编程MTM反熔丝的特征电压研究

doi:10.16257/j.cnki.1681-1070.2017.0023

电子与封装 ›› 2017, Vol. 17 ›› Issue (2): 37 -39. doi: 10.16257/j.cnki.1681-1070.2017.0023

编程MTM反熔丝的特征电压研究

徐海铭，顾祥

中国电子科技集团公司第58研究所，江苏无锡 214072

收稿日期:2016-11-02 出版日期:2017-02-20 发布日期:2017-02-20
作者简介:徐海铭（1983—），男，山东青岛人，毕业于江南大学微电子与固体电子学专业，现就职于中国电子科技集团公司第58研究所，主要从事MTM反熔丝单元结构设计、工艺开发及可靠性研究等工作。

Studies of Characteristic Voltage of Programmed Metal-to-Metal Antifuses

XU Haiming,GU Xiang

China Electronics Technology Group Corporation No.58 Research Institute,Wuxi 214072,China

Received:2016-11-02 Online:2017-02-20 Published:2017-02-20

摘要/Abstract

摘要： 研究了不同MTM反熔丝材料的特征电压，发现特征电压不受电极材料影响而变化。电热模型理论在硅极反熔丝编程模型中得到进一步诠释和扩展，其中MTM反熔丝编程电阻与编程电流的关系也符合魏德曼-费尔兹定律。

关键词: 反熔丝, 编程, MTM

Abstract: The characteristic voltage Vfof different programmed metal-to metal antifuses is analyzed in the paper.It is independent of the change of electrode materials.The electro-thermal model once used to predict programmed silicon-electrode antifuse resistance,can be extended to the characteristic voltage.The relationship between the metal-to-metal antifuse resistance and programming current fits in with the Wiedeman-Franz law.

Key words: antifuse, programming, MTM

中图分类号:

TN403

徐海铭，顾祥. 编程MTM反熔丝的特征电压研究[J]. 电子与封装, 2017, 17(2): 37 -39.

XU Haiming,GU Xiang. Studies of Characteristic Voltage of Programmed Metal-to-Metal Antifuses[J]. Electronics & Packaging, 2017, 17(2): 37 -39.

[1]	惠锋;谢尚銮. 基于初始解优化的FPGA布线方法[J]. 电子与封装, 2022, 22(8): 80304-.
[2]	韩留军, 姚尧, 郝国锋, 赵参. 基于CPLD的FPGA多重配置方法实现[J]. 电子与封装, 2022, 22(5): 50303-.
[3]	庞立鹏;蔺旭辉;马金龙;曹靓;沈丹丹;王晓玲;赵桂林. Flash型FPGA配置方法研究[J]. 电子与封装, 2022, 22(5): 50301-.
[4]	李鸿松;武锦;李泽宏;周磊;季尔优. 虚拟示波器硬件设计[J]. 电子与封装, 2021, 21(9): 90501-.
[5]	潘福跃;张明新;曹利超;刘佰清;洪根深;张海良;刘国柱. ONO反熔丝器件可编程特性研究[J]. 电子与封装, 2021, 21(7): 70404-.
[6]	郑若成;王印权;孙杰杰;田海燕;郑良晨;吴素贞. 反熔丝型FPGA电路过电应力失效分析[J]. 电子与封装, 2021, 21(6): 60403-.
[7]	曹正州, 张艳飞, 徐玉婷, 江燕, 孙静. 基于反熔丝技术的FPGA配置芯片设计[J]. 电子与封装, 2021, 21(12): 0-.
[8]	刘梦影, 蔡阳阳. 一种ECC校验算法的设计与实现[J]. 电子与封装, 2020, 20(2): 20301-.
[9]	范晓捷;王祖锦;张甘英;朱夏冰;万书芹. 可编程多级级联积分梳状内插滤波器的设计[J]. 电子与封装, 2020, 20(12): 120305-.
[10]	翁子彬, 丁蔚, 彭佳丽. 基于STM32F103的一种通用MCU编程器[J]. 电子与封装, 2020, 20(11): 110501-.
[11]	郑若成, 曾庆平, 吴素贞, 王印权, 吴建伟, 徐海铭, 洪根深. MTM反熔丝薄膜单项工艺DOE试验设计开发方法[J]. 电子与封装, 2018, 18(9): 45-48.
[12]	朱少立，汤偲愉，刘国柱，曹立超，洪根深，吴建伟，郑若成. 90nm浮栅型P-FLASH器件总剂量电离辐射效应研究[J]. 电子与封装, 2018, 18(8): 36-40.
[13]	蔺旭辉，曹靓，马金龙，王栋. 用于反熔丝型FPGA的多电平IO端口电路设计[J]. 电子与封装, 2017, 17(8): 13-15.
[14]	孙乐，孔勇，黄虎. MIMO 系统 V-BLAST 检测算法的 FPGA 实现[J]. 电子与封装, 2017, 17(6): 31-35.
[15]	王印权，郑若成，徐海铭，吴素贞，洪根深. MTM反熔丝单元的辐照特性研究[J]. 电子与封装, 2017, 17(4): 34-38.

中国半导体行业协会封装分会会刊

中国电子学会电子制造与封装技术分会会刊

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