摘要： 报道了一种0.15 μm GaAs 单片限幅低噪声放大器的材料设计和制作工艺，器件关键层制备使用248 nm 扫描光刻机和烘胶工艺方案。利用X波段限幅低噪声放大电路对该工艺进行了流片验证。微波测试结果显示，在7~13 GHz频段内，电路增益大于19.5 dB，在7.7 GHz处增益达22.3 dB；噪声系数小于1.98 dB，在7.2 GHz处，最小噪声1.28 dB；直流功耗为190 mW，展示了良好的器件和电路性能。
中图分类号:
. 基于248nm扫描光刻机工艺的0.15μm GaAs单片限幅低噪声放大器[J]. 电子与封装, 2019, 19(8):
039 -43.
WANG Suyuan*, ZHANG Junyun, PENG Longxin, HUANG Nianning. 0.15 μm GaAs Limiter-LNA MMIC Based on 248 nm Scanner Process[J]. Electronics & Packaging, 2019, 19(8):
039 -43.
