一种用于生产的GaN HEMT器件空气桥的设计

doi:10.16257/j.cnki.1681-1070.2023.0120

电子与封装 ›› 2023, Vol. 23 ›› Issue (9): 090403 . doi: 10.16257/j.cnki.1681-1070.2023.0120

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一种用于生产的GaN HEMT器件空气桥的设计

石浩,王雯洁,付登源,梁宗文,王溯源,张良,章军云

中国电子科技集团公司第五十五研究所，南京 210016

收稿日期:2023-03-14 发布日期:2023-09-25
作者简介:石浩（1995—），男，山西大同人，硕士，工程师，主要研究方向为半导体光刻工艺。

Design of an Air Bridge for Fabrication of GaN HEMT Devices

SHI Hao, WANG Wenjie, FU Dengyuan, LIANG Zongwen, WANG Suyuan, ZHANG Liang, ZHANG Junyun

China Electronics Technology Group Corporation No.55 ResearchInstitute, Nanjing 210016, China

Received:2023-03-14 Published:2023-09-25

摘要/Abstract

摘要： 为了解决当前GaN HEMT器件空气桥起桥角度、桥胶高度不稳定且易受后续步骤影响导致桥胶坍塌的问题，通过分别改变光刻胶定型桥的烘胶温度、烘胶时间以及曝光过程中的曝光焦距，观察不同条件下光刻胶定型桥桥胶的形貌和参数，选择最优的光刻胶定型桥的制作方法。并将最优烘胶温度、最优烘胶时间以及最优曝光条件整合，设计了一种适用于生产的拱形空气桥制作方法，得到了具有良好拱形且表面光滑的高质量、稳定且适合生产的空气桥。

关键词: 空气桥, GaNHEMT, 烘胶温度, 烘胶时间, 曝光条件

Abstract: In order to solve the problems of unstable air bridge angle and bridge glue height in current GaN HEMT devices, which are easily affected by subsequent steps and lead to bridge glue collapse, by changing the baking temperature, baking time, and exposure focal length during the exposure process of the photoresist setting bridge, the morphology and parameters of the photoresist setting bridge glue under different conditions are observed, and the optimal manufacturing method of the photoresist setting bridge is selected.The optimal baking temperature,the optimal baking time and exposure conditions are integrated to design an arch shaped air bridge production method suitable for production, and a high-quality, stable and production-suitable air bridge with a good arch shape and a smooth surface is obtained.

Key words: air bridge, GaN HEMT, baking temperature, baking time, exposure conditions

中图分类号:

石浩,王雯洁,付登源,梁宗文,王溯源,张良,章军云. 一种用于生产的GaN HEMT器件空气桥的设计[J]. 电子与封装, 2023, 23(9): 090403 .

SHI Hao, WANG Wenjie, FU Dengyuan, LIANG Zongwen, WANG Suyuan, ZHANG Liang, ZHANG Junyun. Design of an Air Bridge for Fabrication of GaN HEMT Devices[J]. Electronics & Packaging, 2023, 23(9): 090403 .

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中国半导体行业协会封装分会会刊

中国电子学会电子制造与封装技术分会会刊

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Design of an Air Bridge for Fabrication of GaN HEMT Devices

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