一种二次补偿的带隙电压基准

doi:10.16257/j.cnki.1681-1070.2019.0608

电子与封装 ›› 2019, Vol. 19 ›› Issue (6): 029 -31. doi: 10.16257/j.cnki.1681-1070.2019.0608

一种二次补偿的带隙电压基准

陈光华¹，陈俊飞²，高博²

1.四川大学物理科学与技术学院微电子技术四川省重点实验室，成都 610064；2.四川邮电职业技术学院，成都 610066

收稿日期:2019-01-08 出版日期:2019-06-19 发布日期:2019-06-19
作者简介:陈光华（1980—），男，四川成都人，硕士研究生，四川邮电职业技术学院讲师，通信工程师，从事指纹识别算法、芯片系统架构研究与实现方面的工作。

A Quadratic Compensated Bandgap Voltage Reference

CHEN Guanghua¹,CHEN Junfei²,GAO Bo²

1.Sichuan key Laboratory of Microelectronics,College of Physics and Technology,Sichuan University，Chengdu 610064,China；2.Sichuan Vocational College of Posts and Telecommunications,Chengdu 610066,China

Received:2019-01-08 Online:2019-06-19 Published:2019-06-19

摘要/Abstract

摘要： 为了降低带隙基准电压源的温漂系数，设计了一种采用β 倍增器电流源和IPTAT²电流源作为二次曲率补偿技术的超低温漂基准电压源。运用SMIC 0.18 μm 工艺，仿真结果表明，在-40～85 ℃，该基准电压源的温漂系数为0.336×10^-6/℃,大大降低了温度对电压源的影响。

关键词: 带隙基准, 温度系数, β 倍增器电流源, IPTAT²电流源

Abstract: In order to reduce the temperature drift coefficient of the bandgap reference voltage source，an ultra-low temperature drift reference voltage source was designed using a beta multiplier current source and an IPTAT² current source as a quadratic curvature compensation technique.The simulation results of SMIC 0.18 μm process show that the temperature drift coefficient of the reference voltage source is 0.336×10^-6/℃at-40～85 ℃,which greatly reduces the influence of temperature on the voltage source.

Key words: bandgap reference, temperature system, β multiplier current source, IPTAT²current source

中图分类号:

TN402

陈光华，陈俊飞，高博. 一种二次补偿的带隙电压基准[J]. 电子与封装, 2019, 19(6): 029 -31.

CHEN Guanghua,CHEN Junfei,GAO Bo. A Quadratic Compensated Bandgap Voltage Reference[J]. Electronics & Packaging, 2019, 19(6): 029 -31.

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中国半导体行业协会封装分会会刊

中国电子学会电子制造与封装技术分会会刊

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