摘要: 0.8 μm高压BCD(Bipolar-CMOS-DMOS)电路存在漏电失效,其失效原因是IMD(Inter-Metal Dielectric)平坦化不良,造成金属2残留短路。通过SOG(spin-on-glass)二次平坦化工艺,大幅改善了IMD的平坦化效果,将平坦化因子由0.35提升到0.90,杜绝了金属2残留,较好地解决了漏电问题,提高了电路成品率。
中图分类号:
向璐,陈洪雷,苏兰娟. 0.8 μm高压BCD电路漏电失效改善[J]. 电子与封装, 2018, 18(3):
40 -43.
XIANG Lu,CHEN Honglei,SU Lanjuan. Leakage Failure Improvement of 0.8 μm High Voltage BCD Circuits[J]. Electronics & Packaging, 2018, 18(3):
40 -43.