摘要： 0.8 μm高压BCD（Bipolar-CMOS-DMOS）电路存在漏电失效，其失效原因是IMD（Inter-Metal Dielectric）平坦化不良，造成金属2残留短路。通过SOG(spin-on-glass)二次平坦化工艺，大幅改善了IMD的平坦化效果，将平坦化因子由0.35提升到0.90，杜绝了金属2残留，较好地解决了漏电问题，提高了电路成品率。
中图分类号:
向璐，陈洪雷，苏兰娟. 0.8 μm高压BCD电路漏电失效改善[J]. 电子与封装, 2018, 18(3):
40 -43.
XIANG Lu,CHEN Honglei,SU Lanjuan. Leakage Failure Improvement of 0.8 μm High Voltage BCD Circuits[J]. Electronics & Packaging, 2018, 18(3):
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