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绿色含溴阻燃剂在环氧塑封料中的应用研究*
王璐, 常白雪, 岳艺宇, 吴宇林, 吴昊, 陈淑静, 刘金刚
绿色阻燃是集成电路芯片封装用环氧塑封料（EMC）的基本性能需求之一。传统的含溴环氧树脂、酚醛固化剂以及阻燃剂等由于受到欧盟《关于在电子电气设备中限制使用某些有害物质指令》的限制而无法应用于EMC制造中。尝试采用环境友好型含溴树脂——溴化聚（苯乙烯-丁二烯-苯乙烯）（PolyFR?）作为阻燃剂，研究了其在EMC中的阻燃行为。研究结果显示，当PolyFR?阻燃剂在EMC中的质量分数达到0.6%时，EMC的阻燃级别达到UL94 V0级。同时，在该添加量下，PolyFR?的引入未对EMC的螺旋流动长度与胶化时间，以及EMC固化物的热性能、粘接性能和力学性能产生不利影响。
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王璐, 常白雪, 岳艺宇, 吴宇林, 吴昊, 陈淑静, 刘金刚. 绿色含溴阻燃剂在环氧塑封料中的应用研究*[J]. 电子与封装, 2022, 22(10): 100201-.
WANG Lu, CHANG Baixue, YUE Yiyu, WU Yulin, WU Hao, CHEN Shujing, LIU Jingang. Research on the Application of Eco-Friendly Bromo-Containing Flame Retardantsin Epoxy Molding Compounds[J]. Electronics & Packaging, 2022, 22(10): 100201-.
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硅微粉球形度对环氧模塑料熔体流动性的影响
陈晓飞
硅微粉是电子封装用环氧模塑料的重要组成成分，外形尺寸及级配等因素会严重影响环氧模塑料的加工及物理性能，尤其是环氧模塑料的熔体流动性。目前国内外对硅微粉的球形度没有统一的标准，更没有硅微粉球形度对环氧模塑料熔体流动性影响方面的报道。通过在球形硅微粉中添加角形硅微粉的方式能很好地表征硅微粉的球形度，从而研究和分析不同球形度的硅微粉对环氧模塑料熔体流动性的影响。
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陈晓飞. 硅微粉球形度对环氧模塑料熔体流动性的影响[J]. 电子与封装, 2022, 22(10): 100202-.
CHEN Xiaofei. Effect of Sphericityof Silica Powder on Melt Flow of Epoxy Molding Compound[J]. Electronics & Packaging, 2022, 22(10): 100202-.
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面向毫米波射频互联的超低弧金丝球焊工艺方法研究
张平升, 朱晨俊, 文泽海, 汤泉根
引线键合工艺是实现毫米波射频（RF）组件互联的关键手段之一。随着毫米波子系统的快速发展，毫米波组件的工作频段越来越高，对射频通道互联金丝的拱高提出了新的要求。过高的引线弧度会使得系统驻波变大，严重影响电路的微波特性。球焊工艺由于引线热影响区的存在，难以满足射频互联中短跨距、低弧高的需求。采用弯折式超低弧弧形工艺，通过对25 μm金丝热超声球焊成弧过程中各关键参数的优化试验，将热影响区折叠键合在第一焊点上，在保证引线强度的前提下，实现了300 μm短跨距、80 μm超低弧高的金丝互联，为球焊工艺在毫米波射频组件互联中的应用提供了实现思路。
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张平升, 朱晨俊, 文泽海, 汤泉根. 面向毫米波射频互联的超低弧金丝球焊工艺方法研究[J]. 电子与封装, 2022, 22(10): 100203-.
ZHANG Pingsheng, ZHU Chenjun, WEN Zehai, TANG Quangen. Research on Ultra-Low Loop Gold Wire Ball BondingTechnology in Millimeter-Wave RF Interconnection[J]. Electronics & Packaging, 2022, 22(10): 100203-.
