摘要： 实现了一款应用于S波段雷达系统的GaN HEMT内匹配功放。以小信号S参数和Load-pull结果为基础进行内匹配电路设计和仿真，采用单个24 mm GaN HEMT管芯实现大功率输出。使用微波仿真软件ADS进行输出匹配和小信号仿真和优化，得到良好的仿真结果并给出最终的测试数据。在34 V漏电压、1 ms周期、10%占空比的测试条件下，40 dBm输入功率时，2.7～3.1 GHz频率范围内，输出功率超过170 W，功率附加效率超过55%。
中图分类号:
王乐乐，钟世昌，谢凌霄，鞠久贵. S波段GaN内匹配功放管[J]. 电子与封装, 2017, 17(5):
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WANG Lele,ZHONG Shichang,XIE Lingxiao,JU Jiugui. Design and Implementation of an S-Band 150 W GaN with Internally Matched Power Amplifier[J]. Electronics & Packaging, 2017, 17(5):
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