摘要： 基于南京电子器件研究所的100 nm GaN高电子迁移率晶体管 (HEMT)工艺，研制了6~18 GHz宽带低噪声放大器。低噪声单片电路采用了三级结构，偏置电压为12 V，电流约为70 mA时，在6~18 GHz频带内噪声系数小于1.7 dB，增益大于25 dB，驻波比小于2，1 dB增益压缩点输出功率带内最小值约为10 dBm。前两级采用电流复用结构，降低了功耗；后级采用并联反馈结构，改善带内增益平坦度。芯片尺寸为2.0 mm × 1.35 mm。
中图分类号:
李建平，吴少兵. 100 nm GaN基6~18 GHz低噪声放大器的研制[J]. 电子与封装, 2019, 19(9):
028 -31.
Li Jianping，Wu Shaobing. Research and Development of a 6-18 GHz Low Noise Amplifier Based on 100 nm GaN[J]. Electronics & Packaging, 2019, 19(9):
028 -31.