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eFuse熔丝电阻值的测量方法
晏颖, 张睿
作为电编程熔丝（eFuse）中的存储介质，熔丝的电阻值用来表征所存储的数据。2种采用5端口法设计的测试单元被用来测量eFuse单元中熔丝的电阻值以及编程控制管的特性参数，并应用于后续通过测试芯片测量eFuse中熔丝电阻的方案中，以间接测量eFuse编程通路的电阻值并消除漏电电流影响的方式准确推算出熔丝的电阻值。最后，提出了一种在常规eFuse中增加辅助电路来测量熔丝电阻值的设计方案及测量方法。
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晏颖, 张睿. eFuse熔丝电阻值的测量方法[J]. 电子与封装, 2022, 22(10): 100204-.
YAN Ying, ZHANG Rui. Method for Measurement of FuseResistance Value in eFuse[J]. Electronics & Packaging, 2022, 22(10): 100204-.
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FPGA分布式系统的固件升级设计
周云松, 黄维雄, 刘骁知, 范晋文
设计了一种大规模使用FPGA作为主要器件构建分布式系统的固件升级方案，并涵盖了软硬件设计。为了降低系统调试和维护期间固件升级的复杂程度，提高调试及固件升级效率，设计了一种解决方案。采用Xilinx
FPGA的SelectMap配置方式，使用DSP作为主处理器为FPGA提供加载驱动，万兆以太网及万兆以太网交换机为系统提供组网能力，使整个系统具备使用PC上位机进行固件一键升级的能力，可在相控阵雷达等系统上进行应用。
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周云松, 黄维雄, 刘骁知, 范晋文. FPGA分布式系统的固件升级设计[J]. 电子与封装, 2022, 22(10): 100301-.
ZHOU Yunsong, HUANG Weixiong, LIU Xiaozhi, FAN Jinwen. FirmwareUpgrade Design for FPGA Distributed System[J]. Electronics & Packaging, 2022, 22(10): 100301-.
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应用于14 bit逐次逼近型ADC的前台数字校准算法*
赵越超, 张理振, 刘海涛
介绍了一种应用于14 bit逐次逼近型模数转换器（SAR ADC）的前台数字校准算法。为了减少面积并提高匹配精度，采用了电容阵列式的数模转换器（DAC）架构；为了提高ADC的信噪比，采用了差分输入的结构；而针对电容阵列中电容失配对ADC性能的影响，提出了一种可存储，可对电容误差进行纠正的前台数字算法。使用接近理想的DAC阵列对失配较大的电容阵列进行误差纠正迭代，并通过1024次的累加迭代消除了噪声，得到了真实的电容权重。在校准之后，信噪失真比（SNDR）达到了82 dB，无杂散动态范围（SFDR）达到了93 dB。
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赵越超, 张理振, 刘海涛. 应用于14 bit逐次逼近型ADC的前台数字校准算法*[J]. 电子与封装, 2022, 22(10): 100302-.
ZHAO Yuechao, ZHANG Lizheng, LIU Haitao. Foreground Digital Calibration Algorithmfor 14 bit Successive Approximation ADC[J]. Electronics & Packaging, 2022, 22(10): 100302-.
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抑制CMOS输出端口反向漏电设计
叶宗祥, 史良俊
提出了抑制CMOS输出端口反向漏电的结构，当电源端接地或者悬空，CMOS输出端口接高电平时，通过优化控制逻辑，由输出端口为电路提供电源电压，从而抑制了输出端口对电源端口的漏电。以华润微电子0.25 μm 5 V工艺实现电路版图并流片，典型漏电为0.01 μA。
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叶宗祥, 史良俊. 抑制CMOS输出端口反向漏电设计[J]. 电子与封装, 2022, 22(10): 100303-.
YE Zongxiang, SHI Liangjun. Design of Suppressing Reverse Leakage of CMOS Output Port[J]. Electronics & Packaging, 2022, 22(10): 100303-.
