用于GaN HEMT栅驱动芯片的高精度欠压保护电路*

doi:10.16257/j.cnki.1681-1070.2021.1214

电子与封装 ›› 2021, Vol. 21 ›› Issue (12): 0 . doi: 10.16257/j.cnki.1681-1070.2021.1214

• 电路设计 • 下一篇

用于GaN HEMT栅驱动芯片的高精度欠压保护电路^*

陈恒江¹;潘福跃²;周德金^3,4;何宁业⁵;陈珍海^2,4,5

1. 无锡中微爱芯电子有限公司，江苏无锡　214035；2. 中科芯集成电路有限公司，江苏无锡　214072；3. 复旦大学微电子学院，上海　200443；4. 清华大学无锡应用技术研究院，江苏无锡　214072；5. 黄山学院智能微系统安徽省工程技术研究中心，安徽黄山　245041

收稿日期:2021-06-17 出版日期:2021-12-28 发布日期:2021-09-18
作者简介:陈恒江(1978—)，男，江苏徐州人，本科毕业于西安电子科技大学电子工程专业，主要从事集成电路设计工作。

High Precision Under-Voltage ProtectionCircuit for GaN HEMT Gate Driver Circuit

CHEN Hengjiang¹, PAN Fuyue², ZHOU Dejin^3,4, HE Ningye⁵, CHEN Zhenhai^2,4,5

1. Wuxi I-Core Electronics Co.,Ltd., Wuxi 214035, China; 2. China KeySystem &Integrated Circuit Co., Ltd., Wuxi 214072, China; 3.School of Microelectronics,Fudan University, Shanghai 200443, China; 4.Wuxi Research Institute of AppliedTechnologies Tsinghua University, Wuxi214072, China; 5. Huangshan University, Engineering Technology Research Center of IntelligentMicrosystems, Huangshan 245041, China

Received:2021-06-17 Online:2021-12-28 Published:2021-09-18

摘要/Abstract

摘要： 设计了一种用于GaN HEMT器件栅驱动芯片的高精度欠压保护电路，能提供快速响应的高精度阈值电压。该电路一方面采用宽电压摆幅和快速响应的两级比较器电路，提高处理速度；另一方面，输出整形电路采用RC低通滤波和两级施密特触发器组合滤波，以滤除高频噪声的影响，产生稳定可靠的欠压保护输出信号。基于0.18 μm BCD工艺，完成了电路设计验证，仿真结果显示电路功能正确，可满足GaN HEMT器件栅驱动芯片应用要求。

关键词: 欠压保护, 比较器, 高精度

Abstract: A high precision under-voltage protection circuit for GaN HEMT device gate driver is designed, which will provide high precision threshold voltage with fast response. On the one hand, a two-stage comparator circuit with wide voltage swing and fast response is adopted to improve processing speed. On the other hand, the RC low-pass filtering and two-stage Schmidt trigger combined filtering is used in output shaping circuit to filter out the influence of high frequency noise, and finally to generate the reliable under-voltage protection output signal. The circuit is designed and verified on 0.18 μm BCD process. The simulation results show that the circuit function is correct, which can meet the requirements of GaN HEMT device gate driver.

Key words: under-voltageprotectioncircuit, comparator, highprecision

中图分类号:

TN402

陈恒江;潘福跃;周德金;何宁业;陈珍海. 用于GaN HEMT栅驱动芯片的高精度欠压保护电路^*[J]. 电子与封装, 2021, 21(12): 0 .

CHEN Hengjiang, PAN Fuyue, ZHOU Dejin, HE Ningye, CHEN Zhenhai. High Precision Under-Voltage ProtectionCircuit for GaN HEMT Gate Driver Circuit[J]. Electronics & Packaging, 2021, 21(12): 0 .

[1]	邵杰;唐路. 应用于高精度模数转换器的乘法数模单元模块研究^*[J]. 电子与封装, 2022, 22(4): 40305-.
[2]	陈天昊, 李富华, 马志寅. 一种新型高精度低功耗的张弛振荡器设计[J]. 电子与封装, 2022, 22(3): 30306-.
[3]	胥珂铭;高博;龚敏. Sigma-Delta模数转换器的三级数字抽取滤波器设计[J]. 电子与封装, 2021, 21(9): 90301-.
[4]	张浩松，唐鹤. 一款14位流水线-逐次逼近型模数转换器设计[J]. 电子与封装, 2020, 20(7): 70302-.
[5]	张键;尹志强;杨晓刚. 适用于MCU的低功耗、高精度RC振荡电路[J]. 电子与封装, 2020, 20(11): 110301-.
[6]	饶喜冰，李　良，代高峰. 一种高精度振荡电路设计[J]. 电子与封装, 2019, 19(3): 14-17.
[7]	邓玉清，葛兴杰，宣志斌. 一种高精度RC振荡器的设计[J]. 电子与封装, 2019, 19(1): 28-31.
[8]	谭　萍，高　博，龚　敏，赵　新，钱　正，王堋钰. 一种12位84 dB无杂散动态范围的高精度低功耗SAR ADC[J]. 电子与封装, 2018, 18(7): 16-21.
[9]	程法勇，刘继光. 高精度基准电压测试技术研究[J]. 电子与封装, 2018, 18(11): 15-17.
[10]	王金萍，吴熙文. 运放电路在测试系统中的应用[J]. 电子与封装, 2017, 17(12): 18-22.
[11]	赵海，谢兴华，孙洋. 一种适用于超低功耗MCU的振荡器设计[J]. 电子与封装, 2017, 17(10): 17-20.
[12]	李珂，顾飞. 基于CMOS工艺的ARINC 429总线接收器设计[J]. 电子与封装, 2016, 16(3): 23-25.
[13]	应韬，陈迪平，李经珊. 一种低电压低功耗多谐振荡器[J]. 电子与封装, 2016, 16(10): 27-31.

中国半导体行业协会封装分会会刊

中国电子学会电子制造与封装技术分会会刊

用于GaN HEMT栅驱动芯片的高精度欠压保护电路^*

High Precision Under-Voltage ProtectionCircuit for GaN HEMT Gate Driver Circuit

PDF

可视化

摘要/Abstract

引用本文

使用本文

参考文献

相关文章 13

编辑推荐

Metrics

本文评价