抑制CMOS输出端口反向漏电设计

doi:10.16257/j.cnki.1681-1070.2022.1008

电子与封装 ›› 2022, Vol. 22 ›› Issue (10): 100303 . doi: 10.16257/j.cnki.1681-1070.2022.1008

抑制CMOS输出端口反向漏电设计

叶宗祥¹;史良俊²

1. 中国电子科技集团公司第五十五研究所，南京 ?210096；2. 无锡力芯微电子股份有限公司，江苏无锡 ?214028

收稿日期:2022-03-07 出版日期:2022-10-26 发布日期:2022-05-12
作者简介:叶宗祥（1977—），男，江苏南京人，本科，工程师，主要研究方向为射频电路设计。

Design of Suppressing Reverse Leakage of CMOS Output Port

YE Zongxiang¹, SHI Liangjun²

1. China Electronics Technology Corporation No. 55 ResearchInstitute, Nanjing 210096, China; 2. Wuxi Etek Micro-Electronic Co., Ltd., Wuxi 214028, China

Received:2022-03-07 Online:2022-10-26 Published:2022-05-12

摘要/Abstract

摘要： 提出了抑制CMOS输出端口反向漏电的结构，当电源端接地或者悬空，CMOS输出端口接高电平时，通过优化控制逻辑，由输出端口为电路提供电源电压，从而抑制了输出端口对电源端口的漏电。以华润微电子0.25 μm 5 V工艺实现电路版图并流片，典型漏电为0.01 μA。

关键词: 反向漏电抑制, CMOS输出端口, 电源不上电

Abstract: A structure to suppress the reverse leakage of CMOS output port is proposed. When the power terminal is grounded or suspended, and the CMOS output port is connected to a high level, the output port provides the power voltage for the circuit by optimizing the control logic, so as to suppress the leakage of output port to power port. Based on China Resources Microelectronics 0.25 μm 5 V process, parallel flow of circuit layout is realized, and the typical leakage is 0.01 μA.

Key words: reverse leakage suppression, CMOS output port, no power on

中图分类号:

TN492

叶宗祥, 史良俊. 抑制CMOS输出端口反向漏电设计[J]. 电子与封装, 2022, 22(10): 100303 .

YE Zongxiang, SHI Liangjun. Design of Suppressing Reverse Leakage of CMOS Output Port[J]. Electronics & Packaging, 2022, 22(10): 100303 .

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中国半导体行业协会封装分会会刊

中国电子学会电子制造与封装技术分会会刊

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