中国半导体行业协会封装分会会刊

中国电子学会电子制造与封装技术分会会刊

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电子与封装 ›› 2017, Vol. 17 ›› Issue (11): 15 -18. doi: 10.16257/j.cnki.1681-1070.2017.0129

• 封装、组装与测试 • 上一篇    下一篇

LDO芯片CP通用测试方法研究

唐彩彬,张凯虹   

  1. 中国电子科技集团公司第五十八研究所,江苏无锡 214035
  • 收稿日期:2017-06-29 出版日期:2017-11-20 发布日期:2017-11-20
  • 作者简介:唐彩彬(1990—),男,江苏泰州人,硕士研究生,毕业于江南大学集成电路工程专业,现在中国电子科技集团公司第五十八研究所从事集成电路测试研发工作。

Research on General CP Test Method of LDO Chip

TANG Caibin,ZHANG Kaihong   

  1. China Electronics Technology Corporation No.58 Research Institute,Wuxi 214035,China
  • Received:2017-06-29 Online:2017-11-20 Published:2017-11-20

摘要: 介绍了LDO(线性稳压器)的通用测试方法。基于长川CTA8280测试系统,通过对芯片CP(圆测试)要求进行分析,设计了某款LDO芯片的测试外围,实现了对该LDO芯片功能与性能的测试。该方案能够作为通用测试方法供LDO芯片测试设计参考。

关键词: LDO, CTA8280, CP, 熔丝

Abstract: Introduced a general test method of LDO(Low Drop Out)Circuit Probingtest.In the paper,based on the CTA8280 test system,by analyzing the requirements of LDO wafer test,the chip peripheral test circuit is designed,which is able to realize testing the function and performance of the LDO chip.This scheme can be usedasa general test method for reference of LDO chiptest design.

Key words: LDO, CTA8280, CP, fuse

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