术和先进封装技术为处理器核心数量的规模化增长提供了必要的前提条件。然而，受先进封装技术的驱动，片上互连的拓扑结构正经历从二维向三维的转变，这一变化导致互连结构复杂度提升，互连场景也日趋多样化。传统的基于电信号的有线互连技术已经显示出其局限性，而光互连和无线互连等前沿技术则有望在未来高性能计算等领域中得到应用，成为现有互连方式的有力补充。

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103. 一款高频QFN48陶瓷管壳的设计

陈莹，成燕燕，王波，李祝安

电子与封装 2025, 25 (6): 60205-. DOI: 10.16257/j.cnki.1681-1070.2025.0064

摘要（86）

PDF（pc）（1332KB）（248）

随着集成电路不断向小尺寸、高速化的方向发展，陶瓷管壳的应用频段要求逐渐提高。设计了一款方形扁平无引脚（QFN）封装的陶瓷管壳，通过对其键合指和腔体的参数化设计确定了设计方案，利用测试板和陶瓷50 Ω传输线搭建完整测试链路。结果显示，设计的QFN48管壳组成的全链路可覆盖0~5 GHz高速传输。

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104. MEMS器件辐射损伤机理与抗辐射加固技术研究进展^*

郭凯茜，朱志成，徐东航，聂萌

电子与封装 2025, 25 (11): 110102-. DOI: 10.16257/j.cnki.1681-1070.2025.0176

摘要（86）

PDF（pc）（2812KB）（199）

随着MEMS技术在空间探测、核能工程等极端辐射环境中的广泛应用，其辐射可靠性问题日益凸显。系统分析了基于不同工作原理（静电驱动、压阻传感、压电转换等）的MEMS器件在辐射环境下的失效机理，重点总结了电离辐射、位移损伤等效应对器件性能的影响规律。详细评述了从材料优化、结构设计到工艺改进的抗辐射加固技术研究进展。最后，针对未来深空探测、核反应堆监测等应用需求，提出了MEMS抗辐射加固技术的发展趋势和研究方向，为高可靠MEMS器件的设计与应用提供参考。

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105. 半导体先进封装领域专利技术综述

余佳, 马晓波

电子与封装 DOI: 10.16257/j.cnki.1681-1070.2026.0005
录用日期: 2025-08-11

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106. 4通道S波段硅基SiP模块的设计与实现

傅祥雨

电子与封装 2025, 25 (4): 40302-. DOI: 10.16257/j.cnki.1681-1070.2025.0035

摘要（85）

PDF（pc）（1780KB）（94）

为满足下一代卫星通信机载有源相控阵天线系统小型化要求，采用三维堆叠系统级封装(SiP)中的硅通孔（TSV）技术，设计并实现一种高集成度的4通道S波段射频SiP模块。该SiP模块采用0.2 mm厚度的声表滤波器芯片，尺寸仅为15.8 mm×16.8 mm×1.95 mm，相较于传统高温共烧陶瓷封装模块，体积缩小85%以上。使用辅助设计软件对SiP模块进行设计与仿真，实测结果显示，该SiP模块在1 980～2 300 MHz频率范围内，增益为1～5 dB，幅度一致性优于±1 dB，相位一致性优于±5°，带外抑制优于30 dB（1 980～2 010 MHz频段优于50 dB）。

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107. 基于SiP应用的多层有机复合基板的三维堆叠

姚剑平，李庆东，管慧娟，杨先国，苟明艺

电子与封装 2025, 25 (4): 40208-. DOI: 10.16257/j.cnki.1681-1070.2025.0044

摘要（83）

PDF（pc）（1053KB）（125）

为使射频微波产品进一步实现小型化、通用化和系列化的设计、生产和应用，提出了一种基于多层有机复合基板的三维堆叠集成封装设计方法和工艺实现方法，并将其应用到了一款变频系统级封装（SiP）组件中。相较于二维高密度集成，基于多层有机复合基板的三维堆叠集成封装加强了垂直方向的空间利用率，能够进一步实现射频产品的小型化。多层有机复合基板三维堆叠模型的仿真和实测结果表明，此结构模型可以满足宽频带射频信号传输要求。采用多层有机复合基板三维堆叠方式设计的变频SiP组件的性能满足指标要求，设计方法和工艺实现方法具有可实现性。

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108. 基于AFM-IR的电子铜箔表面痕量有机物的原位检测与去除^*

李林玲，王勇，印大维，章晨，滕超，陈葳，江伟，李大双，郑小伟，周东山，薛奇

电子与封装 2025, 25 (4): 40202-. DOI: 10.16257/j.cnki.1681-1070.2025.0032

摘要（83）

PDF（pc）（2493KB）（78）

高性能电子铜箔是新一代通信技术所用高频高速PCB板的核心原材料之一，铜电沉积后表面吸附有机添加剂的控制对电子铜箔的性能有重要影响。基于原子力显微-红外光谱（AFM-IR）技术极高的检测灵敏度和空间分辨率，原位检测到国产铜箔表面残留的痕量有机杂质为整平剂明胶，并通过铜箔表面化学成像分析，发现这些残留的整平剂以零星状吸附于铜瘤顶部和侧面的钝化层之上。在AFM-IR方法的监测下，对二氯甲烷溶剂洗涤去除铜箔表面残留痕量有机杂质的效率进行了定量分析。相关工作将会有助于铜箔表面处理工艺的优化，以实现国产电子铜箔的高性能化。

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109. 大功率LED投光灯死灯、暗亮失效分析探究

冯学亮，刘兴龙，周小霍，吴冰冰，曾志卫

电子与封装 2025, 25 (9): 90501-. DOI: 10.16257/j.cnki.1681-1070.2025.0106

摘要（80）

PDF（pc）（3252KB）（66）

通过失效复现确认了大功率LED投光灯死灯、暗亮两类失效的原因。通过测试异常灯珠的半导体特性，确定这两类失效模式为开路和漏电，检查开路及漏电灯珠外观，发现二者晶元位置同一侧均有发黑处，疑似晶元表面存在烧毁现象。化学开封后，开路灯珠晶元表面阴极位置均存在电极击穿烧毁脱开异常，漏电灯珠晶元表面指状电极位置同样存在击穿烧毁现象。对失效灯板上发光正常的灯珠晶元表面进行聚焦离子束（FIB）及CP-SEM分析，结果表明开路灯珠阴极脱开及漏电灯珠指状电极位置击穿烧毁的主要原因是阴极位置存在界面空洞缺陷及指状电极周围和阴极位置无SiO₂保护层。

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110. 真空加热炉温度均匀性提升研究^*

徐星宇，李早阳，史睿菁，王成君，王君岚，罗金平，金雨琦，朱帆，张辉

电子与封装 2025, 25 (12): 120402-. DOI: 10.16257/j.cnki.1681-1070.2025.0152

摘要（80）

PDF（pc）（1228KB）（71）

针对电子器件热处理中常用的晶圆键合台真空加热炉建立三维仿真模型，研究炉体内部的热量传递与温度分布规律。在此基础上评估加热炉的温度均匀性，并提出保温环结构与高导热材料设计方案。研究结果表明，加热炉加热面温度分布不均主要由加热丝的非中心对称布置和加热面边缘漏热导致，在加热面边缘布置保温环或加热盘材料使用碳化硅陶瓷时，面温度非均匀性由3.2%分别优化至2.5%和1.7%，这为晶圆键合台真空加热炉温度均匀性的提升起到积极推动作用。

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111. 200 mm BCD器件用Si外延片滑移线控制研究

谢进,邓雪华,郭佳龙,王银海

电子与封装 2025, 25 (9): 90402-. DOI: 10.16257/j.cnki.1681-1070.2025.0099

摘要（79）

PDF（pc）（1644KB）（76）

研究了直径200 mm BCD器件用Si外延片滑移线的影响因素，探究了超高温条件下滑移线的工艺控制方法。基于BCD器件对Si外延片特性的要求，分析了石墨基座位置、衬底电阻率分布、温度分布对于超高温条件下外延层滑移线的影响，优化了外延控制方法。采用常压高温化学气相沉积技术制备了BCD器件用Si外延片，并通过Hg-CV等设备对外延片进行测试分析。实验结果证明，该工艺控制方法可有效抑制滑移线的产生，同时满足BCD器件工艺所需的外延层均匀性、图形漂移畸变等控制要求，并通过长期外延验证确认了工艺稳定性。

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112. 三维SiP模块中的BGA焊球隔离性能研究

蔡茂, 徐勇, 洪玉, 毛仲虎

电子与封装 2025, 25 (7): 70202-. DOI: 10.16257/j.cnki.1681-1070.2025.0154

摘要（79）

PDF（pc）（1480KB）（85）

射频通道隔离度是衡量系统级封装（SiP）模块性能的重要指标之一，直接关系到系统的稳定性和信号质量。提出了1种用于三维SiP模块的球栅阵列（BGA）焊球隔离技术——利用板级堆叠工艺中连接上下基板的BGA焊球形成屏蔽墙，从而提高射频通道间的隔离度。按照排布方式对SiP模块中常见的射频空间泄露进行分类，通过仿真计算和实物测试验证了该隔离技术的有效性，为改善SiP模块射频通道隔离度提供了有力支持。

