厚栅氧PMOS γ射线剂量探测器芯片工艺优化研究

doi:10.16257/j.cnki.1681-1070.2021.0915

电子与封装 ›› 2021, Vol. 21 ›› Issue (9): 090404 . doi: 10.16257/j.cnki.1681-1070.2021.0915

厚栅氧PMOS γ射线剂量探测器芯片工艺优化研究

张玲玲;郭凤丽;石磊

中科芯集成电路有限公司，江苏无锡　214072

收稿日期:2021-03-30 发布日期:2021-05-31
作者简介:张玲玲（1970—），女，江苏泰兴人，本科，高级工程师，现从事特种器件研制。

Studyon Process Optimization of Thick Gate Oxygen PMOS Gamma Ray Dose Detector Chip

ZHANG Lingling, GUO Fengli, SHI Lei

China Key System & Integrated Circuit Co., Ltd., Wuxi 214072, China

Received:2021-03-30 Published:2021-05-31

摘要/Abstract

摘要： 核能是未来能源的重要组成部分，利用得当会为人类造福，如果使用不当会给人类带来毁灭性的灾难，而辐射探测器是发展核能必备的基础设备。PMOS管已广泛应用于γ射线剂量探测领域，提高厚栅氧PMOS γ射线剂量探测器的制造合格率，降低生产成本有利于厚栅氧PMOS γ射线剂量探测器在核技术方面的应用。从芯片制造工艺入手，分析关键指标PMOS管阈值电压的影响因素，采取有效控制措施，使厚栅氧PMOS γ射线剂量探测器的制造成本降低30 %。

关键词: PMOS, 厚栅氧, 阈值电压

Abstract: Nuclear energy is an important part of the future energy, the good use of it will benefit for mankind, if used improperly, it will bring devastating disaster to mankind, the production of radiation detectors is an essential infrastructure for the development of nuclear energy. PMOS tubes have been used in the field of gamma dose detection, it is beneficial to the application of thick gate oxygenPMOS gamma ray dose detector in nuclear technology to improve the manufacturing pass rate and reduce the production cost. Start with the chip manufacturing process, analyze the influence factors of PMOS threshold voltage, effective measures have been taken to reduce the manufacturing cost of thick gate oxygen PMOS gamma ray dose detector by 30%.?

Key words: PMOS, thickgateoxygen, thresholdvoltage

中图分类号:

TN307

张玲玲;郭凤丽;石磊. 厚栅氧PMOS γ射线剂量探测器芯片工艺优化研究[J]. 电子与封装, 2021, 21(9): 090404 .

ZHANG Lingling, GUO Fengli, SHI Lei. Studyon Process Optimization of Thick Gate Oxygen PMOS Gamma Ray Dose Detector Chip[J]. Electronics & Packaging, 2021, 21(9): 090404 .

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中国半导体行业协会封装分会会刊

中国电子学会电子制造与封装技术分会会刊

厚栅氧PMOS γ射线剂量探测器芯片工艺优化研究

Studyon Process Optimization of Thick Gate Oxygen PMOS Gamma Ray Dose Detector Chip

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