肖特基二极管高温反向偏置失效分析与改善

doi:10.16257/j.cnki.1681-1070.2022.0310

电子与封装 ›› 2022, Vol. 22 ›› Issue (3): 030401 . doi: 10.16257/j.cnki.1681-1070.2022.0310

肖特基二极管高温反向偏置失效分析与改善

胡敏;彭俊睿

乐山无线电股份有限公司，四川乐山　614000

收稿日期:2021-07-16 出版日期:2022-03-24 发布日期:2021-10-25
作者简介:胡敏(1968—)，男，四川乐山人，硕士，工程师，现从事半导体封装测试相关技术工作。

Schottky Diode HighTemperature Revise Bias Failure Analysis and Improvement

HU Min, PENG Junrui

Leshan Radio Company, Ltd., Leshan614000, China

Received:2021-07-16 Online:2022-03-24 Published:2021-10-25

摘要/Abstract

摘要： 肖特基二极管在高温反向偏置（High Temperature Reverse Bias, HTRB）试验后失效，烘烤或化学开盖后芯片电参数恢复。通过超声扫描分层检查，确定失效原因来自芯片和封装的匹配。在芯片改善受限制的情况下，通过改善封装气密性、离子污染，解决了HTRB失效。同时系统探讨了从设计上预防气密性失效的方法。

关键词: 高温反向偏置, 可靠性, 封装气密性, 离子污染

Abstract: Schottky diodes encounters reliability failure after high temperature reverse bias (HTRB), and the chip electrical parameters recovers after baking or chemical decapsulation. Through scanning acoustical tomography and package delamination inspection, root cause is the matching of chip and package integrity. In the case of limited chip reliability improvement, HTRB soft failure is solved by improving package moisture sensitivity and the ion contamination. At the same time, the prevention of package moisture sensitivity failure in design phase is discussed systematically.

Key words: hightemperaturereversebias, reliability, packagemoisturesensitivity, ioncontamination

中图分类号:

TN306

胡敏;彭俊睿. 肖特基二极管高温反向偏置失效分析与改善[J]. 电子与封装, 2022, 22(3): 030401 .

HU Min, PENG Junrui. Schottky Diode HighTemperature Revise Bias Failure Analysis and Improvement[J]. Electronics & Packaging, 2022, 22(3): 030401 .

参考文献

[1] HARPER CHARLES A. 电子封装材料与工艺[M]. 沈卓身，贾松良，等译. 北京：电子工业出版社，2006.02: 459.
[2] JEDEC. Moisture/Reflow Sensitity Classification for Nonhermetic Surface Mount Device[S]. IPC/JEDEC J-STD-020E, December 2014.
[3] LYCOUDES NICHOLAS E, CHILDERS ClARENCE C.Semiconductor Instability Failure Mechanisms Review[C]// IEEE Transactions of Reliability, VOL.R-29, No.3, August 1980.
[4] 马清桃，王伯淳，王瑞崧. 塑封器件分层检查不合格原因探讨[J]. 电子与封装, 2019, 19(10)：13-16.
[5] 李进，朱浩. SOP8分层探究及解决[J]. 电子与封装, 2019, 19(4)：10-18.
[6] 杨文杰，王霞，王荣，等.塑封器件分层问题浅析[J]. 电子工业专用设备, 2016(10)：26-29.
[7] 梁志宗. 多功能一次性压舌板：中国,92214985.2[P]. 1993-04-14.
[8] 梁志宗. 改善半导体塑料封体内元器件分层的封装方法：中国, 200710022347 .6 [P]. 2007-11-21
[9] 阳小芮，将慜佶. 改善框架表面与塑封体分层的引线框架及封装体：中国,201610415234 .1 [P]. 2016-09-14.

彭俊睿(1992—)，男，四川宜宾人，硕士，现从事半导体封装测试相关技术工作。

中文引用格式：胡敏，彭俊睿. 肖特基二极管高温反向偏置失效分析与改善[J]. 电子与封装，2022，22（3）：030401.
英文引用格式：HU Min, PENG Junrui. Plastic packaging moisture sensitivity and ion contamination study[J]. Electronics & Packaging, 2022, 22(3): 030401.
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[1]	张俊,程佳,林子群,徐延伸. 光伏二极管应用可靠性建模与评价研究[J]. 电子与封装, 2023, 23(9): 90405-.
[2]	王刘珏, 顾林, 郑利华, 李居强. 纳米银焊膏贴装片式电阻的可靠性研究^*[J]. 电子与封装, 2023, 23(8): 80204-.
[3]	陈婷, 周伟洁, 王涛. 微波等离子处理对导电胶可靠性的影响[J]. 电子与封装, 2023, 23(8): 80206-.
[4]	沈丹丹. 先进封装中凸点技术的研究进展[J]. 电子与封装, 2023, 23(6): 60208-.
[5]	李嘉威;吴楚彬;王超;孙杰杰;杨霄垒;赵桂林. 应用于STT-MRAM存储器的高可靠灵敏放大器设计[J]. 电子与封装, 2023, 23(4): 40306-.
[6]	申九林, 马书英, 郑凤霞, 王姣, 魏浩. 基于硅基扇出（eSiFO^®）技术的先进指纹传感器晶圆级封装工艺开发[J]. 电子与封装, 2023, 23(3): 30111-.
[7]	马力, 项敏, 石磊, 郑子企. 高端性能封装技术的某些特点与挑战[J]. 电子与封装, 2023, 23(3): 30109-.
[8]	刘少红；谭淇. 芯片返修回流焊可靠性改善研究进展[J]. 电子与封装, 2022, 22(8): 80206-.
[9]	张贺;冯佳运;丛森;王尚;安荣;吴朗;田艳红. 表面贴装锡基焊点长期贮存可靠性及寿命预测研究[J]. 电子与封装, 2022, 22(7): 70201-.
[10]	白志强, 张玉明, 汤晓燕, 沈应喆, 徐会源. 4H-SiC功率MOSFET可靠性研究进展^*[J]. 电子与封装, 2022, 22(4): 40101-.
[11]	杨青;李宁. 微波PIN二极管复合介质膜钝化技术的研究[J]. 电子与封装, 2022, 22(12): 120401-.
[12]	王殿年;李泽亮;郭本东;段嘉伟. 第三代半导体器件用高可靠性环氧塑封料的制备[J]. 电子与封装, 2022, 22(11): 110202-.
[13]	曹玉翠, 李泽田, 胡林江, 张峰. 基于加速寿命试验的磁耦隔离器耐压寿命评价方法[J]. 电子与封装, 2022, 22(10): 100403-.
[14]	胡敏. LDO失效分析及改善[J]. 电子与封装, 2022, 22(1): 10206-.
[15]	张潇睿. 基于不同键合参数的Cu-Sn-Cu微凸点失效模式分析[J]. 电子与封装, 2022, 22(1): 10201-.

中国半导体行业协会封装分会会刊

中国电子学会电子制造与封装技术分会会刊

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