7nm工艺下片上电感耦合情况研究

doi:10.16257/j.cnki.1681-1070.2018.0086

电子与封装 ›› 2018, Vol. 18 ›› Issue (8): 17 -22. doi: 10.16257/j.cnki.1681-1070.2018.0086

7nm工艺下片上电感耦合情况研究

吴　双，高　博，龚　敏

四川大学物理科学与技术学院微电子系，微电子技术四川省重点实验室，成都　610064

出版日期:2018-08-20 发布日期:2018-08-20
作者简介:吴　双（1992—），男，南京人，四川大学硕士研究生，主要研究方向为模拟集成电路设计。

Study on On-chip Inductor Coupling Based on 7 nm Process

WU Shuang, GAO Bo, GONG Min

Sichuan Key Lab. of Microelectronics Technology, Division of Microelectronics, College of Physical Science and Technology, Sichuan University, Chengdu 610064, China

Online:2018-08-20 Published:2018-08-20

摘要/Abstract

摘要： 基于TSMC N7工艺,使用了Cadence公司的Virtuoso和Lorentz Solution公司的Peak View作为仿真与验证平台,在不同的电磁屏蔽条件下,对制作在最上两层金属上的两个相互之间距离变化的片上电感的耦合情况进行了研究。通过二者电感值的改变,分析了其耦合关系,以丰富射频器件模型。

关键词: 片上电感, guardring, ground shielding, 耦合, 品质因数

Abstract: This paper is based on the TSMC N7 process, using Cadence's Virtuoso and Lorentz Solution's PeakView as simulation and verification platforms. We research on the coupling relationship between two on-chip inductors with different distances to each other on the top two layers of metal under different electromagnetic shielding conditions, and then analyzed the coupling relationship from inductance value of this two on-chip inductor.

Key words: on-chip inductor, guardring, ground shielding, couping, quality factor

中图分类号:

TM55

吴　双，高　博，龚　敏. 7nm工艺下片上电感耦合情况研究[J]. 电子与封装, 2018, 18(8): 17 -22.

WU Shuang, GAO Bo, GONG Min. Study on On-chip Inductor Coupling Based on 7 nm Process[J]. Electronics & Packaging, 2018, 18(8): 17 -22.

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中国半导体行业协会封装分会会刊

中国电子学会电子制造与封装技术分会会刊

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