中国半导体行业协会封装分会会刊

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电子与封装 ›› 2016, Vol. 16 ›› Issue (3): 20 -22. doi: 10.16257/j.cnki.1681-1070.2016.0032

• 电路设计 • 上一篇    下一篇

FPGA配置SRAM设计技术

张艳飞,耿杨   

  1. 无锡中微亿芯有限公司,江苏 无锡 214072
  • 收稿日期:2015-11-20 出版日期:2016-03-20 发布日期:2016-03-20
  • 作者简介:张艳飞(1981—),女,黑龙江佳木斯人,现就职于中国电子科技集团公司第58研究所,研究方向为FPGA芯片设计; 耿 杨(1987—),女,河北石家庄人,现就职于无锡中微亿芯有限公司,研究方向为FPGA及SRAM单元设计。

FPGA Configuration SRAM Design Technology

ZHANG Yanfei, GEN Yang   

  1. East Technologies, Inc,Wuxi 214072, China
  • Received:2015-11-20 Online:2016-03-20 Published:2016-03-20

摘要: 首先分析了配置SRAM在SRAM型FPGA中的作用,介绍了配置SRAM的单元结构及在设计中的要点。设计实现了一种基于65 nm工艺的SRAM结构,并针对读写能力、功耗、噪声给出相应的仿真结果。此电路结构具有低功耗、抗噪声能力强的优点,已被应用于FPGA设计中并流片成功。

关键词: 现场可编程门阵列, 配置SRAM, 静态噪声容限, 读稳定性

Abstract: The paper first analyzes the role of SRAM in the FPGA SRAM, introduces the structure of SRAM and the key points in the design, it designs a SRAM structure based on 65 nm process, and the corresponding simulation results are given for the reading and writing ability, power consumption and noise.This circuit structure which has been used in FPGA designand taped out successfullyhas the advantages oflow power consumption and strong anti-noise ability.

Key words: FPGA, configuration SRAM, static noise margin, read stability

中图分类号: