基于双极工艺的高速MOSFET栅驱动电路

doi:10.16257/j.cnki.1681-1070.2022.1011

电子与封装 ›› 2022, Vol. 22 ›› Issue (10): 100306 . doi: 10.16257/j.cnki.1681-1070.2022.1011

基于双极工艺的高速MOSFET栅驱动电路

邱旻韡¹;屈柯柯¹;李思察¹;郭刚²

1.中国电子科技集团公司第五十八研究所，江苏无锡 214035；2.中国原子能科学研究院，北京 102413

收稿日期:2022-02-27 出版日期:2022-10-26 发布日期:2022-05-17
作者简介:邱旻韡(1986—)，男，江苏无锡人，硕士，工程师，现从事模拟集成电路设计工作。

High Speed MOSFET Gate Drive Circuitwith Bipolar Process

QIU Minwei¹, QU Keke¹, LI Sicha¹, GUO Gang²

1.China Electronics Technology Group Corporation No.58 Research Institute, Wuxi 214035, China; 2. China Institute of Atomic Energy, Beijing 102413, China

Received:2022-02-27 Online:2022-10-26 Published:2022-05-17

摘要/Abstract

摘要： 基于2 μm双极工艺设计了全新的高速功率栅驱动电路，并内置了死区时间控制电路，该电路可以防止驱动器内部电源接地形成短路而烧毁器件。工作电压范围为5~35 V，传输上升延迟时间不大于32 ns，下降延迟时间不大于25 ns，上升、下降建立时间不超过10 ns，工作电流不超过45 mA。

关键词: 功率栅驱动电路, 延迟时间, 死区时间控制

Abstract: A new power gate drive circuit is designed by 2 μm bipolar process, and a dead-time control circuit is built-in, which is to preventing the driver burnout by internal power supply shorted to ground. The working voltage of the circuit is 5-35 V, the transmission rise delay time is not more than 32 ns, the drop delay time is not more than 25 ns, the rise and fall establishment time is not more than 10 ns, and the working current is not more than 45 mA.

Key words: power gate drive circuit, delay time, dead time control

中图分类号:

TN495

邱旻韡, 屈柯柯, 李思察, 郭刚. 基于双极工艺的高速MOSFET栅驱动电路[J]. 电子与封装, 2022, 22(10): 100306 .

QIU Minwei, QU Keke, LI Sicha, GUO Gang. High Speed MOSFET Gate Drive Circuitwith Bipolar Process[J]. Electronics & Packaging, 2022, 22(10): 100306 .

中国半导体行业协会封装分会会刊

中国电子学会电子制造与封装技术分会会刊

基于双极工艺的高速MOSFET栅驱动电路

High Speed MOSFET Gate Drive Circuitwith Bipolar Process

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