摘要： 介绍了一种使沟槽侧角圆滑的STI工艺技术，该技术在沟槽腐蚀完，通过湿法工艺去除部分氮化硅（Nitride Pullback），再正常生长线性氧化层，使槽的侧角更加圆润光滑，同时减小了沟槽Divot深度。该工艺避免了附加高温热过程所导致的缺陷扩散和膜应力增大问题，现已成功应用于0.13μm逻辑工艺。采用该工艺完成的器件，反窄沟道效应明显减弱，窄沟器件的漏电有效降低。
中图分类号:
顾祥，徐海铭，陈海波，吴建伟. 一种使沟槽侧角圆滑的新颖STI工艺[J]. 电子与封装, 2017, 17(3):
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