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113. 某MEMS垂直探针在针测行程作用下的屈曲力学行为研究

秦林肖

电子与封装 2025, 25 (6): 60203-. DOI: 10.16257/j.cnki.1681-1070.2025.0052

摘要（78）

PDF（pc）（1955KB）（118）

探针卡作为一种测试接口，是连接芯片和测试机之间的中间媒介，而其中晶圆测试中所用的探针是测试机与晶圆上被测芯片之间进行通信的重要功能部件。基于某规格MEMS垂直探针，采用有限元分析软件，对比分析5根与所配合装配的探针卡上下盖板的初始接触状态不同的探针在同样的针测行程作用下各个探针的关键力学性能。基于屈曲理论，采用拟合方法推导探针平衡接触力与所加载针测行程间的函数关系式。

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114. 密封半导体器件PIND失效与全过程管控

丁荣峥，虞勇坚

电子与封装 2025, 25 (6): 60202-. DOI: 10.16257/j.cnki.1681-1070.2025.0049

摘要（78）

PDF（pc）（3142KB）（108）

密封半导体器件粒子碰撞噪声检测（PIND）失效分析及噪声颗粒控制已经成为封装不可缺少的环节。随着封装集成度和复杂度的不断提高，因颗粒引起的PIND失效变得越来越不易受控。如何减少密封半导体器件的颗粒是封装可靠性提升的研究内容之一。重点分析了密封半导体器件研制生产中未报道的PIND失效典型案例，按类分析颗粒来源，提出了从封装结构设计、封装材料、封装工艺、封装环境到封装设备仪器及夹具、密封前检查和处理、PIND可靠检测以及不明失效的跟踪排除等全过程管控的思想和方法。实际生产结果表明，该方法能极大降低密封半导体器件PIND失效率，满足航天等用户远高于GJB548C—2021方法2020.2中的苛刻要求——最多3次PIND检测，且最后1次检测的剔除率为0；不合格品解剖确认不得为导电性颗粒，否则整批不接收。

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115. 一种耐高温MEMS加速度传感器

张旭辉，李明昊，任臣，陈琳，杨拥军

电子与封装 2025, 25 (11): 110101-. DOI: 10.16257/j.cnki.1681-1070.2025.0174

摘要（77）

PDF（pc）（1741KB）（183）

设计一种耐高温微机电系统（MEMS）加速度传感器，MEMS敏感结构采用差分梳齿电容检测原理，MEMS与专用集成电路（ASIC）均使用绝缘体上硅（SOI）工艺设计制造。ASIC包括低噪声前端放大器、增益/零位调节、低通滤波等信号链电路单元，以及片上基准、片上振荡器、熔丝型一次性可编程（OTP）等辅助电路单元。器件采用陶瓷管壳封装，量程达到±15g，非线性度0.31%，225 ℃时零偏稳定性优于0.002g，表现出较好的温度特性和高稳定性。

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116. 无衬底Micro LED芯片直显研究进展

梁劲豪, 余亮, 陈勇林, 屠孟龙

电子与封装 DOI: 10.16257/j.cnki.1681-1070.2026.0032
录用日期: 2025-09-29

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117. 一种基于SW831的高速存储数据管理方法

黄辉，吴晓庆

电子与封装 2025, 25 (4): 40501-. DOI: 10.16257/j.cnki.1681-1070.2025.0039

摘要（76）

PDF（pc）（1253KB）（40）

随着信息技术的发展，数据存储对带宽和容量的要求越来越高。针对此需求，设计了一种基于SW831处理器+FPGA+非易失性存储器快速通道（NVME）的存储系统。系统前端使用FPGA采集数据，为了保证数据不丢失，FPGA先将数据缓存到内存，由于缓存空间有限，需要及时地将缓存数据写入到存储盘中。基于此目的，提出了一种基于SW831处理器的数据管理方法，通过无容错的条带化磁盘阵列（RAID0）方式管理NVME存储阵列，应用链表直接管理NVME盘的存储块，通过SW831的控制，将FPGA缓存的数据直接搬移到NVME存储盘中，有效提高了数据存储效率，经实际测试，在系统总容量为12 TB的情况下，平均存储速率可达6.4 GB/s。另外，通过管理软件的配合，用户可以以文件的方式管理、访问数据，使用较为方便。

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118. "新型传感器设计及封装技术"专题前言

梁峻阁

电子与封装 2025, 25 (8): 80100-.

摘要（75）

PDF（pc）（351KB）（112）

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119. 动态调压加热型氧浓度检测装置设计

龚文, 龚武, 郭晶

电子与封装 2025, 25 (5): 50501-. DOI: 10.16257/j.cnki.1681-1070.2025.0078

摘要（71）

PDF（pc）（1707KB）（46）

提出了一种新型加热电路，旨在优化氧浓度检测装置的设计性能。详细介绍了氧化锆传感器的测量原理，并以32位MCU为主控核心进行了检测装置的开发。创新设计了动态调压加热电路，并建立了主控软件控制流程。在实现加热稳定和准确性方面，利用模型预测和比例-积分-微分控制算法取得了显著的进展。根据设计方案制作了实物，并进行了标定和实验验证。经过标定后，该检测装置显示出较高的氧浓度检测精度。

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120. 1 200 V SiC器件单粒子烧毁效应研究

徐海铭, 王登灿, 吴素贞

电子与封装 2025, 25 (8): 80401-. DOI: 10.16257/j.cnki.1681-1070.2025.0080

摘要（70）

PDF（pc）（1274KB）（138）

随着宇航工程的发展，以第三代半导体SiC为代表的新型元器件将极大提高宇航器性能，将成为未来空间应用的主力军。新型元器件的空间应用要应对空间辐射效应带来的风险，需要开展实验分析和相关保障研究。对1 200 V SiC器件进行了单粒子仿真和重离子环境实验，创新性地提出了SiC器件在单粒子环境下的失效机理，分析了导致SiC器件失效的原因，给出了仿真条件下SiC器件不同区域的单粒子敏感度。

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121. 高效率LSTM硬件加速器设计与实现^*

陈铠，贺傍，滕紫珩，傅玉祥，李世平

电子与封装 2025, 25 (9): 90302-. DOI: 10.16257/j.cnki.1681-1070.2025.0103

摘要（70）

PDF（pc）（1715KB）（55）

相比于传统循环神经网络（RNN），长短期记忆网络（LSTM）增加了多个门控单元和记忆单元，可以有效解决传统RNN梯度消失和梯度爆炸的问题。由于在处理复杂序列依赖性问题上具有优势，LSTM广泛应用于机器翻译、情感分析、文本分类等自然语言处理（NLP）中。随着智能应用复杂度的增加，LSTM层数、隐藏层节点数增多，对端侧处理器件的存储容量、访存带宽、处理性能的要求也显著增加。分析LSTM算法特点，设计高并行流水门计算部件，提出多层次共享数据通路方法，对LSTM算法硬件实现流程进行优化控制，完成峰值算力为2.144 TOPS的LSTM硬件加速器设计，并基于鳍式场效应晶体管工艺完成物理实现。流片后板级测试结果表明LSTM硬件加速器运算效率可达95%以上，每TOPS算力的推理帧率达到NVIDIA GTX 1080 Ti GPU的2.8倍以上。

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122. 电子元器件真空灌封技术研究

姜万红，吴文单

电子与封装 2025, 25 (11): 110404-. DOI: 10.16257/j.cnki.1681-1070.2025.0148

摘要（69）

PDF（pc）（1413KB）（176）

提升电子元器件灌封质量的关键在于消除灌封胶中的气泡，真空灌封是现有工艺中消除气泡的重要方法。系统阐述真空灌封技术原理及工艺流程，分析灌封胶料特性并选用适配的灌胶机计量配胶系统，通过实验验证得出一种可行的电子元器件真空灌封工艺方法。灌封前对元器件表面进行处理、在灌封过程中对参数精准控制是提升灌封质量的有效手段。与传统常压灌封相比，真空灌封能有效解决微小型元器件灌封中因气泡或空洞导致的电性能降低问题，显著提高其稳定性与可靠性。

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123. 一款用于高性能FPGA的多通道HBM2-PHY电路设计

