电子与封装 ›› 2026, Vol. 26 ›› Issue (9): 090601 .
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冯磊，孙建军
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摘要： 在先进封装领域，玻璃通孔（TGV）技术被视为继硅通孔（TSV）之后实现芯片垂直电互连的最具前景的封装方案之一。根据封装工艺需求，通孔（基板）或盲孔（中介层）电镀填充均为TGV可选技术路径。对于通孔，通常先在其腰部区域使金属桥接，将原通孔转变为2个盲孔再完成填充。对于盲孔，则通过类似TSV的工艺先完成填充再进行背面减薄。因此，如何在玻璃盲孔中实现均匀、无缺陷的自底向上铜填充，是玻璃基垂直互连面临的关键共性问题。
冯磊，孙建军. 电化学图灵模式的时空调制：玻璃通孔的自底向上铜沉积[J]. 电子与封装, 2026, 26(9): 090601 .
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