S波段小型化宽带低噪声放大器的设计

doi:10.16257/j.cnki.1681-1070.2019.1109

电子与封装 ›› 2019, Vol. 19 ›› Issue (11): 41 -43. doi: 10.16257/j.cnki.1681-1070.2019.1109

S波段小型化宽带低噪声放大器的设计

豆刚, 张海峰, 向虎, 许庆

南京电子器件研究所,南京 210016

出版日期:2019-11-20 发布日期:2019-12-25
作者简介:豆刚(1987—),男,河南南阳人,工学硕士,主要从事芯片设计、国家及部委科研项目研究与管理工作。

Design of Wide Band Miniaturized S-Band Low Noise Amplifier

DOU Gang, ZHANG Haifeng, XIANG Hu, XU Qing

Nanjing Electronic Devices Institute, Nanjing 210016, China

Online:2019-11-20 Published:2019-12-25

摘要/Abstract

摘要： 采用软件计算微带平面电感,描述了一款基于薄膜工艺的小型化宽带低噪声放大器的设计和性能。测试结果表明：在2.7~3.5 GHz的频段内,低噪声放大器的噪声系数小于等于0.55 dB,增益大于等于33 dB,增益平坦度小于等于±0.1 dB;在2~4 GHz的频段内,低噪声放大器的噪声系数小于等于0.65 dB,增益大于等于33 dB,增益平坦度小于等于±0.8 dB;尺寸为6.0 mm×4.2 mm。

关键词: 低噪声, 小型化, 宽带

Abstract: Design and performance of a wide band miniaturized low noise amplifier(LNA) working in S-band employing a method to calculate microstrip inductor are presented. The designed LNA working in the band of 2.7-3.5 GHz has a noise figure below 0.55 dB, and a small gain higher than 33 dB with flatness below ±0.1 dB. The designed LNA working in the band of 2-4 GHz has a noise figure below 0.65 dB, and a small gain higher than 33 dB with flatness below ±0.8 dB. The size of the LNA is only 6.0 mm×4.2 mm.

Key words: low noise figure, miniaturization, wide band

中图分类号:

TN454

豆刚, 张海峰, 向虎, 许庆. S波段小型化宽带低噪声放大器的设计[J]. 电子与封装, 2019, 19(11): 41 -43.

DOU Gang, ZHANG Haifeng, XIANG Hu, XU Qing. Design of Wide Band Miniaturized S-Band Low Noise Amplifier[J]. Electronics & Packaging, 2019, 19(11): 41 -43.

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中国半导体行业协会封装分会会刊

中国电子学会电子制造与封装技术分会会刊

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Design of Wide Band Miniaturized S-Band Low Noise Amplifier

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