“GaN 电子器件与先进集成”专题 栏目所有文章列表

(按年度、期号倒序)     一年内发表的文章 |  两年内 |  三年内 |  全部 Please wait a minute... 全选： 导出引用 EndNote Ris BibTeX Select “GaN电子器件与先进集成”专题前言 黄伟 摘要 （423）      PDF （144KB）（446）    可视化    相关文章 | 多维度评价 2021年第21卷第2期 pp. 020100 Select GaN HEMT器件封装技术研究进展* 鲍 婕,周德金,陈珍海,宁仁霞,吴伟东,黄 伟 DOI: 10.16257/j.cnki.1681-1070.2021.0210 摘要 （1384）      PDF （4389KB）（1087）    可视化    GaN HEMT器件由于其宽禁带材料的独特性能，相比硅功率器件具有击穿场强高、导通电阻低、转换速度快等优势，在智能家电、交直流转换器、光伏逆变器以及电动汽车等领域有着广泛的应用前景。但GaN HEMT器件的高功率密度和高频工作特性，给器件封装带来了极大挑战，要使其出色性能得以充分发挥，其封装结构、材料、工艺等起着至关重要的作用。介绍了GaN HEMT及其组成的功率模块的典型封装结构，并对国内外在寄生电感、热管理等封装关键技术问题的研究现状，以及高导热二维材料石墨烯在GaN HEMT器件热管理中的应用进行了综述。 参考文献 | 相关文章 | 多维度评价 2021年第21卷第2期 pp. 020101 Select GaN HEMT电力电子器件技术研究进展* 鲍 婕,周德金,陈珍海,宁仁霞,吴伟东,黄 伟 DOI: 10.16257/j.cnki.1681-1070.2021.0211 摘要 （1258）      PDF （2748KB）（815）    可视化    GaN HEMT器件由于其击穿场强高、导通电阻低等优越的性能，在高达650 V额定电压等级的高效、高频转换器中有着广泛的应用前景。GaN HEMT器件的特性优势与其工艺结构、材料特性密切相关。介绍了耗尽型、增强型GaN HEMT的典型器件结构，并将国内外对结构设计以及材料优化等关键技术问题的研究现状进行了综述，并概括总结了GaN HEMT的技术发展趋势和最新参数指标。 参考文献 | 相关文章 | 多维度评价 2021年第21卷第2期 pp. 020102 Select GaN单片功率集成电路研究进展* 赖静雪, 陈万军, 孙瑞泽, 刘超, 张波 DOI: 10.16257/j.cnki.1681-1070.2021.0212 摘要 （1036）      PDF （3829KB）（586）    可视化    GaN HEMT器件具有工作频率高、导通损耗小等优点，已经开始广泛应用在多种高频、高效功率转换器中，而拥有更高集成度的全GaN单片集成电路可进一步提高基于GaN HEMT器件功率变换器的性能。介绍了不同类型的全GaN集成工艺平台以及GaN功能子电路的研究进展，并对全GaN单片集成功率IC的研究现状进行了综述。 参考文献 | 相关文章 | 多维度评价 2021年第21卷第2期 pp. 020103 Select GaN HEMT栅驱动技术研究进展* 周德金, 何宁业, 宁仁霞, 许媛, 徐宏, 陈珍海, 黄伟, 卢红亮 DOI: 10.16257/j.cnki.1681-1070.2021.0213 摘要 （920）      PDF （4493KB）（395）    可视化    GaN HEMT器件由于其击穿场强高、导通电阻低等优越的性能，在高效、高频功率转换领域中有着广泛的应用前景。栅驱动芯片对于GaN HEMT器件应用起着至关重要的作用。介绍了GaN HEMT的器件特性和驱动要求，对其栅驱动芯片的典型架构和每种芯片架构各自的关键实现技术研究现状进行了综述。同时介绍了GaN基单片集成功率IC的发展状况，对栅驱动芯片的实现技术进行了总结。 参考文献 | 相关文章 | 多维度评价 2021年第21卷第2期 pp. 020104 Select 微波固态器件与单片微波集成电路技术的新发展* 周德金, 黄伟, 宁仁霞 DOI: 10.16257/j.cnki.1681-1070.2021.0208 摘要 （821）      PDF （1789KB）（700）    可视化    对不同时代的单片微波集成电路（MMIC）的器件工艺发展和应用发展状况进行概况总结，并结合当前的研究与应用热点，重点分析以砷化镓(GaAs)、氮化镓（GaN）为代表的微波化合物固态器件和基于MMIC的异构异质集成新技术路径，并就今后发展的趋势做出展望。 相关文章 | 多维度评价 2021年第21卷第2期 pp. 020105