徐玉婷，孙玉龙，曹正州，张艳飞，谢达

电子与封装 2025, 25 (10): 100302-. DOI: 10.16257/j.cnki.1681-1070.2025.0117

摘要（68）

PDF（pc）（1872KB）（103）

为了实现高性能现场可编程门阵列（FPGA）和动态随机存取存储器（DRAM）之间高速、可靠的数据传输，设计了一种多通道HBM2-PHY电路。该电路采用12 nm工艺进行设计，最多支持8个独立通道和最高1.6 Gbit/s的数据传输速率。通过在HBM2-PHY电路的地址和数据路径中设计FIFO缓存来提高数据的读写效率；通过设计可调节的延迟链电路，对高速接收和发送电路中的数据采样时钟进行调节，提高了数据传输的可靠性。仿真结果表明，采样时钟信号的延迟可进行512步调节，每步调节的延迟时间为0.003 ns，其积分非线性度（INL）为0.3 LSB；眼图显示该电路在1.6 Gbit/s的数据速率下，高速接收和发送电路性能良好。

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124. 基于MLP-LSTM机器学习模型的烧结纳米银高温老化力学性能快速反演与预测

赵利波，代岩伟，秦飞

电子与封装 2025, 25 (9): 90601-. DOI: 10.16257/j.cnki.1681-1070.2025.0170

摘要（66）

PDF（pc）（458KB）（72）

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125. 一种基于电流偏置的新型上电复位电路设计

许家欣，钱逸

电子与封装 2025, 25 (4): 40301-. DOI: 10.16257/j.cnki.1681-1070.2025.0031

摘要（64）

PDF（pc）（949KB）（61）

随着数字电路模块的复杂程度越来越高，上电复位（POR）电路对于在启动时初始化数字逻辑到已知的状态至关重要。基于0.18 μm工艺设计了一种新型POR电路，该POR电路基于带启动电路的电流偏置结构，电源上电更稳定，而且增加了使能端，使电路可用于低功耗场景，此外，电流镜技术和分压电阻的运用，不仅使电源阈值调节简单，还增加了迟滞，降低了输出回路的电源噪声。

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126. 基于FPGA的CAN FD控制器的设计与验证

罗旸, 何志豪

电子与封装 2025, 25 (9): 90303-. DOI: 10.16257/j.cnki.1681-1070.2025.0129

摘要（64）

PDF（pc）（1653KB）（95）

CAN_FD总线协议作为新一代汽车总线网络的核心通信技术，在提升传输速率和扩展数据场长度方面展现出显著优势。然而，现有CAN_FD控制器普遍采用封闭式IP核，协议栈不可见，严重制约了网络系统的自主可控性。针对这一问题，提出一种基于FPGA实现的CAN_FD控制器设计方案。该设计兼容CAN标准，新增了CRC17和CRC21循环冗余校验算法，为数据传输的准确性增加了双重保障。设计的CAN_FD控制器与现有的CAN_FD封闭式IP核相比，资源占用率更少，功耗更低。仿真结果显示，可以正常通过上位机与FPGA进行CAN_FD总线协议通信，该设计能够实现自定义调整，灵活性高，可以达到预期的效果且具有实用价值。

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127. 基于硅转接板的2.5D封装中电源地平面研究和优化

陈龙，宋昌明，周晟娟，章莱，王谦，蔡坚

电子与封装 2025, 25 (11): 110201-. DOI: 10.16257/j.cnki.1681-1070.2025.0151

摘要（63）

PDF（pc）（1744KB）（146）

针对基于硅转接板的2.5D封装中电源分配网络（PDN）阻抗大、系统电压噪声大的电源完整性问题，建立2.5D封装模型，研究和优化封装系统的电源完整性。采用三维电磁场与电路协同仿真的方法，对硅转接板上的电源地平面进行阻抗优化，并通过合理选择与布局深槽电容（DTC）对系统进行阻抗优化和电压噪声改善。结果显示，提高电源地平面的布线密度能够有效降低PDN的阻抗。电源地平面线宽/线距存在优化下限，当线宽/线距小于片间互连信号线线宽的2倍时会对片间互连信号线产生阻抗不连续的不良影响。在所建立的模型中，根据PDN阻抗的高频谐振峰选择DTC，使得PDN阻抗降低约83%，电压噪声减小约42%。同时，DTC的集成会在中高频段引入新的谐振峰，对PDN产生阻抗增大的不利影响。

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128. 用于高温电子封装的双马来酰亚胺/环氧/芳香二胺三元树脂模塑料

朱飞宇，包颖，魏玮

电子与封装 2025, 25 (8): 80601-. DOI: 10.16257/j.cnki.1681-1070.2025.0163

摘要（63）

PDF（pc）（472KB）（79）

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129. 某PCBA载板的翘曲变形研究与优化

吴丽贞1, 熊铃华1, 刘帅1, 赵可沦1, 2

电子与封装 DOI: 10.16257/j.cnki.1681-1070.2026.0025
录用日期: 2025-09-11

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130. 高活性杨梅状多孔微米银颗粒及低温烧结互连

董镈珑,李明雨

电子与封装 2025, 25 (5): 50601-. DOI: 10.16257/j.cnki.1681-1070.2025.0144

摘要（62）

PDF（pc）（442KB）（83）

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131. 基于CAN总线的CKS32远距离在线升级设计与实现

谢金峰，刘涵，赵本田

电子与封装 2025, 25 (6): 60502-. DOI: 10.16257/j.cnki.1681-1070.2025.0070

摘要（62）

PDF（pc）（1294KB）（44）

提出了一种基于控制器局域网(CAN)总线和应用内编程（IAP）技术的远距离在线升级方案，能解决分布式控制系统中固件更新不便的问题，并成功实现了单节点及多节点同步在线升级。该方案中PC上位机采用PyQt5 C++设计，通过USB转CAN接口实现与各个CKS32 CAN从节点的通信交互。CKS32 CAN从节点基于IAP技术特征，将片内Flash四段式划分并分时加载代码。为了避免数据传输时遭遇异常中断、误码，增加了断点重传、计数和CRC16-MODBUS校验机制，提高升级的安全性和效率。经测试，分布式系统总升级时间缩短，升级成功率大于95%，即使CAN从节点升级失败仍能上报结果并按照先前状态运行。

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132. 基于SiP微系统的DSP微组件测试方法研究

赵桦，朱江，宋国栋，张凯虹，奚留华

电子与封装 2025, 25 (6): 60207-. DOI: 10.16257/j.cnki.1681-1070.2025.0071

摘要（61）

PDF（pc）（950KB）（181）

SiP微系统是一种高度集成化的系统，其内部可能集成1个或多个DSP、NOR Flash和DDR存储器、AI加速芯片等，有些复杂的微系统还集成了FPGA芯片。由于内部集成了多个微组件，芯片之间相互连接，传统的测试单一微组件的方法并不适用于微系统的测试。提出了一套DSP微组件测试方法，该系统包括1块专门的测试板、可调试的电脑测试环境和JTAG通信。与单一的DSP裸芯测试相比，它可以快速稳定地实现DSP微组件的性能测试，满足大批量生产测试的需求。

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133. 基于SnO₂/Co₃O₄的微波丙酮气体传感器^*

周腾龙，吴滨，秦晟栋，吴蓓，梁峻阁

电子与封装 2025, 25 (8): 80103-. DOI: 10.16257/j.cnki.1681-1070.2025.0100

摘要（61）

PDF（pc）（1475KB）（172）

为解决传统气体传感器需高温加热才能实现气体检测的问题，设计了一种基于螺旋结构的微波传感器，谐振器能在2.8 GHz谐振频率下产生独立传输零点，实现常温下对目标气体的检测。通过静电纺丝和高温煅烧工艺制备了SnO₂/Co₃O₄复合纤维，并与谐振器组合形成了新型微波气体传感器。该传感器采用N-P复合异质结，实现了对20×10^-6~120 ×10^-6体积分数范围内丙酮的高精度测量，具有操作简便、低成本和小型化等优势。实验结果显示，在室温下，SnO₂/Co₃O₄复合纤维对体积分数为120×10^-6丙酮的响应表现为回波损耗变化，灵敏度为32.8×10⁶ mdB。该研究为工业和实验室中低浓度、高精度气体检测提供了新方案。

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134. 基于DBNet+SVTR的微电子组装电路字符识别系统

李颖，万永，罗驰，袁家军，简燕

电子与封装 2025, 25 (4): 40205-. DOI: 10.16257/j.cnki.1681-1070.2025.0040

摘要（61）

PDF（pc）（1687KB）（43）

微电子组装技术的发展推动组装电路的类型和产量不断增长，因此作业智能化水平亟需提升，且需对每只电路的生产状态进行实时追踪记录。基于DBNet和SVTR网络模型的电路管壳批号识别系统采用端到端的光学字符识别(OCR)识别模型，结合分布式技术进行相关硬件部署，可实现作业任务单智能生成、作业自动记录、作业过程智能化闭环管理等功能，提升了微电子电路生产过程的智能化水平。

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135. 平行缝焊工艺参数热效应量化研究及质量评价体系建立

