5 V双向TVS器件表面缺陷改善

doi:10.16257/j.cnki.1681-1070.2021.0916

电子与封装 ›› 2021, Vol. 21 ›› Issue (9): 090405 . doi: 10.16257/j.cnki.1681-1070.2021.0916

5 V双向TVS器件表面缺陷改善

陈正才

无锡华普微电子有限公司，江苏无锡　214035

收稿日期:2021-04-19 发布日期:2021-08-24
作者简介:陈正才（1981—），男，江苏盐城人，硕士，高级工程师，现从事分立器件研究及应用。

Surface Defect Improvement of 5 V BidirectionalTVS Device

CHEN Zhengcai

WuxiHuapu Microchips Co., Ltd.,Wuxi 214035, China

Received:2021-04-19 Published:2021-08-24

摘要/Abstract

摘要： 通过对5 V双向TVS产品结构和工艺的研究，分析了高温退火工艺条件下衬底外延离子扩散对晶圆边缘处器件漏电和良率的影响。通过优化退火工艺，改善了器件表面缺陷，解决了晶圆边缘处器件漏电过高的问题，将片内良率从93%提升至99%以上。

关键词: 杂质扩散, 漏电, 退火

Abstract: The structure and process of 5 V bidirectional TVS device is researched, and the effect of high temperature annealing process on device leakage and on-chip yield is analyzed. By optimizing the annealing process, the problem of device failure at the edge of the wafer caused by the diffusion of impurities is solved, and the on-chip yield is increased from 93% to more than 98%.

Key words: diffusionofimpurities, leakage, anneal

中图分类号:

TN305

陈正才. 5 V双向TVS器件表面缺陷改善[J]. 电子与封装, 2021, 21(9): 090405 .

CHEN Zhengcai. Surface Defect Improvement of 5 V BidirectionalTVS Device[J]. Electronics & Packaging, 2021, 21(9): 090405 .

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中国半导体行业协会封装分会会刊

中国电子学会电子制造与封装技术分会会刊

5 V双向TVS器件表面缺陷改善

Surface Defect Improvement of 5 V BidirectionalTVS Device

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