摘要: 在对传统带隙基准电压源进行理论分析的基础上,结合当前 IC 设计中对基准电压源低温漂、高电源抑制比的要求,设计了一种超低温漂的带隙基准电压源电路。该电路带有启动电路和高阶温度补偿电路。仿真结果表明,在-55~125 ℃的温度范围内获得了 1.65×10-6/℃的温漂系数,低频时的电源抑制比达到-62 dB。
中图分类号:
陆 锋1,2,葛兴杰1. 超低温漂带隙基准电压源设计[J]. 电子与封装, 2017, 17(3):
22 -25.
LU Feng1,2, GE Xingjie1. Design of Ultralow Temperature Drift Bandgap Reference Voltage Source[J]. Electronics & Packaging, 2017, 17(3):
22 -25.