高亚龙, 张剑敏, 刘豫, 潘吉军

电子与封装 DOI: 10.16257/j.cnki.1681-1070.2026.0027
录用日期: 2025-09-15

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136. 基于Arrhenius模型的混合集成DC/DC高压电源储存寿命评估^*

黄吉，魏久富，程铭

电子与封装 2025, 25 (4): 40203-. DOI: 10.16257/j.cnki.1681-1070.2025.0033

摘要（59）

PDF（pc）（1289KB）（83）

储存寿命研究是评估电子设备可靠性及其使用寿命的重要方法之一。以某混合集成DC/DC高压电源为研究对象，在不同温度下进行高温加速储存寿命试验，记录包括输出电压、电压调整度和输入电流等在内的有关参数随储存时间的变化情况，引入评价参量，分析得到敏感参数；针对高温加速试验特点，选用Arrhenius模型对该电源开展常温下储存寿命评估。给出了该电源的加速寿命试验及储存寿命评估，为同类产品的储存寿命评估提供了相关参考，具有较强的理论及工程运用价值。

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137. 一种智能检测仪表的设计与实现

陈涛，武明月，位门，周扬

电子与封装 2025, 25 (10): 100502-. DOI: 10.16257/j.cnki.1681-1070.2025.0126

摘要（59）

PDF（pc）（1547KB）（75）

针对传统检测仪表功能单一、人机交互体验差等缺点，提出了一种智能检测仪表的设计方法，该仪表支持56路信号同步采集（比传统仪表多20倍以上），配备10.1英寸电容触摸显示屏，利用Qt软件设计各种图形界面，用户可以通过触控按键切换显示方式，既可以实时显示采集的数据数值，也可以将采集数据转化为直观的告警信息，仪表还支持通过以太网将数据上传至服务器端，避免了人工记录数据的繁琐操作，同时为仪表的迭代升级预留了足够的空间。为了使智能仪表适应工业现场复杂的电磁环境，对电磁兼容设计进行了理论分析，论证了金属屏蔽材料对电磁波的良好屏蔽效果。提出了采用屏蔽、滤波、接地3项有效措施解决电磁兼容问题。

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138. 14 bit、10 GSample/s数模转换器研究与设计^*

宋新瑶，李浩，唐天哲，张有涛，叶庆国，张翼

电子与封装 2025, 25 (12): 120301-. DOI: 10.16257/j.cnki.1681-1070.2025.0140

摘要（58）

PDF（pc）（1509KB）（34）

基于180 nm SiGe BiCMOS工艺设计了一款14 bit、10 GSample/s的电流舵型超高速高精度数模转换器（DAC）。为提高线性度、降低输出毛刺，电路采用9+5分段式译码，其中低9 bit二进制码由R-2R梯形电阻网络完成加权，高位采用温度计码结构。针对高频下电流源开关因输出阻抗衰减和不平衡导致动态性能下降的问题，通过改进电流源开关的结构，缩小了电流源开关两端的输出阻抗差值，这一改进减小了非线性失真，从而提升了高频无杂散动态范围（SFDR）。由后仿真结果可知，电路功耗为4.96 W，微分非线性为0.58 LSB，积分非线性为0.72 LSB，第一奈奎斯特区内SFDR不低于64[s1] dBc，动态性能良好。

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139. JESD204B型多通道高速SiP处理芯片的设计与分析^*

盛沨，田元波，谢达

电子与封装 2025, 25 (10): 100303-. DOI: 10.16257/j.cnki.1681-1070.2025.0120

摘要（57）

PDF（pc）（1554KB）（215）

研究高速系统级封装（SiP）处理芯片对现代高速数据处理领域发展具有重要的应用价值。针对目前高速处理系统普遍存在通道数少、集成度低、占用面积大和易受干扰等问题，提出以现场可编程门阵列（FPGA）为核心、集8路采集和8路输出为一体、支持电子器件工程联合委员会标准204B（JESD204B）标准化串行接口传输的高速SiP处理芯片方案。其内部的模数转换器（ADC）与数模转换器（DAC）均为高速采集芯片，支持JESD204B接口协议，串行器速率最高可达10 Gbit/s，能够实现数据的快速传输和信号的高效处理。深入分析该SiP处理芯片的架构组成以及性能参数，实测封装面积为20.25 cm²，通道隔离度约75 dB。同时，提出一种时钟芯片外挂的架构策略，有效提高芯片的耐高温性能，进一步拓展同类高速SiP芯片的应用场景及适用环境。

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140. 一种基于LTCC技术的低频小尺寸3 dB电桥^*

马涛，王慷，聂梦文，潘园园

电子与封装 2025, 25 (10): 100403-. DOI: 10.16257/j.cnki.1681-1070.2025.0123

摘要（57）

PDF（pc）（1432KB）（46）

3 dB电桥在通信系统广泛应用于微波信号合成与分配。针对小型化和低频应用需求，利用低温共烧陶瓷工艺开发一款低频小尺寸电桥。采用宽边耦合结构实现3 dB耦合，并调整线宽实现驻波比和隔离的均衡；采用螺旋和三维绕线结构实现小型化；引入耦合线对地结构进一步降低应用频率。采用标准1206封装，测试结果与仿真结果吻合，通带为330~580 MHz，插入损耗≤1.3 dB，驻波比≤1.5，隔离度≥17.9 dB，幅度不平衡度≤1.2 dB，相位不平衡度≤5°。

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141. 一种用于FPGA测量时钟延迟的方法

闫华，匡晨光，陈波寅，刘彤，崔会龙

电子与封装 2025, 25 (11): 110202-. DOI: 10.16257/j.cnki.1681-1070.2025.0164

摘要（56）

PDF（pc）（1389KB）（139）

时钟是现场可编程门阵列（FPGA）电路中关键的一部分，目前其测试方法存在误差较大、测试用例搭建困难等问题。根据现有FPGA架构，提出一种新的测试方法，将待测试部分时钟延迟转换成输出时钟的占空比。研究结果显示，新的测试方法成功屏蔽了外部测试设备带来的误差干扰，降低了测试用例的搭建难度，极大地提高了芯片中时钟延迟的测试范围，并为FPGA搭建一个精准的时序库提供了有力保障。

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142. 基于AiP8F7232的无刷电动工具控制器设计

马文博，蔡嘉威，罗明

电子与封装 2025, 25 (10): 100501-. DOI: 10.16257/j.cnki.1681-1070.2025.0112

摘要（55）

PDF（pc）（2009KB）（64）

针对需求量日益增高的无刷电动工具控制器，结合当前主流设计要求，设计了一种基于AiP8F7232微控制器的无刷电动工具控制器设计方案。该设计在硬件架构上充分结合AiP8F7232微控制器电机专用外设特点，简洁高效、集成度高。软件架构上针对电动工具应用特点，设计了电机驱动控制策略和控制器保护策略，功能完整度高。通过实验验证，所设计的控制器运行时电机启动无反转，闭环加速时间小于100 ms，中速段运行平稳，高速满载全功率800 W输出时工况稳定，满足无刷电动工具的使用要求。

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143. 面向碳纳米管集成电路的新型静电放电防护结构研究^*

金浩然，刘俊良，梁海莲，顾晓峰

电子与封装 2025, 25 (10): 100401-. DOI: 10.16257/j.cnki.1681-1070.2025.0109

摘要（53）

PDF（pc）（1562KB）（58）

针对碳基集成电路静电放电（ESD）防护器件存在失效电流小和失效电压低等问题，基于栅控电场调制技术与动态电位调制的协同设计理论，系统性地提出了2种新型碳纳米管场效应晶体管（CNTFET）ESD防护器件。研究了传统CNTFET的直流特性，当施加高栅极电压时CNTFET处于高阻状态，符合ESD防护设计需求，基于此，创新性地提出了栅接漏（GD）CNTFET结构，实验结果表明GD-CNTFET的失效电流达93 mA，但失效电压仅46 V。进一步通过栅压调控与动态电位调制的协同设计，提出浮空电极结构的CNTFET（FE-CNTFET），有效抑制栅氧化层的高电场集中，实现79 V的失效电压。构建的新型器件为碳基集成电路ESD防护体系提供了重要的设计思路。

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144. 功率电子器件发展概述

张家驹1, 闫闯1, 刘俐2, 刘国友3, 周洋4, 刘胜1, 陈志文1

电子与封装 DOI: 10.16257/j.cnki.1681-1070.2026.0029
录用日期: 2025-09-26

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145. 基于JESD204B协议的信号采集电路系统设计

