高压IGBT芯片高温测试温度的阈值电压标定

doi:10.16257/j.cnki.1681-1070.2017.0118

电子与封装 ›› 2017, Vol. 17 ›› Issue (10): 13 -16. doi: 10.16257/j.cnki.1681-1070.2017.0118

高压IGBT芯片高温测试温度的阈值电压标定

涂启志¹，凌浪波²

1.无锡广播电视大学，江苏无锡 214011;2．株洲中车时代电气有限公司，湖南株洲 412000

收稿日期:2017-04-27 出版日期:2017-10-20 发布日期:2017-10-20
作者简介:涂启志（1968—），女，江苏无锡人，硕士学历，讲师，现从事电子类课程的教学工作。

VgthMethod During High Temperature Test of High-Voltage IGBT Chip

TU Qizhi¹,LING Langbo²

1.Wuxi Radio&Television University,Wuxi 214011,China；2.TEG of CRRC,Zhuzhou 412000,China

Received:2017-04-27 Online:2017-10-20 Published:2017-10-20

摘要/Abstract

摘要： IGBT（Insulate Gate Bipolar Transistor，绝缘栅双极晶体管）已得到广泛应用。为提高封装阶段的成品率，需对芯片的高温漏电特性进行测试。通过对芯片测试参数的分析，提出了可通过对Vgth（阈值电压）的测试、比对，实现对芯片在高温测试条件下实际测试温度的校正。

关键词: IGBT, 阈值电压, 高温, 漏电流

Abstract: The IGBT (Insulate Gate Bipolar Transistor)has been extensively used in all kinds of power electronics devices.It is important to check if chips would fail during high temperature tests.In the paper,the method of using the Vgthto check the temperature of chip surface during the high temperature test is discussed.

Key words: IGBT, Vgth, high temperature, leak current

中图分类号:

TN407

涂启志¹，凌浪波². 高压IGBT芯片高温测试温度的阈值电压标定[J]. 电子与封装, 2017, 17(10): 13 -16.

TU Qizhi¹,LING Langbo². VgthMethod During High Temperature Test of High-Voltage IGBT Chip[J]. Electronics & Packaging, 2017, 17(10): 13 -16.

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中国半导体行业协会封装分会会刊

中国电子学会电子制造与封装技术分会会刊

高压IGBT芯片高温测试温度的阈值电压标定

VgthMethod During High Temperature Test of High-Voltage IGBT Chip

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