基于EMMI技术的GaAs多功能芯片的失效分析

doi:10.16257/j.cnki.1681-1070.2018.0126

电子与封装 ›› 2018, Vol. 18 ›› Issue (11): 40 -43. doi: 10.16257/j.cnki.1681-1070.2018.0126

基于EMMI技术的GaAs多功能芯片的失效分析

周舟，林罡，于永洲，郭啸，贾洁

南京电子器件研究所，南京 210016

收稿日期:2018-07-05 出版日期:2018-11-20 发布日期:2018-11-20
作者简介:周舟（1987—），男，江苏盐城人，2012年毕业于北京工业大学微电子器件可靠性专业，硕士学历，现为南京电子器件研究所工程师，主要研究方向为化合物半导体器件可靠性。

Failure Analysis of GaAs MFC Based on EMMI

ZHOU Zhou,LIN Gang,YU Yongzhou,GUO Xiao,JIA Jie

Nanjing Electronic Devices Institute,Nanjing 210016,China

Received:2018-07-05 Online:2018-11-20 Published:2018-11-20

摘要/Abstract

摘要： GaAs多功能MMIC应用于微波毫米波整机系统，替代了以往多个单功能MMIC链接而成的方式，且技术愈发成熟。通过对GaAs多功能MMIC产品的失效分析，发现芯片工艺制程中的易发问题，以不断提升产品良率。借助EMMI（红外微光显微镜）技术，对一款GaAs多功能芯片某移相态不能恢复的故障现象进行分析，定位了失效点。结合微区结构分析在失效位置找出工艺缺陷，阐述了该缺陷造成芯片失效的过程和机理，并提出工艺制程改进方案。

关键词: GaAs, 多功能MMIC, 红外微光显微镜, 失效分析

Abstract: GaAs multi-functional MMIC (MFC),the technology of which becoming more sophisticated,has replaced the combination of several single-function MMICs applied to microwave system.Through the failure analysis of MFC products,find out the technology problems existing in chip-manufacturing process,and improve the yield of products.In this paper,we analyze the phenomenon where a phase-shift channel within a GaAs MFC chip is unrecoverable by means of Emission Microscope,and ascertain the failure point.Locate the defect by further microstructure analysis,describe the process and mechanism of chip failure induced by this defectand propose an improvementplan in manufacturing processatlast.

Key words: GaAs, multi-functionalMMIC, emission microscope, failure analysis

中图分类号:

TN406
TN432

周舟，林罡，于永洲，郭啸，贾洁. 基于EMMI技术的GaAs多功能芯片的失效分析[J]. 电子与封装, 2018, 18(11): 40 -43.

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中国半导体行业协会封装分会会刊

中国电子学会电子制造与封装技术分会会刊

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Failure Analysis of GaAs MFC Based on EMMI

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