陈光威，陈呈，陈文涛，王超，张志福

电子与封装 2025, 25 (10): 100301-. DOI: 10.16257/j.cnki.1681-1070.2025.0108

摘要（52）

PDF（pc）（1561KB）（37）

设计实现了一种以JESD204B协议为基础的高速信号采集电路系统，系统由4通道JESD204B同步结构、FPGA、高速模数转换器（ADC）、千兆用户数据报协议（UDP）网口及第四代双倍数据速率（DDR4）同步动态随机存取存储器（SDRAM）构成。FPGA通过JESD204B高速串行协议接口与ADC互连，进行4通道同步高速模数转换数据采集，信号采样率为3.2 GHz，实现对1.9 GHz到2.9 GHz 之间1 GHz带宽的中频信号采样。着重说明了高速AD电路硬件设计注意事项、匹配JESD204B通道间同步的结构设计、上位机控制数据获取、4通道ADC数据缓存、网口数据流控发送等核心设计。通过对上位机接收的数据进行指标分析，验证系统工作可靠稳定。

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146. 面向超低弧的引线键合工艺研究

戚再玉, 王继忠, 施福勇, 王贵

电子与封装 DOI: 10.16257/j.cnki.1681-1070.2026.0015
录用日期: 2025-09-15

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147. 一种应用于电流舵DAC的熔丝校准方法

何光旭，袁何龙，王佳琪

电子与封装 2025, 25 (4): 40303-. DOI: 10.16257/j.cnki.1681-1070.2025.0038

摘要（50）

PDF（pc）（1126KB）（48）

为解决电流舵DAC中的电流源失配问题，提出了一种熔丝校准方法，通过静态校准技术来修正工艺偏差带来的电流源失配，其核心是熔丝预编程架构，允许对多个独立的熔丝校正单元执行多次预写迭代烧录，从而微调电流输出，直至通过实际测试验证满足既定性能标准，最终执行永久烧录。设计的电路基于0.18 μm CMOS工艺流片，测试结果表明，电路的DNL从校准前的-0.1~0.299 LSB降到校准后的-0.05~0.197 LSB。

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148. 碳化硅MOSFET的单粒子漏电退化研究

徐倩，马瑶，黄文德，杨诺雅，王键，龚敏，李芸，黄铭敏，杨治美

电子与封装 2025, 25 (11): 110402-. DOI: 10.16257/j.cnki.1681-1070.2025.0127

摘要（48）

PDF（pc）（1551KB）（134）

通过重离子辐照实验，系统研究SiC金属-氧化物-半导体场效应晶体管（MOSFET）的单粒子漏电退化规律，并探讨潜在损伤对栅极可靠性的影响。采用光诱导电阻变化（OBIRCH）、聚焦离子束（FIB）和透射电子显微镜（TEM）等检测技术，对受单粒子潜在损伤影响的器件内部结构变化进行表征。结合宏观电学特性与微观结构变化，阐明SiC MOSFET单粒子漏电退化的机制。研究结果为提升SiC MOSFET在复杂辐照环境下的可靠性提供理论依据。

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149. 凹腔-凸肋复合结构微通道换热性能优化及声波调控机制研究^*

高星宇，赵张驰，魏俊杰，朱旻琦，于宗光，孙晓冬，江飞，区炳显，王艳磊，魏宁

电子与封装 2025, 25 (12): 120206-. DOI: 10.16257/j.cnki.1681-1070.2025.0146

摘要（48）

PDF（pc）（2237KB）（111）

采用微通道散热是高功率密度器件热管理的有效解决方案。基于凹腔-凸肋耦合结构提出一种优化策略，设计3种二维微通道。通过增强流动扰动，在控制压降的同时提升综合换热效能，并与传统二维光滑微通道（SMC）对比。通过数值模拟，系统研究不同微通道的流场特性、传热机制及热力学性能。结果表明，错列式半圆腔肋微通道（MC-SCSR）的综合换热效能最优。进一步的声场主动散热耦合研究结果表明，声波扰动与MC-SCSR结构产生协同效应，综合性能较无声波扰动的工况平均提高15.3%。

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150. 时钟恢复系统研究与实现^*

鲍宜鹏，苗韵，杨晓刚，傅建军

电子与封装 2025, 25 (9): 90301-. DOI: 10.16257/j.cnki.1681-1070.2025.0090

摘要（48）

PDF（pc）（1325KB）（43）

时钟设计是芯片设计中的关键环节之一。芯片的系统时钟设计必须考虑外部环境的影响，还应考虑电路的复杂性与成本。通过对时钟恢复系统（CRS）实现方法及其特性的综述，指出现有CRS设计存在的不足。结合芯片内置的振荡器特性，采用全数字电路的设计方法，设计并实现一种时钟恢复系统，该电路结构简单、成本低，在通信和无线电系统等领域具有广泛的应用前景。

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151. 某型探测器随机振动失效与可靠性分析^*

袁中朝，许亚能，吴虹屿，陈彤，胡鑫

电子与封装 0, (): 120207-. DOI: 10.16257/j.cnki.1681-1070.2025.0168

摘要（48）

PDF（pc）（1920KB）（68）

针对随机振动实验时某型探测器出现的引脚断裂现象开展微观结构分析，并基于ANSYS Workbench进行有限元仿真与结果优化分析。金相和扫描电子显微镜（SEM）分析结果表明，引脚的断裂机理为疲劳断裂。利用有限元软件ANSYS Workbench对该探测器进行模态分析和扫频分析，获取了结构的固有频率响应特性。通过随机振动分析获得引脚的最大3σ应力及其根部应力响应功率谱密度，并基于Steinberg三区间法计算了引脚的振动疲劳寿命，与实验结果相比，相对误差约为29.5%，二者具有较好的一致性。进一步探讨不同引脚安装高度对其振动疲劳性能的影响，结果表明通过降低引脚安装高度可以提升固有频率和疲劳寿命。

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152. 镍纳米颗粒修饰石墨烯/铜复合散热材料

杨冠南

电子与封装 2025, 25 (7): 70601-. DOI: 10.16257/j.cnki.1681-1070.2025.0162

摘要（48）

PDF（pc）（479KB）（70）

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153. 引入负热膨胀Cu₂V₂O₇调控树脂热膨胀和热导

李俊麒, 胡磊

电子与封装 2025, 25 (6): 60601-. DOI: 10.16257/j.cnki.1681-1070.2025.0145

摘要（45）

PDF（pc）（351KB）（67）

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154. 一种流水线架构的2D-FFT加速引擎设计

王培富，李振涛

电子与封装 2025, 25 (12): 120302-. DOI: 10.16257/j.cnki.1681-1070.2025.0166

摘要（45）

PDF（pc）（1480KB）（70）

为满足毫米波雷达信号处理中对距离维和速度维进行高效、小点数二维快速傅里叶变换（2D-FFT）的需求，设计一种基于单路径延迟反馈的流水线架构2D-FFT加速引擎。该引擎在每级前引入数据选通模块，支持可配置的点数规模为M×N≤2 048。结果表明，该设计能够实现2D-FFT点数的灵活配置。所有2D-FFT运算结果的绝对误差＜2.5，相对误差＜0.5%，精度满足使用需求。与传统2D-FFT运算相比，该设计的计算效率显著提高。

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155. 基于WLCSP封装的应力分析和再布线结构优化

张春颖, 江伟, 刘坤鹏, 薛兴涛, 林正忠

电子与封装 DOI: 10.16257/j.cnki.1681-1070.2026.0031
录用日期: 2025-09-29

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156. 基于STM32微控制器的Bootloader设计方法

黄艳国，王文华

电子与封装 2025, 25 (6): 60501-. DOI: 10.16257/j.cnki.1681-1070.2025.0051

摘要（43）

PDF（pc）（1987KB）（35）

为使终端产品易于升级软件，提出了一种基于STM32微控制器的Bootloader设计方法。依据STM32F429IGT6微控制器的特性和架构，提出了引导程序、状态信息及应用程序的存储规划，阐述了各类情形下微控制器的升级流程；依据产品复杂度及应用场景，提出了合理的通信方案，并制定了相应的应用层通信协议；同时融合安全访问和数字签名技术，保障升级过程安全，有效防范恶意升级或篡改。经实际案例验证，该Bootloader设计方法安全可靠，对各类电子产品的Bootloader设计具有重要的参考意义。

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157. 可伐合金电镀工艺技术的改进与提升

陈柱

电子与封装 DOI: 10.16257/j.cnki.1681-1070.2026.0004
录用日期: 2025-06-25

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158. 带预制焊环盖板的低成本设计与制备

唐桃扣，曹忞忞，何晟，丁荣峥，颜炎洪

电子与封装 2025, 25 (12): 120209-. DOI: 10.16257/j.cnki.1681-1070.2025.0171

摘要（42）

PDF（pc）（1806KB）（98）

采用带预制焊环盖板进行电子元器件密封是高可靠密封工艺常用的方法之一。在带预制Au80Sn20焊环盖板的成本构成中，金材料的成本占据主导地位。研究了盖板镀层结构优化、焊料用量的最小化、贱金属焊环应用，并结合生产效率提升、成品率保障与材料利用率改进等方面进行论述，探索在提升密封质量与可靠性的同时降低成本的有效路径，为气密性封装器件的成本控制提供了可借鉴的方案。

