抗辐射高压SOI NMOS器件的背栅效应研究

doi:10.16257/j.cnki.1681-1070.2019.0021

电子与封装 ›› 2019, Vol. 19 ›› Issue (2): 038 -41. doi: 10.16257/j.cnki.1681-1070.2019.0021

抗辐射高压SOI NMOS器件的背栅效应研究

李燕妃，朱少立，吴建伟，徐　政，洪根深

中国电子科技集团公司第五十八研究所，江苏无锡　214072

收稿日期:2018-11-23 出版日期:2019-02-20 发布日期:2019-02-20
作者简介:李燕妃（1987—），女，福建福安人，硕士研究生，工艺集成工程师，现从事抗辐射集成电路工艺集成技术研究。

Research on Back-gate Effect in Radiation-hardened High-voltage SOI NMOS Device

LI Yanfei, ZHU Shaoli, WU Jianwei, XU Zheng, HONG Genshen

China Electronics Technology Group Corporation No.58 Research Institute, Wuxi 214072, China

Received:2018-11-23 Online:2019-02-20 Published:2019-02-20

摘要/Abstract

摘要： 通过对高压SOI NMOS器件进行总剂量辐照试验发现,辐照后器件埋氧化层中引入了大量的氧化层陷阱电荷,使得器件背栅发生反型,在较高漏极工作电压下,漏极耗尽区与反型界面相连,使得源漏发生穿通,导致器件漏电。通过原理分析提出了增加顶层硅膜厚度的优化措施,证明在顶层硅膜较薄的情况下,SOI NMOS器件容易发生总剂量辐照后背栅漏电,厚顶层硅器件特性受背栅辐照效应的影响则显著降低直至消失。

关键词: 高压SOI NMOS, 背栅效应, 总剂量, 抗辐射加固

Abstract: In this paper, the TID radiation induces oxide-trapped charge of SOI device in buried oxide layer which leading to the back channel inversion. With high supply drain voltage, the depletion region of drain was connected the back-gate inversion region. By research of the principle，the thinner silicon layer the more, the phenomenon of back-gate leakage current appears more obvious .The device’s characteristics were little affected of back-gate radiation effect, when the silicon layer was thick.

Key words: high-voltage SOI NMOS, back-gate effect, total ion dose, radiation-hardened

中图分类号:

TN43

李燕妃，朱少立，吴建伟，徐　政，洪根深. 抗辐射高压SOI NMOS器件的背栅效应研究[J]. 电子与封装, 2019, 19(2): 038 -41.

LI Yanfei, ZHU Shaoli, WU Jianwei, XU Zheng, HONG Genshen. Research on Back-gate Effect in Radiation-hardened High-voltage SOI NMOS Device[J]. Electronics & Packaging, 2019, 19(2): 038 -41.

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中国电子学会电子制造与封装技术分会会刊

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Research on Back-gate Effect in Radiation-hardened High-voltage SOI NMOS Device

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