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(按年度、期号倒序)     一年内发表的文章 |  两年内 |  三年内 |  全部 Please wait a minute... 全选： 导出引用 EndNote Ris BibTeX Select SiC功率器件辐照效应研究进展 刘超铭;王雅宁;魏轶聃;王天琦;齐春华;张延清;马国亮;刘国柱;魏敬和;霍明学 DOI: 10.16257/j.cnki.1681-1070.2022.0605 摘要 （1248）      PDF （3784KB）（619）    可视化    SiC功率器件是许多航天器用电子设备的重要组成部分，是保障深空探测任务顺利进行的前提和基础。在梳理SiC功率器件发展概况的同时，针对不同SiC功率器件（SiC SBD、SiC JBS、SiC MOSFET）在空间辐射环境下的性能退化规律进行了概述，重点分析了辐射环境下SiC功率器件的损伤机理，为SiC功率器件抗辐射性能工艺的长远发展提供了参考。 参考文献 | 相关文章 | 多维度评价 2022年第22卷第6期 pp. 060101 Select SiC功率器件辐照诱生缺陷实验研究进展* 杨治美;高旭;李芸;黄铭敏;马瑶;龚敏 DOI: 10.16257/j.cnki.1681-1070.2022.0501 摘要 （636）      PDF （2040KB）（449）    可视化    第三代宽禁带半导体碳化硅（Silicon Carbide, SiC）功率器件在航天、航空和核工业等强辐射领域的极端环境下应用时，会受到辐照损伤的影响诱生缺陷，最终导致器件性能退化或者失效。简要介绍了SiC功率器件辐照效应发展历程和辐照效应，梳理轻离（粒）子辐照诱生缺陷与敏感参数退化的实验规律，分析总结重离子辐照SiC功率器件中一些关键技术问题，特别是不同温度辐照诱生缺陷形成机理的异同，为今后深入开展SiC肖特基二极管（Schottky Barrier Diode，SBD）的辐照诱生缺陷、器件性能退化研究及SiC相关器件的材料抗辐照性能的改善和结构优化提供实验数据和理论依据。 参考文献 | 相关文章 | 多维度评价 2022年第22卷第5期 pp. 050101 Select 碳化硅器件封装进展综述及展望* 杜泽晨;张一杰;张文婷;安运来;唐新灵;杜玉杰;杨霏;吴军民 DOI: 10.16257/j.cnki.1681-1070.2022.0502 摘要 （1290）      PDF （2320KB）（697）    可视化    碳化硅禁带宽、临界击穿场强大、热导率高，具有高压、高温、高频等优点。应用于硅基器件的传统封装方式寄生电感参数较大，难以匹配碳化硅器件的快速开关特性，同时在高温工况下封装可靠性大幅降低，为充分发挥碳化硅器件的优势需要改进现有的封装技术。针对上述挑战，对国内外现有的低寄生电感封装方式进行了总结。分析了现有的高温封装技术，结合新能源电力系统的发展趋势，对SiC器件封装技术进行归纳和展望。 参考文献 | 相关文章 | 多维度评价 2022年第22卷第5期 pp. 050102 Select 超高压碳化硅N沟道IGBT器件的设计与制造* 杨晓磊;李士颜;赵志飞;李 赟;黄润华;柏松 DOI: 10.16257/j.cnki.1681-1070.2022.0413 摘要 （726）      PDF （2175KB）（475）    可视化    自主设计和制备了一种耐压超过20 kV的超高压碳化硅（SiC）N沟道绝缘栅双极晶体管（Insulated Gate Bipolar Transistor，IGBT）器件。通过仿真设计优化了器件结构，同时结合自支撑衬底剥离技术、背面激光退火技术以及载流子寿命提升技术，成功在N型碳化硅衬底上制备了碳化硅N沟道IGBT器件。测试结果表明，该器件阻断电压为20.08 kV时，漏电流为50 μA。当栅电极施加20 V电压、集电极电流为20 A时，器件的导通电压为6.0 V，此时器件的微分比导通电阻为27 mΩ·m2。该值仅为15 kV碳化硅金属氧化物半导体场效应晶体管（Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor，MOSFET）比导通电阻的1/7，充分显示出碳化硅N沟道IGBT器件作为双极型器件在高阻断电压、高导通电流密度等方面的突出优势。 参考文献 | 相关文章 | 多维度评价 2022年第22卷第4期 pp. 040102