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159. 具有自适应消散电荷能力的环氧复合材料

张道铭，谢从珍

电子与封装 2025, 25 (11): 110601-. DOI: 10.16257/j.cnki.1681-1070.2025.0173

摘要（41）

PDF（pc）（569KB）（140）

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160. 国产DSP编译器正确性测试

戴湘怡，万江华

电子与封装 2025, 25 (12): 120205-. DOI: 10.16257/j.cnki.1681-1070.2025.0142

摘要（41）

PDF（pc）（1305KB）（22）

针对国产DSP编译器的正确性展开系统性测试与分析，旨在验证其与参考编译器的代码生成功能一致性。聚焦测试用例移植与自动化测试工具开发两大核心任务，提出了一种基于参考编译器的对比验证方法。测试用例移植自LLVM和GCC标准测试集，并针对DSP芯片的硬件特性，解决了数据类型匹配、标准库兼容及测试用例代码体积过大等关键难题。开发了自动化测试工具DSPValidator，被测编译器与参考编译器的输出对比结果表明，DSPValidator支持跨平台（模拟器与物理开发板）的批量测试、结果比对及错误定位，与手工测试相比，测试效率提升33.6倍（单用例验证时间从45 min降至1.3 min），显著提高了测试效率。

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161. 一种具有载流子动态调制的双栅IGBT

刘晴宇，杨禹霄，陈万军

电子与封装 2025, 25 (11): 110401-. DOI: 10.16257/j.cnki.1681-1070.2025.0137

摘要（41）

PDF（pc）（2371KB）（118）

提出一种具有载流子动态调制功能并可显著降低关断损耗的双栅绝缘栅双极型晶体管（DG-IGBT）。基于计算机辅助设计技术（Sentaurus TCAD），对栅极控制不同元胞比例（1:2和1:4）的DG-IGBT进行了电学特性仿真。DG-IGBT通过动态调控载流子分布，在关断时降低漂移区内发射极侧的载流子浓度，促进耗尽区扩展，加快集电极电压上升速度，从而降低关断损耗。通过器件仿真与实验测试，系统研究载流子动态调制对绝缘栅双极型晶体管关断损耗的影响。测试结果表明，在电流密度100 A/cm²下关断时，元胞比例为1:2的DG-IGBT关断损耗降低22.2%，总关断损耗降低12.3%；元胞比例为1:4下，关断损耗降低37.2%，总关断损耗降低32.9%，有效改善IGBT导通压降与关断损耗的折中关系。

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162. 集成超势垒整流器SiC MOSFET的动态可靠性^*

孙晶，邓正勋，李航，孙亚宾，石艳玲，李小进

电子与封装 2025, 25 (12): 120401-. DOI: 10.16257/j.cnki.1681-1070.2025.0138

摘要（40）

PDF（pc）（2745KB）（33）

摘要：采用技术计算机辅助设计（TCAD）软件，对集成超势垒整流器（SBR）的对称型SiC MOS器件（DT-SBR-MOS）和非对称型SiC MOS器件（AT-SBR-MOS）的热特性、非钳位感性负载开关（UIS）过程和短路（SC）能力进行分析，揭示了新型SiC MOS器件的动态可靠性机理，弥补了SiC MOS器件可靠性研究的缺失。研究结果表明，在相同输入功率条件下，由于SBR结构的不同，AT-SBR-MOS的反向导通热阻较DT-SBR-MOS降低了17%。在单次脉冲测试中，因AT-SBR-MOS半包围式的P型区增强了对N型漂移区的耗尽，使其雪崩耐受能量比DT-SBR-MOS高出11%。此外，由于AT-SBR-MOS比DT-SBR-MOS具有更小的电流流通路径，短路耐受时间延长了2 µs。综合数据表明，AT-SBR-MOS的反向导通热特性、雪崩耐受能力和短路耐受性能均优于DT-SBR-MOS，为高性能SiC功率器件设计提供了重要的参考依据。

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163. 高温MEMS压力传感器芯片设计与实现方法研究^*

陈培仓，华传洋，朱赛宁，王涛，聂萌，郭贤，吴建伟

电子与封装 2025, 25 (11): 110103-. DOI: 10.16257/j.cnki.1681-1070.2025.0177

摘要（39）

PDF（pc）（1643KB）（108）

针对核工业高温环境下25 MPa压力测量需求，设计并实现了一种基于CMOS工艺的高温MEMS压力传感器芯片。该芯片采用绝缘体上硅（SOI）材料片，通过硅槽和填充工艺实现全介质隔离，有效避免了高温下PN结隔离本征激发漏电问题，同时提升了热稳定性。实验结果表明，芯片压力测量范围为0~25 MPa，常温非线性误差优于0.35%FS，灵敏度达到3.95 mV/MPa，压敏电阻线性误差小于0.07%，在275 ℃时温度系数为2001.17×10^-6/℃，传感器零点温漂在-0.08 mV/℃以内，热稳定时间较传统的沟槽隔离提升34.29%。该设计有望为核高温环境下的压力测量提供可靠解决方案，推动CMOS MEMS集成技术发展。

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164. 基于太赫兹应用的宽芯片封装方案

杜泽，詹铭周

电子与封装 2025, 25 (12): 120601-. DOI: 10.16257/j.cnki.1681-1070.2025.0179

摘要（39）

PDF（pc）（384KB）（60）

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165. "面向高温极端环境的集成电路及传感器技术与应用"专题前言

曹晓东

电子与封装 2025, 25 (11): 110100-.

摘要（38）

PDF（pc）（357KB）（174）

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166. 热循环载荷下BTC器件焊点应力分析与优化

吴松, 张可, 梁威威, 谢颖

电子与封装 DOI: 10.16257/j.cnki.1681-1070.2026.0036
录用日期: 2025-10-11

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167. 布局驱动的混合流装箱

董志丹, 许慧, 肖俊

电子与封装 2025, 25 (5): 50301-. DOI: 10.16257/j.cnki.1681-1070.2025.0065

摘要（37）

PDF（pc）（1161KB）（37）

对于整个电路，所有基本逻辑单元（BLE）连接都是通过它们之间的线网来进行。装箱会改变线网之间的连接方式，而不同的线网连接方式最终对应的运行时间是不一样的。提出的混合流装箱首先根据混合首选聚类算法对BLE进行全局最优配对，最大限度减少关键路径上的时延；其次根据配对BLE的最大和最小亲和力值计算极差，根据极差计算平衡电路时序和面积的阈值，当BLE之间的亲和力值小于阈值时通过“爬山”算法保证了装箱面积不会过大。整个算法时序计算是在布局后进行，能够得到更准确的时序信息，选出更优的关键路径进行装箱，提高了时序余量，减少了电路的最终运行时间。

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168. 基于陶瓷基板的焊接润湿性及失效机理研究

陈柱

电子与封装 DOI: 10.16257/j.cnki.1681-1070.2026.0002
录用日期: 2025-06-25

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169. 一种支持循环缓冲的中断系统的设计与验证^*

沈一帆，谭勋琼

电子与封装 2025, 25 (6): 60304-. DOI: 10.16257/j.cnki.1681-1070.2025.0060

摘要（36）

PDF（pc）（1483KB）（35）

针对超长指令字（VLIW）结构高性能数字信号处理器（DSP）设计了高效安全的中断处理系统，支持12级可屏蔽中断、非屏蔽中断（NMI）与软硬件中断嵌套。针对循环缓冲区中断对程序流的破坏，设计了一种专门的中断响应与处理机制，确保在高频中断情况下，循环缓冲区中的数据处理不受中断影响，从而避免数据丢失或程序崩溃。针对VLIW结构的特点，优化了中断处理流程，减少了中断响应延迟。仿真结果表明，本设计的中断响应时间相较传统方法缩短25%，且保证了复杂程序在中断处理时的数据完整性与执行安全性。

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170. 射频异构微系统集成技术综述

孙世凯, 陈雷, 冯长磊, 赵轩

电子与封装 DOI: 10.16257/j.cnki.1681-1070.2026.0056
录用日期: 2025-12-08

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171. 塑封集成电路焊锡污染影响与分析

邱志述, 胡敏

电子与封装 2025, 25 (5): 50201-. DOI: DOI: 10.16257/j.cnki.1681-1070.2025.0062

摘要（35）

PDF（pc）（933KB）（44）

塑封集成电路（IC）受潮气侵蚀造成离子污染而引起的可靠性问题较为常见，由印刷电路板焊锡污染而引起的则不多。介绍印刷电路板焊锡污染导致IC可靠性失效的实际案例，指出焊锡污染发生的条件，通过对IC塑封体元素成分的分析，得出焊锡污染可能导致IC可靠性失效的原因。通过对失效品加热及再次老化，让IC性能恢复和再次失效。从原理上解释了焊锡污染IC封装塑封体是不可恢复的，在特定条件下还可能会再次失效。对SMT工程师给出建议，以避免类似焊锡污染IC导致可靠性失效。

