0.25 μm CMOS新型过温保护电路的设计

doi:10.16257/j.cnki.1681-1070.2018.0064

电子与封装 ›› 2018, Vol. 18 ›› Issue (6): 22 -25. doi: 10.16257/j.cnki.1681-1070.2018.0064

0.25 μm CMOS新型过温保护电路的设计

葛兴杰¹，陆　锋^{1, 2}

1. 江南大学物联网工程学院，江苏无锡 214000；2. 中国电子科技集团公司第五十八研究所，江苏无锡 214072

出版日期:2018-06-20 发布日期:2020-02-19
作者简介:葛兴杰（1989—），男，江苏泰州人，硕士研究生在读，主要研究方向为集成电路设计。

A Novel Thermal Protection Circuit Based on 0.25 μm CMOS Process

GE Xingjie¹, LU Feng^{1, 2}

1.College of Internet of Things, Jiangnan University, Wuxi 214000, China； 2. China Electronics Technology Group Corporation No.58 Research Institute, Wuxi 214072, China

Online:2018-06-20 Published:2020-02-19

摘要/Abstract

摘要： 采用CSMC 0.25μm工艺,设计了一种新型结构的过温保护电路,该电路利用正温系数电流电路和共源共栅电流镜产生一个高灵敏度的电压信号,通过CMOS施密特触发器产生控制信号控制芯片的通断,起到保护电路的作用。通过Spectre软件仿真验证,结果显示,在各个工艺角及电源电压波动的情况下,电路均能在芯片温度上升到165℃时关断,在芯片温度降到144℃时开启,迟滞值为21℃。

关键词: 过温保护, 新型结构, 热关断

Abstract: A new type of over-temperature protection(OTP) circuit was proposed based on 0.25 μm CMOS process. The circuit uses a positive temperature coefficient current circuit and a cascade current mirror to produce a high sensitivity voltage signal, through the Schmidt trigger control signal generated by the control chip on and off, play the role of protection circuit. The results show that, at different process corners and various supply voltages, the circuit can shut down when the temperature of the chip rise to 165℃ and re-open when the temperature drops to 144℃, the hysteresis is 21℃.

Key words: over temperature protection, new type, thermal shutdown

中图分类号:

TN402

葛兴杰, 陆　锋. 0.25 μm CMOS新型过温保护电路的设计[J]. 电子与封装, 2018, 18(6): 22 -25.

GE Xingjie, LU Feng. A Novel Thermal Protection Circuit Based on 0.25 μm CMOS Process[J]. Electronics & Packaging, 2018, 18(6): 22 -25.

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中国半导体行业协会封装分会会刊

中国电子学会电子制造与封装技术分会会刊

0.25 μm CMOS新型过温保护电路的设计

A Novel Thermal Protection Circuit Based on 0.25 μm CMOS Process

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