摘要： 对国内标准商用0.18 μm工艺MOSFET和电路进行总剂量效应研究。其STI隔离区域二氧化硅在总剂量达到50k rad(Si)时，端口3.3 V NMOS晶体管漏电达到了10(-9)A级，达到100k rad(Si)以上时，内核1.8 V NMOS晶体管出现场区漏电。通过电路总剂量辐照试验，表明NMOS晶体管是薄弱点。需要开发STI场区总剂量加固技术，以满足抗辐射电路研制要求。
中图分类号:
寇春梅，谢儒彬，洪根深，吴建伟. 商用0.18 μm CMOS工艺抗总剂量辐射性能研究[J]. 电子与封装, 2016, 16(4):
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KOU Chunmei, XIE Rubin, HONG Genshen, WU Jianwei. Study of Commercial 0.18μm CMOS Total Ionizing Dose Effects[J]. Electronics & Packaging, 2016, 16(4):
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