抗辐射高压SOI NMOS器件的背栅效应研究

中国半导体行业协会封装分会会刊

中国电子学会电子制造与封装技术分会会刊

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抗辐射高压SOI NMOS器件的背栅效应研究

李燕妃，朱少立，吴建伟，徐　政，洪根深

Research on Back-gate Effect in Radiation-hardened High-voltage SOI NMOS Device

LI Yanfei, ZHU Shaoli, WU Jianwei, XU Zheng, HONG Genshen

电子与封装 . 2019, (2): 38 -41 . DOI: 10.16257/j.cnki.1681-1070.2019.0021