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172. 一种集成栅电阻的高可靠性SiC功率器件研究

臧雪，徐思晗，孙相超，刘志强，邓小川

电子与封装 2025, 25 (11): 110403-. DOI: 10.16257/j.cnki.1681-1070.2025.0147

摘要（33）

PDF（pc）（1518KB）（123）

针对汽车主驱牵引逆变器的高功率密度应用需求，设计并制造了一种集成栅电阻的平面型1 200 V SiC MOSFET。该器件导通电阻为14 mΩ，击穿电压达到1 750 V，通过优化多晶硅电阻结构，实现芯片上集成5 Ω栅电阻；在母线电压为800 V时，SiC MOSFET短路时间为2.7 μs，短路耐量达到1.8 J。此外，器件通过了168 h高温栅偏、高温反偏等可靠性评估测试，表明该集成栅电阻的SiC MOSFET具备在极端环境下的工作能力。

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173. 一种单相交流采样锁频算法的设计

李瑞林, 成玮, 丁亚妮, 张万胜

电子与封装 DOI: 10.16257/j.cnki.1681-1070.2026.0018
录用日期: 2025-08-28

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174. 多频点SerDes的测试方法研究

曹睿, 张霞, 李智超, 王兆辉, 侯帅康

电子与封装 DOI: 10.16257/j.cnki.1681-1070.2026.0016
录用日期: 2025-08-11

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175. 重复二次曝光工艺在相移掩模制造的研究

曹凯

电子与封装 DOI: 10.16257/j.cnki.1681-1070.2026.0021
录用日期: 2025-09-15

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176. 基于缓冲型阻抗衰减电路的低噪声LDO优化设计

都文和, 杨琇博, 张旭阳, 邹森宇, 李福明, 沈清河

电子与封装 DOI: 10.16257/j.cnki.1681-1070.2026.0037
录用日期: 2025-10-29

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177. 一种支持预置位的电平转换结构

万璐绪程雪峰高国平

电子与封装
录用日期: 2025-11-07

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178. 耐高温MEMS加速度计设计及温度特性优化

陈鹏旭，任臣，杨拥军，王宁，陈琳，李明昊

电子与封装 2025, 25 (11): 110104-. DOI: 10.16257/j.cnki.1681-1070.2025.0178

摘要（28）

PDF（pc）（1605KB）（135）

利用高温SOI ASIC制造工艺和微机电系统（MEMS）技术，研制了更宽温区（-55~225 ℃）的耐高温MEMS加速度计，拓宽了MEMS加速度计的使用范围。并对高温环境下的MEMS加速度计的温度特性进行研究。影响加速度计零偏温度系数的主要因素是应力，在应力过大的情况下，MEMS加速度计的结构会发生形变，导致零位偏移、温度漂移过大。基于有限元分析，从高温加速度计封装入手，通过优化封装应力，提高MEMS加速度计的温度性能，将全温零偏变化量减小至0.002 5g以内。加速度计量程达到了±50g，满量程线性度优于0.3%，可以满足航空航天、石油钻井等各种复杂高温环境的应用要求。

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179. 一种面向复杂环境下SiP通信异常的分析方法

刘莹

电子与封装
录用日期: 2025-11-05

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180. 石英谐振加速度计研究进展

李静文, 尹春燕, 窦广彬

电子与封装 DOI: 10.16257/j.cnki.1681-1070.2026.0042
录用日期: 2025-11-13

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181. ZYNQ系列FPGA片内XADC的温度检测自适应分段补偿

盛沨, 于治, 谢文虎, 谢达

电子与封装 DOI: 10.16257/j.cnki.1681-1070.2026.0009
录用日期: 2025-08-11

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182.

射频芯片封装中的近场耦合分析^*

沈时俊, 孙涵子, 左标

电子与封装 DOI: 10.16257/j.cnki.1681-1070.2026.0072
录用日期: 2026-01-04

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183. 一种STT-MRAM型NVSRAM单元电路设计

李晓龙，王克鑫，叶海波

电子与封装 2025, 25 (6): 60301-. DOI: 10.16257/j.cnki.1681-1070.2025.0050

摘要（25）

PDF（pc）（1450KB）（29）

提出了一种基于自旋转移力矩磁随机存储器（STT-MRAM）的非易失性静态随机存储器（NVSRAM）单元电路结构。该结构主要由传统6T SRAM单元和非易失性磁性隧道结（MTJ）2部分构成，2者相互独立。在电路正常进行读写操作时MTJ模块不工作，电路等效为传统6T单元。只有在电路断电前，MTJ才开始存储节点数据，上电后存储节点自动恢复为断电前状态。这种独立模式极大地降低了电路功耗和时序复杂度。该电路读写操作和MTJ数据操作可以同步进行，MTJ存储数据不会影响当前存储节点的数据状态。仿真结果表明，该电路结构具有较低的写功耗，与6T单元相当。电路具有较短的数据恢复时间，仅需194 ps。

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184. 低温银烧结技术的可靠性研究进展

王奔1, 朱志宏1, 贾少博1, 汪宝华2, 丁苏1, 李万里1

电子与封装 DOI: 10.16257/j.cnki.1681-1070.2026.0012
录用日期: 2025-12-10

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185. 28 nm CMOS工艺下电平移位器的对比研究^*

许嘉航，白春风

电子与封装 2025, 25 (11): 110302-. DOI: 10.16257/j.cnki.1681-1070.2025.0131

摘要（24）

PDF（pc）（2669KB）（114）

电平移位器（LS）是解决跨电压域通信的关键模块。基于28 nm CMOS工艺，调整LS结构的器件参数，通过瞬态仿真、工艺角分析与蒙特卡罗仿真，分析了LS实现电路的延迟、功耗及稳健性。结果表明，竞争抑制Ⅰ型差分层叠电压开关（DCVS）与威尔逊电流镜（WCM）结构在1 GHz高频输入下综合性能最优，延迟分别低至68.21 ps与99.86 ps，延迟功耗积分别低至1 066.11 ns·nW与1 558.25 ns·nW。

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186. 基于RISC-V的抗单粒子加固研究

徐文龙, 李凯旋, 许峥, 姚进, 周昕杰

电子与封装 DOI: 10.16257/j.cnki.1681-1070.2026.0023
录用日期: 2025-09-08

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187.

无人机控制程序的无线更新方案的实现

吴忠秉, 邵炜剑, 郝国锋, 梁坤, 李秀梅

电子与封装 DOI: 10.16257/j.cnki.1681-1070.2026.0024
录用日期: 2025-09-08

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188. 一种低静态电流的车用降压芯片

谢凌寒, 幸仁松

电子与封装 DOI: 10.16257/j.cnki.1681-1070.2026.0026
录用日期: 2025-09-15

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189. 光随机源安全芯片封装键合参数优化方法研究

王祥, 李建强, 王晓晨, 马玉松, 薛兵兵, 周斌, 于政强

电子与封装 DOI: 10.16257/j.cnki.1681-1070.2026.0028
录用日期: 2025-09-22

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190. 三维集成无源电路研究进展

邓悦1, 王凤娟1, 尹湘坤2, 杨媛1, 余宁梅1

电子与封装 DOI: 10.16257/j.cnki.1681-1070.2026.0014
录用日期: 2025-08-26

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191. 一种40 GSample/s超高速采样保持电路^*

赵安，李浩，张有涛，罗宁，张长春，张翼

电子与封装 2025, 25 (11): 110301-. DOI: 10.16257/j.cnki.1681-1070.2025.0130

摘要（23）

PDF（pc）（1216KB）（93）

基于0.7 μm磷化铟（InP）异质结双极型性晶体管（HBT）工艺设计了一款超高速宽带采样保持电路。通过发射极电阻退化结构，有效减小了输入缓冲电路的非线性。开关核电路采用交叉耦合来减小保持模式馈通。后仿结果表明，所设计的电路能够工作在40 GSample/s的采样速率下。在奈奎斯特输入信号频率下，电路工作的无杂散动态范围（SFDR）大于40 dBc。当输入12.1 GHz、-4 dBm的信号时，电路的SFDR可达51 dBc，有效位数约为8 bit。

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192. 集光效应对InGaN太阳能电池性能的影响研究

袁天昊, 王党会, 张梦凡, 许天旱, 冯超宇, 赵淑

电子与封装 DOI: 10.16257/j.cnki.1681-1070.2026.0006
录用日期: 2025-06-25

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193. 重掺衬底硅外延过程中失配位错对几何参数影响研

马梦杰, 王银海, 邓雪华, 尤晓杰

电子与封装 DOI: 10.16257/j.cnki.1681-1070.2026.0007
录用日期: 2025-06-27

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194. 基于晶体塑性有限元的铜-铜键合结构热疲劳行为研究

