MTM反熔丝单元的辐照特性研究

doi:10.16257/j.cnki.1681-1070.2017.0050

电子与封装 ›› 2017, Vol. 17 ›› Issue (4): 34 -38. doi: 10.16257/j.cnki.1681-1070.2017.0050

MTM反熔丝单元的辐照特性研究

王印权，郑若成，徐海铭，吴素贞，洪根深

中国电子科技集团公司第五十八研究所，江苏无锡 214072

收稿日期:2016-11-23 出版日期:2017-04-20 发布日期:2017-04-20
作者简介:王印权（1986—），男，河南省鲁山县人，毕业于西北工业大学材料专业，2013年获得工学硕士学位，工程师，现就职于中国电子科技集团公司第58研究所，主要从事微电子领域中MTM反熔丝工艺及可靠性研究工作。

TID Effect on MTM Anti-fuse Cell

WANG Yinquan,ZHENG Ruocheng,XU Haiming,WU Suzhen,HONG Genshen

China Electronics Technology Group Corporation No.58 Research Institute,Wuxi 214072,China

Received:2016-11-23 Online:2017-04-20 Published:2017-04-20

摘要/Abstract

摘要： 对MTM反熔丝单元的总剂量辐照特性进行了研究，对未编程和编程后两种状态的反熔丝单元在不同电压偏置条件下进行总剂量辐照（Co60-γ射线），辐照总剂量为2 Mrad（Si）。辐照试验结果显示，未编程状态下的MTM反熔丝单元的电压-电流特性曲线基本保持不变，漏电流变化率小于10%。编程后反熔丝单元的电阻特性保持不变，并且编程电阻大小对辐照试验结果无显著影响。试验结果表明，MTM反熔丝单元的抗总剂量（Co60-γ射线）辐照能力达到2 Mrad（Si）以上。

关键词: MTM, 反熔丝, 总剂量效应

Abstract: The paper studies the TID effect of MTM antifuse cell.Different voltage bias are applied on the un-programmed and programmed MTM antifuse cells in the TID environment with total ion dose up to 2 Mrad(Si).The experiment result shows that TID radiation has no marked effect on the unprogrammed antifuse.The I-V curve remains stable with leakage current change rate less than 10%.The resistance value of programmed antifuse remains unchanged.TID radiation's influence on the different resistance value is not noticeable.The TID irradiation of MTM anti-fuse cell reaches 2 Mrad(Si).

Key words: MTM, antifuse, total ion dose

中图分类号:

TN307

王印权，郑若成，徐海铭，吴素贞，洪根深. MTM反熔丝单元的辐照特性研究[J]. 电子与封装, 2017, 17(4): 34 -38.

WANG Yinquan,ZHENG Ruocheng,XU Haiming,WU Suzhen,HONG Genshen. TID Effect on MTM Anti-fuse Cell[J]. Electronics & Packaging, 2017, 17(4): 34 -38.

[1]	唐常钦, 王多为, 龚敏, 马瑶, 杨治美. SiC MOSFET伽马辐照效应及静态温度特性研究[J]. 电子与封装, 2021, 21(8): 80402-.
[2]	潘福跃;张明新;曹利超;刘佰清;洪根深;张海良;刘国柱. ONO反熔丝器件可编程特性研究[J]. 电子与封装, 2021, 21(7): 70404-.
[3]	郑若成;王印权;孙杰杰;田海燕;郑良晨;吴素贞. 反熔丝型FPGA电路过电应力失效分析[J]. 电子与封装, 2021, 21(6): 60403-.
[4]	曹正州, 张艳飞, 徐玉婷, 江燕, 孙静. 基于反熔丝技术的FPGA配置芯片设计[J]. 电子与封装, 2021, 21(12): 0-.
[5]	郑若成, 曾庆平, 吴素贞, 王印权, 吴建伟, 徐海铭, 洪根深. MTM反熔丝薄膜单项工艺DOE试验设计开发方法[J]. 电子与封装, 2018, 18(9): 45-48.
[6]	蔺旭辉，曹靓，马金龙，王栋. 用于反熔丝型FPGA的多电平IO端口电路设计[J]. 电子与封装, 2017, 17(8): 13-15.
[7]	谢儒彬，张庆东，纪旭明，吴建伟，洪根深. 抗辐射0.18 μm NMOS器件热载流子效应研究[J]. 电子与封装, 2017, 17(4): 30-33.
[8]	徐海铭，王印权，郑若成，洪根深. 应用于OTP单元的高可靠性 MTM反熔丝特性[J]. 电子与封装, 2017, 17(3): 36-39.
[9]	徐海铭，顾祥. 编程MTM反熔丝的特征电压研究[J]. 电子与封装, 2017, 17(2): 37-39.
[10]	米　丹，左玲玲. 体硅CMOS集成电路抗辐射加固设计技术[J]. 电子与封装, 2016, 16(9): 40-43.
[11]	袁同伟, 潘滨, 孙杰杰, 胡晓琴. 一种用于OTP存储器的灵敏放大器设计[J]. 电子与封装, 2016, 16(7): 29-33.

中国半导体行业协会封装分会会刊

中国电子学会电子制造与封装技术分会会刊

MTM反熔丝单元的辐照特性研究

TID Effect on MTM Anti-fuse Cell

RichHTML

PDF

可视化

被引次数

摘要/Abstract

引用本文

使用本文

参考文献

相关文章 11

编辑推荐

Metrics

本文评价