摘要： 介绍了基于光刻机的150 nm T型栅GaAs PHEMT工艺，其中重点介绍了使用的shrink关键工艺步骤。利用新工艺在某100 mm GaAs工艺线上进行流片，并通过直流测试、loadpull测试、微波小信号测试以及环境试验、极限电压测试、高温步进试验，获得新工艺下制作的GaAs PHEMT的各项性能指标及可靠性。最后制作得到的器件在性能和通过直接光刻得到的PHEMT在性能和可靠性上基本在一个水平上，但是想要通过shrink工艺得到线宽更细的栅长需要进一步努力。
中图分类号:
郭 啸，章军云，林 罡. 用248 nm光刻机制作150 nm GaAs PHEMT器件性能及可靠性评估[J]. 电子与封装, 2016, 16(8):
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GUO Xiao，ZHANG Junyun，LIN Gang. The Performance Test and Reliability Evaluation of 150 nm GaAs PHEMT Based on the 248 nm Stepper[J]. Electronics & Packaging, 2016, 16(8):
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