周聪林, 雷鸣奇, 姚尧,

电子与封装 DOI: 10.16257/j.cnki.1681-1070.2026.0001
录用日期: 2025-06-10

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195. 半导体晶圆键合力控制技术的研究进展与挑战

张慧1, 郑志伟2, 张辉3, 王成君3, 4

电子与封装 DOI: 10.16257/j.cnki.1681-1070.2026.0039
录用日期: 2025-12-05

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196. 温度循环载荷下功率器件失效机理研究

谢林毅1, 粟浪1, 程佳2, 黄青树1, 冉亮2

电子与封装 DOI: 10.16257/j.cnki.1681-1070.2026.0040
录用日期: 2025-12-05

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197. 一种校验码独立存储的EDAC设计

徐文龙, 李洪昌, 许峥, 姚进, 周昕杰

电子与封装 DOI: 10.16257/j.cnki.1681-1070.2026.0055
录用日期: 2025-12-05

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198. 载流子存储沟槽栅双极晶体管特性研究与优化设计^*

李尧，谌利欢，苟恒璐，龙仪，陈文舒

电子与封装 2025, 25 (12): 120403-. DOI: 10.16257/j.cnki.1681-1070.2025.0167

摘要（21）

PDF（pc）（2239KB）（17）

为了优化载流子存储沟槽栅双极晶体管（CSTBT）的性能，对CSTBT结构进行了电学特性仿真，通过Sentaurus TCAD软件对比了T-IGBT和CSTBT的击穿特性、输出特性以及关断特性，研究了CSTBT N-drift区掺杂浓度和厚度、P-base区掺杂浓度和CSL掺杂浓度对器件的击穿特性、转移特性以及输出特性的影响。结果表明，相较于T-IGBT，优化前的CSTBT的击穿电压提升了约3.4%，正向导通压降减小了约20.9%，关断损耗几乎一致；对于优化后的CSTBT，当N-drift区厚度为158 µm、N-drift区掺杂浓度为7×10¹³ cm^-3、P-base区掺杂浓度为3×10¹⁷ cm^-3、CSL掺杂浓度为1×10¹⁶ cm^-3时，器件的击穿电压为1 959 V，提升了约22%；V_on为1.14 V，降低了43%。

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199. 基于电源模块灌封工艺的平面变压器粘接技术

骞涤, 王晓燕, 张存宽

电子与封装 DOI: 10.16257/j.cnki.1681-1070.2026.0003
录用日期: 2025-06-25

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200. 生成式人工智能在集成电路领域的应用研究进展

陈昊蔡树军

电子与封装
录用日期: 2025-12-03

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201. 基于PSoC架构的多旋翼飞行器LSTM-ASMC融合算法研究

杨茂林1, 王池1, 方明2, 刘晓萌1, 周明源3, 朱广胜1

电子与封装 DOI: 10.16257/j.cnki.1681-1070.2026.0045
录用日期: 2025-11-18

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202.

基于FPGA的QDR-Ⅱ+型同步SRAM测试系统的设计与实现

石珂, 张萌, 张新港, 孙杰杰

电子与封装 DOI: 10.16257/j.cnki.1681-1070.2026.0020
录用日期: 2025-08-28

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203.

一种超低过冲电压的低功耗LDO电路设计

任罗伟, 袁介燕, 冯建飞, 高灿灿

电子与封装 DOI: 10.16257/j.cnki.1681-1070.2026.0046
录用日期: 2025-11-28

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204. 微控制器板卡量产阶段失效分析与整改

曾鹏, 李金利

电子与封装 DOI: 10.16257/j.cnki.1681-1070.2026.0044
录用日期: 2025-11-10

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205. 混合集成电路用AlN-AMB基板电容焊接可靠性研究

董晓伟1, 2, 董布克1, 王睿1, 赵斯阳1

电子与封装 DOI: 10.16257/j.cnki.1681-1070.2026.0067
录用日期: 2025-12-24

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206. 基于VCM开关切换策略的高速SAR型ADC设计

都文和, 张旭阳, 杨琇博, 李福明, 邹森宇, 沈清河

电子与封装 DOI: 10.16257/j.cnki.1681-1070.2026.0041
录用日期: 2025-12-05

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207. 一种SiP封装的旋变驱动解码器测试研究与实现

吴刘胜, 夏自金, 苏婵

电子与封装 DOI: 10.16257/j.cnki.1681-1070.2026.0019
录用日期: 2025-08-28

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208. 用于Flash FPGA的基于锁相环的时钟网络架构设计

王雪萍, 蔡永涛, 张长胜, 马金龙

电子与封装 DOI: 10.16257/j.cnki.1681-1070.2026.0008
录用日期: 2025-08-11

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209. MLCC电-热应力击穿失效机制与可靠性提高技术

王静, 孙慧楠, 易凤举

电子与封装 DOI: 10.16257/j.cnki.1681-1070.2026.0049
录用日期: 2025-11-28

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210. 扩散模型神经网络加速策略综述

邹子涵1, 闫鑫明1, 郑鹏1, 张顺1, 蔡浩1, 2, 刘波1, 2

电子与封装 DOI: 10.16257/j.cnki.1681-1070.2026.0011
录用日期: 2025-12-10

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211. GaN HEMT可靠性研究综述

杨天晴, 邢宗锋, 母欣荣, 赵钢, 文科, 罗俊

电子与封装 DOI: 10.16257/j.cnki.1681-1070.2026.0057
录用日期: 2025-12-05

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212. 电荷积累造成铜损伤缺陷的机理研究

白贝

电子与封装 DOI: 10.16257/j.cnki.1681-1070.2026.0060
录用日期: 2025-12-09

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213. 基于ATE的XC7K系列FPGA测试技术研究

朱洪, 李星毅, 易忠, 宋建磊

电子与封装 DOI: 10.16257/j.cnki.1681-1070.2026.0059
录用日期: 2025-12-10

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214. 基于分子动力学的GaN/Ta-Au-Ta/金刚石的键合研究

李施霖1, 陈博远1, 王成君2, 李嘉宁1, 杜经宁4, 孙庆磊1, 3, 4

电子与封装 DOI: 10.16257/j.cnki.1681-1070.2026.0062
录用日期: 2025-12-10

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215. 某天线阵连接器内外导体一体化焊接技术

郭龙军, 王世宇, 周琳琳, 汪林, 高辉, 舒伟发, 金志峰, 曹文滔, 朱正虎, 吴海瑞

电子与封装 DOI: 10.16257/j.cnki.1681-1070.2026.0063
录用日期: 2025-12-10

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216. 大电流厚膜混合半桥倍流整流变换器设计与研究

解光庆李昕煜

电子与封装
录用日期: 2025-12-03

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217. 一种数字波束合成芯片的FPGA验证系统搭建

杨业, 符青, 曹靖, 王志龙, 胡兵, 汤涛

电子与封装 DOI: 10.16257/j.cnki.1681-1070.2026.0030
录用日期: 2025-12-05

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218. 基于0.18 μm BCD工艺的抗辐射ESD防护器件GGNMOS优化设计

陆素先，程淩，朱琪，李现坤，李娟，严正君

电子与封装 2025, 25 (6): 60401-. DOI: 10.16257/j.cnki.1681-1070.2025. 0072

摘要（15）

PDF（pc）（1792KB）（2）

栅极接地N型金属氧化物半导体（GGNMOS）器件具有结构简单、响应迅速、泄放高效等多方面的优势，逐渐成为静电放电（ESD）防护结构中最常用的器件。但辐照试验时NMOS器件会受到多种辐射效应的影响，导致器件性能和可靠性下降。因此抗辐射电路中GGNMOS器件的保护结构设计尤为困难。基于0.18 μm BCD工艺，设计了一款有抗辐射需求的线性稳压器电路。根据各端口电压和工作特点设计该电路全芯片的ESD防护结构，通过试验分析得出GGNMOS保护结构的薄弱点并提出改进方案。实测结果显示，所设计的电路不仅满足100 krad(Si)的总剂量指标，还通过了2.5 kV的人体模型ESD测试。该研究为后续抗辐射电路中ESD器件设计提供了实验依据和理论指导。

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录用日期: 2025-12-05

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摘要（8）

PDF（pc）（1920KB）（1）

针对随机振动实验时某型探测器出现的引脚断裂现象开展微观结构分析，并基于ANSYS Workbench进行有限元仿真与结果优化分析。金相和扫描电子显微镜（SEM）分析结果表明，引脚的断裂机理为疲劳断裂。利用有限元软件ANSYS Workbench对该探测器进行模态分析和扫频分析，获取了结构的固有频率响应特性。通过随机振动分析获得引脚的最大3σ应力及其根部应力响应功率谱密度，并基于Steinberg三区间法计算了引脚的振动疲劳寿命，与实验结果相比，相对误差约为29.5%，二者具有较好的一致性。进一步探讨不同引脚安装高度对其振动疲劳性能的影响，结果表明通过降低引脚安装高度可以提升固有频率和疲劳寿命。

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