摘要: MOS管是一种常见的半导体功率器件,随着半导体产业的不断发展和进步,MOS管的各方面性能也得到大幅度的提高,被广泛应用于开关电源、节能灯、电源转换和电源控制等领域。在功率电路中,MOS作为一种多子功率开关器件,其导通电阻是至关重要的参数之一,会影响到应用电路的稳定性和功耗。因此在集成电路测试中对于MOS管导通电阻的精确测量显得尤为重要。对于MOS管导通电阻的测量做了详细分析,并介绍了两种可以准确测量MOS管导通电阻的方法。
中图分类号:
韩新峰,顾卫民. 集成电路中MOS管导通电阻测量方法[J]. 电子与封装, 2016, 16(11):
10 -13.
HAN Xinfeng, GU Weimin. Studies of MOS Turn-on Resistance Measurement Methods[J]. Electronics & Packaging, 2016, 16(11):
10 -13.