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用于网络处理芯片的片上电源产生电路设计
闫振林, 温芝权, 张兵, 靳新波, 史顺达
设计了一种用于网络处理芯片的片上电源产生电路，它包括高精度带隙基准电路、缓冲驱动电路、4个快速响应低压差线性稳压器（LDO）电路和异常检测电路。该电路通过4个LDO分别给存储器、搜索引擎算法内核、时钟管理和控制逻辑独立供电，提高了细分功能模块的电源稳定性。异常检测电路在电路异常时产生错误信号，快速关断电源，提高整体芯片供电可靠性。电路采用28 nm工艺实现。测试结果表明，该电路提供的最大负载电流达200 mA，满足网络芯片系统需求。
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闫振林, 温芝权, 张兵, 靳新波, 史顺达. 用于网络处理芯片的片上电源产生电路设计[J]. 电子与封装, 2022, 22(10): 100304-.
YAN Zhenlin, WEN Zhiquan, ZHANG Bing, JIN Xinbo, SHI Shunda. Design of on-Chip Power Generation Circuit for Networking Processing Chip[J]. Electronics & Packaging, 2022, 22(10): 100304-.
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采用反馈时钟检测的锁相环校准电路设计
张礼怿, 张沁枫, 俞阳, 卓琳
采用反馈时钟进行频率检测，设计了一种应用于高频、低抖动频率综合器中的锁相环校准电路。相较于采用参考时钟计数的传统频率校准方法，该方法提高了频率校准精度。配合幅度校准电路交替进行压控振荡器幅度校准和频率校准，可以选取最优幅度和频率控制字，有效提高系统输出时钟抖动性能。高精度频率检测电路和幅度检测电路的电源电压为3.3 V，压控振荡器调谐频率范围为2.7~3.1
GHz，压控增益范围为10~15
MHz，初始频率和幅度控制字及最大输出幅度限制可配置。
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张礼怿, 张沁枫, 俞阳, 卓琳. 采用反馈时钟检测的锁相环校准电路设计[J]. 电子与封装, 2022, 22(10): 100305-.
ZHANG Liyi, ZHANG Qinfeng, YU Yang, ZHUO Lin. Design of Calibration Circuit Using Feedback ClockDetection for Phase Locked Loop[J]. Electronics & Packaging, 2022, 22(10): 100305-.
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基于双极工艺的高速MOSFET栅驱动电路
邱旻韡, 屈柯柯, 李思察, 郭刚
基于2 μm双极工艺设计了全新的高速功率栅驱动电路，并内置了死区时间控制电路，该电路可以防止驱动器内部电源接地形成短路而烧毁器件。工作电压范围为5~35 V，传输上升延迟时间不大于32 ns，下降延迟时间不大于25 ns，上升、下降建立时间不超过10 ns，工作电流不超过45 mA。
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邱旻韡, 屈柯柯, 李思察, 郭刚. 基于双极工艺的高速MOSFET栅驱动电路[J]. 电子与封装, 2022, 22(10): 100306-.
QIU Minwei, QU Keke, LI Sicha, GUO Gang. High Speed MOSFET Gate Drive Circuitwith Bipolar Process[J]. Electronics & Packaging, 2022, 22(10): 100306-.
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一种带曲率补偿的低温漂带隙基准源设计
吴舒桐, 孔玉礼, 王祖锦
为满足高速高精度射频电路要求，设计了一款新型带高温曲率补偿的低温漂、高电源抑制比的带隙基准电压源。为避免运放的失调电压对基准源精度产生影响，电路没有采用运放结构生成基准电压。利用双极型晶体管基极-发射极电压VBE的负温度特性，在高温时对基准电压进行曲率补偿，减小基准电压的温漂。电路基于180 nm BiCMOS工艺线，采用Cadence仿真验证。在-40~85 ℃温度范围内，5 V电源电压下，温度系数为5.7×10-6/℃，电源电压抑制比可达到88 dB。
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吴舒桐, 孔玉礼, 王祖锦. 一种带曲率补偿的低温漂带隙基准源设计[J]. 电子与封装, 2022, 22(10): 100307-.
