2.5D/3D芯片包含Interposer/硅穿孔(Through Silicon Via, TSV)等复杂结构,通过多物理场仿真可以提前对2.5D/3D芯片的设计进行信号完整性(Signal Integrity, SI)、电源完整性(Power Integrity, PI)及可靠性优化。总结了目前2.5D/3D芯片仿真进展与挑战,介绍了基于芯片模型的Ansys芯片-封装-系统(CPS)多物理场协同仿真方法,阐述了如何模拟芯片在真实工况下达到优化芯片信号完整性、电源完整性以及优化散热方式、提高结构可靠性的设计目标,并进行电热耦合、热应力耦合分析,指出了仿真技术的未来发展方向。
CMOS(Complementary Metal Oxide Semiconductor)图像传感器(CMOS Image Sensor, CIS)正向着高速、大像素和低成本的方向发展,晶圆级封装技术由于其小型化、低成本的优点近年来受到广泛关注。根据结构和应用领域的不同,详细介绍了基于硅通孔(Through Silicon Via, TSV)技术的多种CMOS图像传感器晶圆级封装技术,并介绍和分析不同技术的应用场景和存在的挑战。