二极管光生电流影响因素的仿真研究

doi:10.16257/j.cnki.1681-1070.2018.0067

电子与封装 ›› 2018, Vol. 18 ›› Issue (6): 33 -37. doi: 10.16257/j.cnki.1681-1070.2018.0067

二极管光生电流影响因素的仿真研究

刘承芳¹，孙　鹏^{2, 3}，高吴昊¹，夏　云¹，左慧玲¹，陈万军¹

1. 电子科技大学电子薄膜与集成器件国家重点实验室，成都 610054；2. 中国工程物理研究院微系统与太赫兹研究中心，成都 610200； 3. 中国工程物理研究院电子工程研究所，四川绵阳 621999

出版日期:2018-06-20 发布日期:2020-02-19
作者简介:刘承芳（1992—），女，四川资阳人，电子科技大学硕士研究生，研究方向为新型功率半导体器件与集成电路和系统。

Simulation Study on the Influence Factors of Diode Photocurrent

LIU Chengfang¹, SUN Peng^2,3, GAO Wuhao¹, XIA Yun¹, ZUO Huiling¹, CHEN Wanjun¹

1.State Key Laboratory of Electronic Thin Film and Integrated Devices, UESTC, Chengdu 610054, China； 2. Microsystem & Terahertz Research Center, China Academy Of Engineering Physics, Chengdu 610200, China； 3. Institute of Electronic Engineering, China Academy Of Engineering Physics, Mianyang 621999, China

Online:2018-06-20 Published:2020-02-19

摘要/Abstract

摘要： 通过TCAD二维仿真工具模拟光辐照环境，对二极管的光辐照响应进行了仿真研究。首先完成了相关仿真电路的搭建并列出了电路元件及二极管的结构参数，然后对光吸收的概念进行了解释并详细说明了如何在仿真软件中表示光照参数，在不超过硅材料本征吸收限的光照波长领域中，对二极管光生电流的影响因素进行了仿真研究，并给出了相关结论。扩大了光照波长的研究范围，为以后进一步研究硅器件的光辐照响应奠定了良好的基础。

关键词: 二极管, 光生电流, 光辐照, 二维仿真, 影响因素

Abstract: Through 2D TCAD simulation establishing light irradiation environment, simulated the light irradiation response of diodes. In this paper, completed the construction of the relevant circuit and listed the structural parameters of the circuit components and diodes firstly. Afterwards, the concept of optics absorption is described and the presentation of optics parameters in software is explained in detail. In the field of short-wavelength light, studied on the influencing factors of diode photocurrent and provided related conclusions. Expanded the research scope of optical wavelengths, laying a great foundation for further research on the light irradiation response of silicon devices.

Key words: diode, photocurrent, light irradiation, 2D simulation, influence factors

中图分类号:

TN31

刘承芳, 孙　鹏, 高吴昊, 夏　云, 左慧玲, 陈万军. 二极管光生电流影响因素的仿真研究[J]. 电子与封装, 2018, 18(6): 33 -37.

LIU Chengfang, SUN Peng, GAO Wuhao, XIA Yun, ZUO Huiling, CHEN Wanjun. Simulation Study on the Influence Factors of Diode Photocurrent[J]. Electronics & Packaging, 2018, 18(6): 33 -37.

[1]	刘超铭;王雅宁;魏轶聃;王天琦;齐春华;张延清;马国亮;刘国柱;魏敬和;霍明学. SiC功率器件辐照效应研究进展[J]. 电子与封装, 2022, 22(6): 60101-.
[2]	米丹;周昕杰;周晓彬;何正辉;卢嘉昊. 深亚微米SOI工艺ESD防护器件设计[J]. 电子与封装, 2021, 21(5): 50401-.
[3]	陈全胜, 张明, 彭时秋, 陈培仓, 王涛, 贺琪. 硅基雪崩光电二极管技术及应用^*[J]. 电子与封装, 2021, 21(3): 30101-.
[4]	冒国均, 边炜钦, 薛海卫, 杨光安. 基于SOI工艺的二极管瞬时剂量率效应数值模拟[J]. 电子与封装, 2021, 21(3): 30403-.
[5]	高嘉平, 王彬, 司耸涛, 虞勇坚. 热插拔损伤电路的失效分析及整改^*[J]. 电子与封装, 2021, 21(12): 120105-.
[6]	杨晓菲;于凯;董妮;荆海燕;刘爽. 3300 V混合SiC IGBT模块研制与性能分析*[J]. 电子与封装, 2021, 21(11): 110403-.
[7]	明思汀,王多为,唐常钦,马瑶,李芸,杨治美,黄铭敏,龚敏. 齐纳二极管电子辐照特性研究[J]. 电子与封装, 2020, 20(5): 50402-.
[8]	彭荣. OLED 封装薄膜水汽透过率测试方法研究[J]. 电子与封装, 2020, 20(2): 20203-.
[9]	左慧玲，高吴昊，刘承芳，夏云，孙鹏，陈万军. VNPN 激光辐射效应模拟分析[J]. 电子与封装, 2019, 19(6): 41-46.
[10]	程　亮，赵子龙. 用于OLED驱动电路的振荡器设计[J]. 电子与封装, 2019, 19(4): 24-27.
[11]	潘文宾，黄宇程，王银海，杨帆. 高压大功率FRD用硅外延片厚度测量方法[J]. 电子与封装, 2019, 19(12): 46-50.
[12]	刘祥晟，张明，高向东. 光MOS继电器中的光电管设计[J]. 电子与封装, 2018, 18(10): 44-47.
[13]	石青宏，刘瑞庆，黄伟. Ni(W)Si/Si肖特基势垒二极管电学特性研究[J]. 电子与封装, 2017, 17(6): 41-44.
[14]	叶珂，乔明. 一种NiO薄膜的新型制备方法及其应用[J]. 电子与封装, 2016, 16(5): 31-34.

中国半导体行业协会封装分会会刊

中国电子学会电子制造与封装技术分会会刊

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