本期封面报道单位 CISSOID
封面文章 碳化硅器件挑战现有封装技术
中文引用格式：曹建武，罗宁胜，Pierre Delatte，Etienne Vanzieleghem，Rupert Burbidge. 碳化硅器件挑战现有封装技术[J]. 电子与封装, 2022, 22(2): 020102.
业界正从新型材料、新型焊接或烧结工艺等方面展开探索，来应对碳化硅器件移动应用（高功率密度、高温）给封装技术带来的全新挑战。近期的主要发展表现在各种“铜基同质连接”和“银烧结”等方面；此外，封装的叠层结构、封装的离散化则展示了封装技术的其他“非典型”的演化路径；最后，封装的高温化，已经成为必然的趋势。
过去，功率半导体片芯的表面常见为铝质金属化。但是，铝的刚度较高而柔韧性和延展性不足，铜铝结合面的宽幅度热电循环寿命欠佳，且铝与半导体基材的热膨胀系数失配偏大。这些因素限制了铝基连接的能力边界。
铜是一种“古老的”金属材料。铜的导电、导热能力都比铝优秀；铜的柔韧性、延展性更好，因而近年很多基础连接研发，都转向了“铜基同质互连”，具体实现有各种“新概念铅焊”和烧结工艺及相关材料，特别是“银烧结”技术，已被视为封装技术的主要发展方向。
CISSOID公司是高温半导体和大功率模组技术的领导者，多年来专注于服务石油、航空、轨道交通和电动汽车领域的高温应用。CISSOID可提供高效的SiC功率转换和电机驱动方案，尤其适合没有液冷的高温应用场合。《碳化硅器件挑战现有封装技术》一文，在总结封装技术现状的基础上，揭示了先进封装技术的未来发展方向。
