抗辐射高压SOI埋氧总剂量效应研究

doi:10.16257/j.cnki.1681-1070.2019.0010

电子与封装 ›› 2019, Vol. 19 ›› Issue (1): 041 -43. doi: 10.16257/j.cnki.1681-1070.2019.0010

抗辐射高压SOI埋氧总剂量效应研究

徐海铭，洪根深，吴建伟，徐政，刘国柱

中国电子科技集团公司第五十八研究所，江苏无锡 214072

收稿日期:2018-11-23 出版日期:2019-01-21 发布日期:2019-01-21
作者简介:徐海铭（1983—），男，山东青岛人，高级工程师，毕业于江南大学微电子与固体电子学专业，现就职于中国电子科技集团公司第五十八研究所，主要从事抗辐射高压SOI工艺和MTM反熔丝工艺开发等工作。

Investigation of the Total Ionizing Dose Effects in SOI High Voltage Devices

XU Haiming,HONG Genshen,WU Jianwei,XU Zheng,LIU Guozhu

China Electronic Technology Group Corporation No.58 Institute,Wuxi 214072,China

Received:2018-11-23 Online:2019-01-21 Published:2019-01-21

摘要/Abstract

摘要： 研究了抗辐射高压SOI埋氧总剂量加固技术，发现在总剂量辐射条件下不同埋氧加固工艺背栅阈值变化的情况。通过增加埋氧加固技术可以有效地抑制总剂量辐射环境下对高压器件的调制效应。

关键词: 埋氧, 总剂量, 加固

Abstract: The paper studiesthe buriedoxide radiationeffect in SOI high voltage devices and the corresponding radiation hardened process methods.The irradiation test data show the relationship between the back gate threshold voltage shift and the different buried oxide radiation hardened process.The robustness of the high voltage component of SOI technique will be enhanced with the addition of buried oxide radiation hardened process.

Key words: buried oxide, total ion dose, radiation hardened

中图分类号:

TN306

徐海铭，洪根深，吴建伟，徐政，刘国柱. 抗辐射高压SOI埋氧总剂量效应研究[J]. 电子与封装, 2019, 19(1): 041 -43.

XU Haiming,HONG Genshen,WU Jianwei,XU Zheng,LIU Guozhu. Investigation of the Total Ionizing Dose Effects in SOI High Voltage Devices[J]. Electronics & Packaging, 2019, 19(1): 041 -43.

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中国半导体行业协会封装分会会刊

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抗辐射高压SOI埋氧总剂量效应研究

Investigation of the Total Ionizing Dose Effects in SOI High Voltage Devices

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