应用于OTP单元的高可靠性 MTM反熔丝特性

doi:10.16257/j.cnki.1681-1070.2017.0036

电子与封装 ›› 2017, Vol. 17 ›› Issue (3): 36 -39. doi: 10.16257/j.cnki.1681-1070.2017.0036

应用于OTP单元的高可靠性 MTM反熔丝特性

徐海铭，王印权，郑若成，洪根深

中国电子科技集团公司第58研究所，江苏无锡 214072

收稿日期:2016-10-31 出版日期:2017-03-20 发布日期:2017-03-20
作者简介:徐海铭（1983—），男，山东青岛人，毕业于江南大学微电子与固体电子学专业，现就职于中国电子科技集团公司第58研究所，主要从事MTM反熔丝单元结构设计、工艺开发及可靠性研究等工作。

Characterization of a Highly Reliable Metal-to-Metal Antifuse for OTP Unit

XU Haiming, WANG Yinquan, ZHENG Ruocheng, HONG Genshen

China Electronics Technology Group Corporation No.58 Research Institute,Wuxi 214072,China

Received:2016-10-31 Online:2017-03-20 Published:2017-03-20

摘要/Abstract

摘要： 主要研究了一种新型MTM反熔丝结构的电特性，未编程反熔丝漏电和击穿以及编程特性，有助于电路的编程电流设计，也为反熔丝击穿和漏电的标准制定提供参考。该研究对电极和温度特性的应用也有十分重要的意义。

关键词: 反熔丝, 编程, OTP, MTM

Abstract: In the paper, electrical characteristics of a new Metal-to-Metal antifuse structure is studied. The characteristics of unprogrammed antifuse leakage, breakdown and programming are significant to programming current design and provide reference for standards setting.

Key words: antifuse, programmed, OTP, MTM

中图分类号:

TN403

徐海铭，王印权，郑若成，洪根深. 应用于OTP单元的高可靠性 MTM反熔丝特性[J]. 电子与封装, 2017, 17(3): 36 -39.

XU Haiming, WANG Yinquan, ZHENG Ruocheng, HONG Genshen. Characterization of a Highly Reliable Metal-to-Metal Antifuse for OTP Unit[J]. Electronics & Packaging, 2017, 17(3): 36 -39.

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中国半导体行业协会封装分会会刊

中国电子学会电子制造与封装技术分会会刊

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Characterization of a Highly Reliable Metal-to-Metal Antifuse for OTP Unit

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