基于0.13 μm工艺的1.5 V低功耗MOSFET器件设计

doi:10.16257/j.cnki.1681-1070.2019.0009

电子与封装 ›› 2019, Vol. 19 ›› Issue (1): 037 -40. doi: 10.16257/j.cnki.1681-1070.2019.0009

基于0.13 μm工艺的1.5 V低功耗MOSFET器件设计

王鹢奇

中芯国际集成电路制造（上海）有限公司，上海 201203

收稿日期:2018-10-06 出版日期:2019-01-21 发布日期:2019-01-21
作者简介:王鷁奇（1982—），男，上海人，硕士学历，华东师范大学微电子专业毕业，现就职于中芯国际集成电路制造（上海）有限公司，任技术研究与发展部技术专家，从事于130纳米至28纳米逻辑工艺制程开发工作。

Design of 1.5 V Low Power MOSFET Device Based on 0.13 μm Process

WANG Yiqi

SMIC,Shanghai 201203,China

Received:2018-10-06 Online:2019-01-21 Published:2019-01-21

摘要/Abstract

摘要： 针对0.13 μm工艺常规MOSFET器件的制备流程进行了分析，提出了低功耗工艺改善方法，并针对优化工艺条件下的器件进行TCAD仿真，设计并进行了完整的DOE实验及样品性能测试。测试结果表明，通过调整轻掺杂漏区（LDD）的离子注入条件，冠状离子注入区的角度、浓度以及沟道阀值电压离子注入区浓度等一系列方法，实现了0.13 μm工艺1.5 V MOSFET器件关断条件下漏电流低于1 pA/μm。

关键词: MOSFET器件, 低功耗, 漏电性能

Abstract: The traditional 0.13 μm device performance is analyzed and improvement plan for lower leakage device is proposed with the TCAD result supported.In our experiment progress,it performs a complete DOE experimental design to achieve the research purpose of this experiment.With the optimization of the implant condition of LDD implant,Pocket implant and VT implant,The optimized 1.5 V MOSFET device has lower leakage performance,realizedthe 1.5Vdevice leakage currentlower than1pA/μm onshutoffstatus.

Key words: MOSFET, low power, device leakage performance

中图分类号:

TN305.3

王鹢奇. 基于0.13 μm工艺的1.5 V低功耗MOSFET器件设计[J]. 电子与封装, 2019, 19(1): 037 -40.

WANG Yiqi. Design of 1.5 V Low Power MOSFET Device Based on 0.13 μm Process[J]. Electronics & Packaging, 2019, 19(1): 037 -40.

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中国半导体行业协会封装分会会刊

中国电子学会电子制造与封装技术分会会刊

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