基于0.13 μm工艺的1.5 V低功耗MOSFET器件设计

中国半导体行业协会封装分会会刊

中国电子学会电子制造与封装技术分会会刊

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基于0.13 μm工艺的1.5 V低功耗MOSFET器件设计

王鹢奇

Design of 1.5 V Low Power MOSFET Device Based on 0.13 μm Process

WANG Yiqi

电子与封装 . 2019, (1): 37 -40 . DOI: 10.16257/j.cnki.1681-1070.2019.0009