WU Shutong, KONG Yuli, WANG Zujin. Low Temperature Drift BandgapReference Source Design with Curvature Compensation[J]. Electronics & Packaging, 2022, 22(10): 100307-.
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增强型GaN HEMT器件的实现方法与研究进展*
穆昌根, 党睿, 袁鹏, 陈大正
考虑到实际应用对可靠性、设计成本及能耗的要求，增强型GaN高电子迁移率晶体管（HEMT）器件比传统耗尽型GaN HEMT器件优势更显著。目前有许多方法可以实现增强型GaN HEMT器件，如使用p型栅技术、凹栅结构、共源共栅（Cascode）结构、氟离子体处理法、薄势垒AlGaN层以及它们的改进结构等。分别对使用以上方法制备的增强型GaN
HEMT器件进行了综述，并对增强型GaN HEMT器件的最新研究进展进行了总结，探索未来增强型GaN HEMT器件的发展方向。
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穆昌根, 党睿, 袁鹏, 陈大正. 增强型GaN HEMT器件的实现方法与研究进展*[J]. 电子与封装, 2022, 22(10): 100401-.
MU Changgen, DANG Rui, YUAN Peng, CHENG Dazheng. Implementation Methods and Research Progress of Enhanced GaN HEMTDevices[J]. Electronics & Packaging, 2022, 22(10): 100401-.
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SOI基光波导传输损耗的研究
李逸康, 张有润, 葛超洋, 汪煜, 张波
SOI基光波导中直波导的传输损耗包括模式失配损耗、内部散射损耗和表面散射损耗。为了研究直波导的传输损耗中3种损耗所占的比例，制作了相同宽度的条形和脊形波导，仿真分析和测试了2种波导的传输损耗。对于1550 nm的光，测试得到条形波导和脊形波导的传输损耗分别为?2.4 dB·cm?1和?2.0 dB·cm?1，同样截面且忽略杂质缺陷和表面粗糙程度的理想波导的损耗均接近于0。通过对这些数据的分析，计算出条形波导表面散射损耗为?1.42 dB·cm?1，占总体损耗的59.2%，内部散射损耗为?0.98 dB·cm?1，占总体的40.8%。
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李逸康, 张有润, 葛超洋, 汪煜, 张波. SOI基光波导传输损耗的研究[J]. 电子与封装, 2022, 22(10): 100402-.
LI Yikang, ZHANG Yourun, GE Chaoyang, WANG Yu, ZHANG Bo. Study on Propagation Loss of SOI-Based Optical Waveguide[J]. Electronics & Packaging, 2022, 22(10): 100402-.
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基于加速寿命试验的磁耦隔离器耐压寿命评价方法
曹玉翠, 李泽田, 胡林江, 张峰
为解决磁耦隔离器耐压寿命评估的实际需求，研究了适用于磁耦隔离器的加速寿命试验与寿命评估方法。研究了影响磁耦隔离器耐压寿命的关键因素，分析加速寿命试验的可行性与加速模型的选取。合理设计加速寿命试验方案中的应力类型、应力水平、截尾时间等，并按照设计的试验电路方案进行试验。利用采集到的试验数据，结合加速模型推出电压-寿命之间的关系，实现磁耦隔离器耐压寿命的评估和可靠性评价。
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曹玉翠, 李泽田, 胡林江, 张峰. 基于加速寿命试验的磁耦隔离器耐压寿命评价方法[J]. 电子与封装, 2022, 22(10): 100403-.
CAO Yucui, LI Zetian, HU Linjiang, ZHANG Feng. Evaluation Method of Withstand VoltageLife of Magnetic Coupling Isolator Based on Accelerated Life Test[J]. Electronics & Packaging, 2022, 22(10): 100403-.
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